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锗硅材料的制造与硅平面工艺相容,且具有优良的电学,光学性能,被称为“第二代硅微电子技术”。在高速异质结双极型晶体管,调制掺杂场效管中获得应用,其中HBT即将走向产业化,锗硅材料具有能可调的特性,在光电子方面有其应用价值,锗硅材料做红外探测器有诱人的前景。 相似文献
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UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内和表面的含量不同,在低温时生长锗硅合金,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析,但随着温度的升高,氢的脱附造成锗的偏析现象更加明显. 相似文献
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在我国当前电子技术飞速发展的过程中,现代化的电子设备已经逐渐的被应用到各个不同的领域之中,并且对于生产的发展起到了将为良好的推动作用。在电子设备飞速发展的情况下,其机电一体化技术也开始逐渐得以应用。本篇文章主要针对微电子控制机电设备在工业之中的实际应用进行了全面详细的探讨,以期为微电子控制工业发展作出贡献。 相似文献
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介绍了化学镀镍工艺的基本原理、化学镀镍合金层的物理和化学性质及其研发现状.重点阐述了化学镀镍技术在微电子领域的应用,包括UBM制作、印制电路板表面终饰工艺和LCR元件制造,以及在计算机存储领域的应用.指出,减少污染、延长镀液使用寿命、降低成本仍然是化学镀镍面临的一项长期的任务;其在微电子领域中的镍镀层的多功能化、镀层高密度化存储、纳米微粒掺杂新型功能性镀层等更深层次的需求有着广阔的发展前景. 相似文献
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光子技术及光电子技术在未来电子战中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文叙述了光子技术和光电子技术在未来电子战中的一些应用。这些技术包括光纤技术、光电集成技术、声光技术和光学双稳态技术等。 相似文献
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光电子技术是由由光子技术和电子技术结合而成的新技术,涉及光显示、光存储、激光等领域,是未来信息产业的核心技术。作为具有比电子更高频率和速度的信息载体以其不存在电磁串扰和路径延迟的优点,光电子技术在信息领域的应用无可替代。本文首先简单介绍了光电子技术的优越性,然后阐述了光电子技术在世界及中国的发展历程,紧接着描写了光电子技术在未来各方面各领域的应用,表现了光电子技术在当今信息时代愈发占有重要的关键地位。 相似文献
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材料电子显微分析与应用 总被引:1,自引:0,他引:1
电子显微分析就电子束形式可分为扫描电子分析和透射电子分析两大类,就分析类别可分为显微形貌分析、成分分析和结构分析三部分。并论述了材料电子显微分析常用的技术以及应用实例。 相似文献
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Ciné camera recordings have been made of (a) the movement of dislocations in thin metal foils, (b) contrast changes in single crystals of colloidal silver iodide. Electron diffraction pattern changes have also been recorded on ciné film. Methods and apparatus are discussed together with recent attempts to film structural details in biological objects examined in the electron microscope. 相似文献
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通过对材料微结构的合理建模,将物理和化学的计算方法应用在材料学领域,是近年来非常重要的材料研究设计和模拟的手段.对比分析了目前较为流行的材料学微观结构领域计算理论体系和方法,详细讨论了各自特点及应用的范围. 相似文献
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无机材料的某些性能不仅取决于化学组成,而更主要的是取决于结构,包括显微结构、晶体结构、以及电子构型。本文将探讨某些性能与电子构型间关系,为寻找新材料与发展材料科学提供依据。 相似文献
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本文简要地介绍了通用数字图象分析系统的发展过程及其应用。并着重阐明其在材料科学领域中有关材料分析及测试方面的应用,而且介绍了作者研制的能进行材料图象分析、测量和统计的应用软件包的主要内容。 相似文献
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I. Yonenaga 《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》1999,10(5-6):329-333
Bulk crystals of Ge1–xSi
x
alloys were grown by the Czochralski technique. Full single crystals were obtained for the alloys of composition 0 < x < 0.15 and 0.9 < x < 1, while single crystal parts near the seeds of ingots provided alloys of intermediate composition. The dislocation velocity and mechanical strength of the GeSi alloys were investigated by the etch pit technique and compressive deformation tests, respectively. In the GeSi alloys of the composition range 0.004 < x < 0.080 the dislocation velocity decreases monotonically with increasing Si content in the temperature range 450–700°C and the stress range 3–24 MPa. In contrast, in the composition range 0.94 < x < 1 the dislocation velocity first increases and then decreases with decreasing Si content in the temperature range 750–850°C and the stress range 3–30 MPa. The velocity of dislocations was determined as functions of stress and temperature. The stress–strain behaviour in the yield region of the GeSi alloys of composition 0 < x < 0.4 is similar to that of Ge at temperatures lower than about 600°C. However, the yield stress becomes temperature-insensitive at high temperatures and increases with increasing Si content. The stress–strain curves of the GeSi alloys of composition 0.94 < x < 1 are similar to those of pure Si at temperatures of 800–1000°C and the yield stress increases with decreasing Si content down to x = 0.94. The yield stress of the GeSi alloys is dependent on the composition, being proportional to x(1 – x). The strengthening mechanism in alloy semiconductors is discussed. 相似文献
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We examine two techniques to determine experimentally and theoretically the strength of quantum confinement in SiGe nano-dots. A simple theory for admittance spectroscopy in a quantum dot is developed in conjunction with our experiments and experimental findings. Using a mass-balance equation approach based on the Boltzmann equation in which the hole-phonon interaction in a SiGe nano-dot is considered, we can successfully reproduce those observed experimentally in the admittance spectroscopy measurements. Thus, we are able to understand the interesting features of the electronic properties in SiGe nano-dots, especially the dependence of the quantum confinement on the size of the dots. 相似文献
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