台湾电信用光电器件的研究现状

本文介绍了台湾用一塌信的光电器件近期的开发两头及研究成果。其中包括高性能１．５５μｍ复耦合ＩｎＧａＡｓＰ－ＩｎＰ分布反馈和１．３μｍ无致冷ＡｌＩｎＧａＡｓ－ＩｎＰ激光器，半绝缘衬底的ＩｎＧａＡｓ－ＩｎＰｐ－ｉ－ｎ光探测器，０．９８μｍＩｎＧａＡｓ－ＧｓＡｓ－ＩｎＧａＰ泵浦激光器以及１２信道的激光器和探测阵列。     

近红外像增强器

介绍近红外像增强器。重点介绍ＩｎＧａＡｓ光电阴极的性能、特性以及 像增强器的性能参数。     

InGaAsP／InP异质结光电三极管的制备

介绍了ｎ－ＩｎＰ／ｐ－ＩｎＧａＡｓＰ／０－ＩｎＰ结构的异质结光电三极管制作过程，并获得了对１．３μｍ的入射光，光增益达２２０，用带尾纤的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ发光管测量，光学增益达１４７０。     

GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析

Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式光电阴极的分辨力是第３ 代微光像增强器的重要参数之一。从简化的二维扩散方程推导了 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式阴极的调制传递函数（ Ｆｍ ,ｔ） ,计算了２ μｍ 厚 Ｇａ Ａｓ 阴极层的 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射阴极的理论分辨力特性曲线,并讨论了它与若干参数的关系。据此得出在设计 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式光电阴极时应主要考虑最大量子效率,分辨力的损失并不限制系统的性能。     

LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μｍ注入光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０～１．７０μｍ。     

LP—MOCVD制作InCaAs／InP PIN发电二极管

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为Φ７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８－１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ。在没有增透膜时，对１．３μｍ注放光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０－１．７０μｍ。     

GaInNAs/GaAs量子阱激光器的发展与未来

ＧａＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料,在长彼长（１．３０和 １．５５μｍ）光通信系统 中具有广阔的应用前景．通过调节 Ｉｎ和 Ｎ的组分,既可获得应变 ＧａＩｎＮＡｓ外延材料,也可制 备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹配的异质结构,其波长覆盖范围为０．９－Ｎ２．０μｍ．ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ 量子阱激光器的特征温度为 ２００ Ｋ,远大于现行 ＧａＩｎＮＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的特征温度（Ｔ０＝５０ Ｋ）． ＧａＩｎＮＡｓ光电子器件的此优异特性,对于提高光纤通信系统的稳定性、可靠寿命具有特 别重要的意义．由于ＧａＩｎＮＡｓ和具有高反射率（高达９９％）ＡＩ（Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓ的分布布拉格 反射镜（ＤＢＲ）可生长在同－ＧａＡｓ衬底上,因此它是长波长（１．３０和 １．５５ μｍ）垂直腔面 发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的理想材料．垂直腔面发射激光器是光纤通信、互联网和光信号处理的 关键器件． ＧａＡｓ基的超高速集成电路（ＩＣ）已有相当成熟的工艺．如果 ＧａＩｎＮＡｓ－ＶＣＳＥＬ 与 ＧａＡｓ－ＩＣ相结合,将使光电集成电路（ＯＥＩＣ）开拓出崭新的局面．本文还报道我们课题 组研制高质量 ＧａＮＡｓ／ＧａＡｓ超晶格和大应变 ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构取     

用于泵浦固态激光器的激光二极管新材料

本文回顾了用于泵浦固态激光器的Ⅲ－Ｖ族半导体激光二极管材料的最新进展。所讨论的激光二极管材料均是在ＧａＡｓ衬底上生长的。其中重点讨论了激射波长在０．８７至１．１μｍ这一新波段的ＣＷ输出高功率的应变层ＩｎＧａＡｓ－ＡｌＧａＡｓ激光二极管的性能和可靠性；提高了抗退化能力的波长为０．７８至０．８７μｍ的应变层ＡｌＩｎＧａＡｓ－ＡｌＧａＡｓ和晶格匹配的ＧａＩｎＡｓＰ－ＧａＩｎＰ材料系统的激光二极管，以及改进了性能的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ材料系统的可见光激光二极管．     

两次MOVPE生长的大功率InGaAs－GaAs－InGaP掩埋异质结应变量子阱激光器

本文给出了带有Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１ｉ包层的ＩｎＧａＡｓ－ＧａＡｓ应变量子阱激光器实验结果。镀有ＡＲ－ＨＲ膜、并有ｐ－ｎＩｎＧａＰ电流阻挡结的掩埋异质结激光器，在连续波（ＣＷ）和室温（ＲＴ）下，给出３．１ｍＡ的低阈值电流和９５ｍＷ的高功率输出。这是首次以两次ＭＯＶＰＥ方法生长制作的ＩｎＧａＡｓ－ＧａＡｓ－ＩｎＧａＰ掩埋异质结激光器。     

InGaAsP及其量子阱结构的LP－MOCVD

报道了用低压金属有机化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓＰ体材料及ＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ）／ＩｎＧａＡｓＰ（１．６μｍ）量子阱结构的生长条件和实验结果。比较了５５０℃和５８０℃两个生长温度下Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ体材料及相应量子阱结构的特性，表明在５８０℃生长条件下，晶体具有更好的质量和特性。     

图像小波系数的分布规律及其对图像质量的影响

文中研究了小波系数的统计特性,小波系数的均值、方差和能量,不同分辨率级相同方向上小小的关系,以及同一分辨率级不同方向的小波系数对图像主观质量的影响。从而为基于小波变换的图像数据压缩中的量化方法提供了依据,得到以下结论：１．能量主要集中在低频系数,它对图像质量的影响最大,应对其进行量化;２．高频系数代表图像的细节信息,分辨率级越高的高频系数,对图像质量的影响越小,量化可以越粗;３．对同一方向不同分辨     

表面贴装工艺（SMT）,其趋势和未来

表面贴装工艺（ＳＭＴ）是一种当今制造生产先进水平微小型电子产品的工艺技术，本文首先介绍ＳＭＴ，然后着重阐述表面贴装的种类及工艺流程，所需设备，ＳＭＴ中的技术问题，最后就ＳＭＴ的趋势和它的未来进行探讨。     

多元多色HgCdTe红外探测器

简要介绍利用不同波段的微型滤光片和不同响应波段的多元ＨｇＣｄＴｅ红外探测器,叙述了通过精密镶嵌技术组合而成的四波段２１５～２２５μｍ、８４～８９μｍ、１０３～１１３μｍ和１１５～１２５μｍ８８元多元多色探测器的设计原理和特性,以及多元多色探测器的组合工艺,并给出了各个通道的响应光谱特性和探测器的工作性能。研制成功的８８元多色红外探测器每个通道的平均探测率和响应率分别为：Ｄ２．１５～２．２５＝１．２×１０１２ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ２．１５～２．２５＝５．０×１０６Ｖ／Ｗ,Ｄ８．４～８．９＝７．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ８．４～８．９＝１．６×１０４Ｖ／Ｗ,Ｄ１０．３～１１．３＝４．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１０．３～１１．３＝４．３×１０３Ｖ／Ｗ,Ｄ１１．５～１２．５＝３．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１１．５～１２．５＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ,文中对这些结果进行了分析和讨论。     

掺铒光纤放大器特性分析及长度优化设计

掺饵光纤放大器（ＥＤＦＡ）是光纤通信系统中的关键器件之一。文中从ＥＤＦＡ的基本理论出发，对ＥＤＦＡ的各种特性进行了计算机模拟分析，并研究了ＥＤＦＡ的长度优化设计，实验结果与理论计算相吻合。     

飞行器尾焰红外辐射的一种工程算法

文中就尾焰在４．３μｍ谱带对红外辐射有贡献的二氧化碳气体进行研究，将分子辐射理论中的宽带模型与辐射输运方程和流场模型三者结合起来，是研究飞行器尾焰红外辐射特性的有效办法，它在红外寻的、红外防护中有实用价值。     

海洋作战环境动态红外图像的计算机仿真

文中介绍了海洋作战环境动态红外图像仿真的实现。从分析舰船热环境出发，建立了舰船的温度模型，利用ＯＷＴＲＡＮ模型计算场景中点的红外辐射，将计算结果量化，形灰值。最后，利用计算机图形学的方法生成动态红外图像。     

亚成像系统中的实时图像分割与识别

研究了亚成像系统中 的目标识别方式，利用图像分割识别方式对玫瑰扫描图形进行处理，分析了利用自适应阈值进行实时图像分割的方法，并对外场实讨论。     

机载红外搜索跟踪系统的单站单波段测距测速模型

文中提出一种能使机载红外搜索跟踪系统（ＥＲＳＴＳ）在单站单波段条件下实现被动动态测距测速的技术方案。该方案融合了红外探测器对目标２辐射的呼应信息,利用机哉惯性导航系统（ＩＮＳ）提供了本机状态参数,建立了动态获取目标辐射的响应信息,利用机载惯性导航系统（ＩＮＳ）提供的本机状态参数,建立了动态获取目标距离和速度信息的解算模型－ＳＳＩＲ－ＶＲＭ模型。大量的仿真研究证明了该模型的可行性,其测量精度基本能满     

用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层

利用扫描电镜的选区电子通道花样技术研究了用ＥＬＩＤ磨削技术制作的两种单晶硅片磨削样品的表面变质层的厚度及其结构。结果表明，表面粗糙度依次为９．５ｎｍ和２２．５ｎｍ两种〈１１１〉单晶硅片样品的变质层厚度分别为２．８μｍ和４．８μｍ。     

Nitrogen Doping Effect in a-Ge: H Films Due To High Hydrogen Dilution

ＮｉｔｒｏｇｅｎＤｏｐｉｎｇＥｆｅｃｔｉｎａＧｅ：ＨＦｉｌｍｓＤｕｅＴｏＨｉｇｈＨｙｄｒｏｇｅｎＤｉｌｕｔｉｏｎＪ．Ｘｕ１Ｋ．Ｊ．Ｃｈｅｎ１Ｄ．Ｆｅｎｇ１，ＳｅｉｃｈｉＭｉｙａｚａｋｉ２ＭａｓａｔａｋａＨｉｒｏｓｅ２（１．Ｄｅｐｔ．ｏｆＰｈｙｓｉｃ...