IGBT驱动器M57962L的使用

介绍了IGBT驱动器M57962L的特性、电参数、对外电路的要求，以及应用在不同电路时所呈现的特点。     

基于3300V牵引级IGBT的新一代高压变频器

1 3300V牵引级IGBT简介 IGBT（绝缘栅双极晶体管）集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制电路简单、耐高压、承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。各大半导体厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠技术，取得巨大的进展。     

基于3300V 牵引级IGBT的新一代高压变频器

IGBT（绝缘栅双极晶体管）集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制电路简单、耐高压、承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。各大半导体厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠技术，取得巨大的进展。依据电压等级划分，当前国内主要应用的IGBT分为600V（1985年）、1200V（1990年）、     

面向高铁、HVDC等应用的4500V IGBT驱动器

这款专门针对高功率模块的全新绝缘栅双极晶体管（IGBT）栅极驱动器工作电压为4500V,额定电流从400A至1200A,它专为支持包括ABB、Dynex、日立、英飞凌和三菱等制造商的模块产品而设计。     

用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片

如今，对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂，特别是在高压大电流领域。这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范围内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化，以便适应不同种类的JGBT，其应用范围可以达到150A-3600A，1200V-6500V，并且可以为用户的专门用途进行预置。     

800V／10A和1200V／6A绝缘栅双极晶体管的研制

本文简单介绍了８００Ｖ／１０Ａ和１２００Ｖ／Ａ绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的研制．重点介绍工艺过程和测试结果．     

IGBT驱动器输出性能的计算

今天,绝缘栅双极型晶体管（IGBT）在电力电子领域已经普及,并被用于许多应用中,如变频器、电源和电子驱动器。IGBT具有较高的反向电压（高达6.5 kV）,开关电流最大可达3 kA。除功率模块自身外,电力电子系统中的一个关键组件是IGBT驱动器,它是功率晶体管和控制器之间重要的接口。     

新HB系列：IGBT

意法半导体的新HB系列绝缘栅双极晶体管（IGBT）拥有较低的关机能耗,同时可降低达30％的导通损耗。     

坚固型600V三相栅极驱动器IC

IRS26310DJPbF把功率MOSFET和IGBT栅极驱动器与三个高压侧及三个低压侧参考输出通道集成在一起,在20V MOS栅极驱动能力及最高600V工作电压下,可提供200mA／350mA的驱动电流。其整合了集成的自举二极管,可提供全面的保护功能,包括改进的负电压尖峰（Vs）免疫电路,以防止系统在大电流切换或短路情况下发生灾难性事件,实现更高水平的耐用性和可靠性。     

全自对准槽栅IGBT设计

本文设计了一种全自对准的楷栅IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构，其工艺简单，全套工艺只有两块光刻版，且两次光刻之间没有套刻关系，避免了套刻误差，提高了工艺成品率。同时，降低了制版费用和制造成本。我们设计了一种独特的IGBT多重沟道短路结构，有效地防止器件闩锁。用氧化层硬掩模和先进的硅化物工艺实现全自对准的多晶硅反刻和金属连接，可使元胞尺寸缩小到2μm甚至更小；增加了IGBT芯片单位面积的元胞密度和沟道宽度，提高了电流。用砷(As)掺杂代替磷(P)，可有效提高源区表面浓度，实现浅结工艺。     

意法半导体（ST）推出先进的1200V IGBT可实现更长的使用寿命、节省更多能源

意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管（IGBT,Insulated—GateBipolar Transistors）借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和功率因数校正（PFC,Power—FactorCorrection）转换器等应用的能效和耐用性。     

高达150KHz的600V IGBT IRGP50860PD

IR公司推出Co—Pack封装的600V不穿通（NPT）绝缘栅双极晶体管（IGBT）IRGP50860PD，具有增强的25A HEXFRED二极管，其开关速度高达150kHz。     

1200V和1700V新型IGBT模块沟槽及电场截止型IGBT低注入续流二极管

介绍了最近开发的1200V和1700VIGBT模块的特性。该模块由沟槽栅极和电场截止结构的新型IGBT器件组装而成。由于采用了先进的封装技术，这种新型IGBT模块导致了更高的功率集成。进而，总功率损耗比常规IGBT模块的约减少了25％。     

Amantys针对高功率模块的4500V Amantys Power Drive驱动器进入中国市场

Amantys宣布推出一款针对高功率模块的全新绝缘栅双极晶体管（IGBT）栅极驱动器,其工作电压为4500V,额定电流从400A至1200A,它专为支持包括ABB、Dynex、日立、英飞凌和三菱等制造商的模块产品而设计。     

IR针对家电电机驱动器应用推出新型IGBT——600V超高速沟道型IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF

全球功率半导体和管理方案领导厂商一国际整流器公司推出IRGR4045DPhF和IRGs4045DPbF,以此拓展绝缘栅双极型晶体管（IGBT）系列。全新600V超高速沟道IGBT能够为洗衣机和冰箱等家电与轻工业电机驱动应用提升性能及效率。     

应用IGBT的小型化医用二氧化碳激光器电源

应用谐振型功率转换电路,采用谐振型电流过零关断方式工作,利用高频变压器,制作出一种小体积、重量轻的,可精密调节的高稳定度电源。     

650 V IGBT横向变掺杂终端的设计与优化

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)器件的最重要参数之一是击穿电压(Breakdown Voltage, BV),影响IGBT器件BV的因素包括：平面工艺PN结扩散终端、界面电荷、杂质在Si、SiO₂中具有不同分凝系数等。其中影响IGBT器件耐压能力的重要因素是芯片终端结构的设计,终端区耗尽层边界的曲率半径制约了BV的提升,为了能够减少曲率效应和增大BV,可以采取边缘终端技术。通过Sentaurus TCAD计算机仿真软件,采取横向变掺杂(Variable Lateral Doping, VLD)技术,设计了一款650 V IGBT功率器件终端,在VLD区域利用掩膜技术刻蚀掉一定的硅,形成浅凹陷结构。仿真结果表明,这一结构实现了897 V的耐压,终端长度为256μm,与同等耐压水平的场限环终端结构相比,终端长度减小了19.42%,且最大表面电场强度为1.73×10⁵ V/cm,小于硅的临界击穿电场强度(2.5×10⁵ V/cm);能在极大降低芯片面积的同...     

Diodes40V闸极驱动器减少IGBT开关损耗

Diodes公司推出专为开关高功率IGBT设计的ZXGD3006E6闸极驱动器（gatedriver）。有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。     

具有超低关断能耗的IGBT

STGxL6NC60D系列绝缘栅双极晶体管（IGBT）采用高效的寿命控制工艺,有效降低关断期间的能耗。该IGBT目标应用包括70～150W高频镇流器以及开关电源、功率因数控制器和其他的高频功率开关设备。该器件可将整体功率提高到一个新的水平,远胜于标准技术的MOSFET。新产品还有一个优点：     

基于IGBT并联技术的PEBB设计

受电力电子器件生产制造工艺的限制,为了提高电力电子装置的功率等级,一般采用电力电子器件直接串并联或是变流单元多重化串并联的方法。文章在总结绝缘栅双极晶体管并联技术的基础上,设计了一个容量为250kVA的功率半导体组件。试验结果表明,该PEBB设计符合各项指标,具有很强的实用性和可操作性。