锗硅材料在微电子,光电子方面的应用

锗硅材料的制造与硅平面工艺相容，且具有优良的电学，光学性能，被称为“第二代硅微电子技术”。在高速异质结双极型晶体管，调制掺杂场效管中获得应用，其中ＨＢＴ即将走向产业化，锗硅材料具有能可调的特性，在光电子方面有其应用价值，锗硅材料做红外探测器有诱人的前景。     

硅材料在锂离子电池中的应用研究进展

硅材料作为锂离子电池负极材料具有比容量大的优点,是高容量锂离子负极材料的研究热点之一.综述了近年来锂离子电池硅负极材料的研究进展.分别对硅及含硅材料作为锂离子电池负极材料的发展过程、充放电特性、储锂机理及影响其储锂的各因素进行了分析和总结,并对其存在的问题进行了分析.探讨了采用不同复合物、不同制备方法和合成硅化物等改性方法来提高其循环性能的可行性.指出纳米硅基复合物将是硅负极材料最有希望的发展方向.     

UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象

本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内和表面的含量不同,在低温时生长锗硅合金,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析,但随着温度的升高,氢的脱附造成锗的偏析现象更加明显.     

谈微电子控制机电设备在工业中的应用

在我国当前电子技术飞速发展的过程中,现代化的电子设备已经逐渐的被应用到各个不同的领域之中,并且对于生产的发展起到了将为良好的推动作用。在电子设备飞速发展的情况下,其机电一体化技术也开始逐渐得以应用。本篇文章主要针对微电子控制机电设备在工业之中的实际应用进行了全面详细的探讨,以期为微电子控制工业发展作出贡献。     

化学镀镍在微电子领域的应用及发展前景

介绍了化学镀镍工艺的基本原理、化学镀镍合金层的物理和化学性质及其研发现状.重点阐述了化学镀镍技术在微电子领域的应用,包括UBM制作、印制电路板表面终饰工艺和LCR元件制造,以及在计算机存储领域的应用.指出,减少污染、延长镀液使用寿命、降低成本仍然是化学镀镍面临的一项长期的任务;其在微电子领域中的镍镀层的多功能化、镀层高密度化存储、纳米微粒掺杂新型功能性镀层等更深层次的需求有着广阔的发展前景.     

光子技术及光电子技术在未来电子战中的应用

本文叙述了光子技术和光电子技术在未来电子战中的一些应用。这些技术包括光纤技术、光电集成技术、声光技术和光学双稳态技术等。     

锗单晶材料的生长与应用

锗单晶材料由于独特的性能而被广泛应用于微电子技术、红外技术、核探测、太阳电池等多个领域.简要介绍了直拉生长的工艺及特点,无位错直拉锗单晶的生长与现状,以及锗单晶材料在不同领域的应用和发展.     

聚酰亚胺在微电子领域的应用及研究进展

随着科技的深入发展,半导体和微电子工业已经成为国民经济的支柱性产业。微电子工业的发展,除了设计、加工等本身技术的不断更新外,各种与之配套的材料的发展也有着十分重要的支撑作用。电子产品的轻量化、高性能化和多功能化使得其对高分子材料的要求也越来越高。聚酰亚胺（PI）是目前在半导体和微电子工业中应用最为广泛的高分子材料之一。     

光电子技术的未来发展与应用

光电子技术是由由光子技术和电子技术结合而成的新技术，涉及光显示、光存储、激光等领域，是未来信息产业的核心技术。作为具有比电子更高频率和速度的信息载体以其不存在电磁串扰和路径延迟的优点，光电子技术在信息领域的应用无可替代。本文首先简单介绍了光电子技术的优越性，然后阐述了光电子技术在世界及中国的发展历程，紧接着描写了光电子技术在未来各方面各领域的应用，表现了光电子技术在当今信息时代愈发占有重要的关键地位。     

材料电子显微分析与应用

电子显微分析就电子束形式可分为扫描电子分析和透射电子分析两大类,就分析类别可分为显微形貌分析、成分分析和结构分析三部分。并论述了材料电子显微分析常用的技术以及应用实例。     

电子传输材料及其在有机光导体中的应用

电子传输材料按其结构可分为多硝基化合物,氰基化合物,醌类化合物和萘的酸酐衍生物等。用它们制备的载流子传输层因其表面负载正电荷而不产生臭氧,所以用于制备环保型正电性有机光导体。本文重点讨论了醌类电子传输材料在单层、双层及双极性光导体中的应用研究进展。     

Application of Ciné Techniques In Electron Microscopy

Ciné camera recordings have been made of (a) the movement of dislocations in thin metal foils, (b) contrast changes in single crystals of colloidal silver iodide. Electron diffraction pattern changes have also been recorded on ciné film. Methods and apparatus are discussed together with recent attempts to film structural details in biological objects examined in the electron microscope.     

材料学中微观结构领域的计算方法

通过对材料微结构的合理建模,将物理和化学的计算方法应用在材料学领域,是近年来非常重要的材料研究设计和模拟的手段.对比分析了目前较为流行的材料学微观结构领域计算理论体系和方法,详细讨论了各自特点及应用的范围.     

无机材料性能与电子构型关系的探讨

无机材料的某些性能不仅取决于化学组成,而更主要的是取决于结构,包括显微结构、晶体结构、以及电子构型。本文将探讨某些性能与电子构型间关系,为寻找新材料与发展材料科学提供依据。     

数字图象系统及其在材料分析与测试中的应用

本文简要地介绍了通用数字图象分析系统的发展过程及其应用。并着重阐明其在材料科学领域中有关材料分析及测试方面的应用,而且介绍了作者研制的能进行材料图象分析、测量和统计的应用软件包的主要内容。     

Growth and mechanical properties of GeSi bulk crystals

Bulk crystals of Ge_1–xSi _x alloys were grown by the Czochralski technique. Full single crystals were obtained for the alloys of composition 0 < x < 0.15 and 0.9 < x < 1, while single crystal parts near the seeds of ingots provided alloys of intermediate composition. The dislocation velocity and mechanical strength of the GeSi alloys were investigated by the etch pit technique and compressive deformation tests, respectively. In the GeSi alloys of the composition range 0.004 < x < 0.080 the dislocation velocity decreases monotonically with increasing Si content in the temperature range 450–700°C and the stress range 3–24 MPa. In contrast, in the composition range 0.94 < x < 1 the dislocation velocity first increases and then decreases with decreasing Si content in the temperature range 750–850°C and the stress range 3–30 MPa. The velocity of dislocations was determined as functions of stress and temperature. The stress–strain behaviour in the yield region of the GeSi alloys of composition 0 < x < 0.4 is similar to that of Ge at temperatures lower than about 600°C. However, the yield stress becomes temperature-insensitive at high temperatures and increases with increasing Si content. The stress–strain curves of the GeSi alloys of composition 0.94 < x < 1 are similar to those of pure Si at temperatures of 800–1000°C and the yield stress increases with decreasing Si content down to x = 0.94. The yield stress of the GeSi alloys is dependent on the composition, being proportional to x(1 – x). The strengthening mechanism in alloy semiconductors is discussed.     

Modeling of self-assembled GeSi nano-dots and corresponding admittance spectroscopy

We examine two techniques to determine experimentally and theoretically the strength of quantum confinement in SiGe nano-dots. A simple theory for admittance spectroscopy in a quantum dot is developed in conjunction with our experiments and experimental findings. Using a mass-balance equation approach based on the Boltzmann equation in which the hole-phonon interaction in a SiGe nano-dot is considered, we can successfully reproduce those observed experimentally in the admittance spectroscopy measurements. Thus, we are able to understand the interesting features of the electronic properties in SiGe nano-dots, especially the dependence of the quantum confinement on the size of the dots.     

微型计算机总线的开发与应用

在微机应用系统中总线占有很重要的地位.本文对总线的分类、开发中所应注意的问题,以及采用标准总线的好处做了阐述.     

水槽液位集散控制系统实验装置的研制

本文概述了集散控制系统的应用技术，介绍了三级水槽液位控制系统实验装置的设计方法与性能特点，并取得了很好的实验结果．