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文献[1]作者认为“效应“一文是错误的,是曲解了经曲光伏理论,并认为经典光伏理论是“无暇可击“的,不用修正的观点,本文根据微分欧姆定律,证明了经典光伏理论存在严重错误,必须修正. 相似文献
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近期,铁电体的反常光伏效应在太阳能光伏领域引起了广泛关注。基于体光伏效应的铁电光伏器件的内部机制与基于p-n结的传统光伏器件不同。体光伏效应是指在缺乏反演对称性的材料中产生稳定的光电流和超过带隙的光电压。尽管体光伏效应具备巨大应用潜力,但其内部机制尚不明确。回顾了铁电体中铁电光伏效应的理论发展历程和最新进展,重点讨论了体光伏效应的内部机制和理论模型。揭示了对体光伏效应现象与弹道电流、位移电流机制的理论理解及其实验研究。最后,讨论了体光伏效应在未来应用中所面临的机遇和挑战。 相似文献
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测量了二氧化锡(SnO2)/多孔硅(PS)/硅(Si)的光电压谱,分析表明:在SnO2/PS/Si材料中存在着两个异质结;当样品吸附还原性气体时,其光电压明显下降。当样品在1%液化石油气的氛围时(相对于空气),光电压减少了16.4%-27.5%;在1%CO氛围时,减少了8.1%-19.4%;在1%H2氛围时,减少了12.1%-14.9%,因此SnO2/PS/Si可作为一种新的敏感元件。文中还对测量结果进行了讨论分析。 相似文献
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由于制造工艺和生产条件的不同,光伏探测器的特征参量结品质因子和反向饱和电流有很大差别。提出一种PN结特征参量的间接测量方法,并对该测量方法所用的数值计算方法的收敛性进行数学证明。提出了两个使用开路电压和短路电流计算光电池PN结品质因子和反向饱和电流的简化解析计算公式。与迭代法的计算结果相比,使用简化解析计算公式得到的结品质因子和反向饱和电流的相对误差分别为0.03%和0.25%;与实验结果相比,使用迭代法计算结果的开路电压值的相对误差不小于0.3%。 相似文献
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在18~300K 度范围内测量了 GaAs/AlGaAs 超晶格和 Ge_xSi_(1-x)/Si 应变层超晶格在不同温度下的光伏谱。在200K 以下,在 GaAs/AlGaAs 超晶格中观测到6个子带间光跃迁激子峰;在100K 以下,GaAs/AlGaAs 的光伏谱反映了超晶格台阶状态密度分布。在 Ge_xSi_1-x/Si 应变层超晶格中,观测到子带和连续带间的光跃迁。并对两类超晶格的光伏特性进行了比较分析。 相似文献
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在分析硅光电池的电特性时,一般认为光生电压等效于无光照时PN结的正向偏压,即有叠加原理成立。但未见有人对此作过实验验证,本文报道了对三种不同的硅光电池的测量结果,证明叠加原理基本是正确的,但也存在一些问题需要进一步研究。 相似文献
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通过用MATLAB求解一维形式下平面PN结和环孔PN结的连续性方程,给出了两者的I-V关系式,并进行了分析比较。由于几何结构上的差异,它们的I-V关系式有所不同。 相似文献
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本文介绍了1kW并网逆变器的设计。详细的介绍了逆变器的基本设计和关键技术,以及并网电流的控制策略。并在完成试验装置,验证了逆变器的稳定性和控制策略的可靠性。 相似文献
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颜永美 《固体电子学研究与进展》1992,12(1):30-33
本文报导了采用变温光伏方法对不同真空度下的p型硅单晶的表面态参数进行非破坏性的测算。发现在不同真空度下,其表面能级E_S(或表面势垒高度ψ_BP)和单位能量间隔的表面态密度D_S等参数以及常温温区下的光伏值可有明显的差异。 相似文献