使用Pb1-xGexTe材料提高红外薄膜光学器件温度稳定性

提高薄膜光学器件温度稳定性的一条途径是根据光学薄膜器件的稳定性理论,选择两种具有相反折射率温度系数的材料组成膜系,使材料随温度变化引起的位相变化相互抵消.但很难找到折射率温度系数可以完全相互抵消的两种材料,因此有必要找到一种折射率温度系数可以调节的材料.研究表明:红外长波材料Pb1-xGexTe的折射率温度系数可以随Ge组分x的改变而改变.研究结果证明使用Pb1-xGexTe材料,薄膜光学器件温度稳定性得到了很大的提高.     

使用Pb1-xGexTe材料提高红外薄膜光学器件温度稳定性

提高薄膜光学器件温度稳定性的一条途径是根据光学薄膜器件的稳定性理论,选择两种具有相反折射率温度系数的材料组成膜系,使材料随温度变化引起的位相变化相互抵消.但很难找到折射率温度系数可以完全相互抵消的两种材料,因此有必要找到一种折射率温度系数可以调节的材料.研究表明:红外长波材料Pb1-xGexTe的折射率温度系数可以随Ge组分x的改变而改变.研究结果证明使用Pb1-xGexTe材料,薄膜光学器件温度稳定性得到了很大的提高.     

使用Pb1—xGexTe材料提高红外膜光学器件温度稳定性

提高薄膜光学器件温度稳定性的一条途径是根据光学薄膜器件的稳定性理论,选择两种具有相反折射率温度系数的材料组成膜系,使材料随温度变化引起的位相变化相互抵消.但很难找到折射率温度系数可以完全相互抵消的两种材料,因此有必要找到一种折射率温度系数可以调节的材料.研究表明红外长波材料Pb1-xGexTe的折射率温度系数可以随Ge组分x的改变而改变.研究结果证明使用Pb1-xGexTe材料,薄膜光学器件温度稳定性得到了很大的提高.     

利用Pb1-xGexTe材料的折射率异常性质改善红外光学薄膜的低温性能

红外薄膜干涉滤光片性能在低温下的变化是空间遥感系统中的一个关键性问题。经研究表明IV-VI族半导体PbTe和GeTe的赝二元合金Pb1-xGexTe在铁电相变点具有折射率异常—相应于铁电相变,Pb1-xGexTe薄膜呈现出最大折射率值。用Pb0.94Ge0.06Te材料代替PbTe材料,制作了一个红外薄膜干涉滤光片。测试结果表明:其中心波长漂移从0.48nm/K改进到0.23nm/K,在所测量的80K～300K的温度范围,用Pb0.94Ge0.06Te材料制作的滤光片的峰透过率高于用PbTe材料制作的滤光片约3%,从而极大地改善了光学薄膜器件在深低温环境下的稳定性和可靠性。     

0.13BZT-xBS-(0.87-x)PT压电陶瓷的电学性能及其温度稳定性

采用固相反应法制备了0.13Bi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃-xBiScO₃-(0.87-x)PbTiO₃[0.13BZT-xBS-(0.87-x)PT](0.28≤x≤0.36)压电陶瓷,研究了陶瓷的微观结构、电学性能及其温度稳定性。结果表明：随着x的增大,陶瓷由四方相转变为三方相结构,当x不低于0.34时,出现了Bi₃₈ZnO₆₀析出相;随着x的增大,陶瓷的剩余极化强度P_r、压电常数d₃₃、机电耦合系数k_p和相对介电常数ε_r均先增大后减小,居里温度T_c降低,当x为0.32时,陶瓷的综合电学性能最优,P_r,d₃₃,k_p,ε_r最大,分别为31.5μC·cm^-2,283 pC·N^-1,0.37,1 ...     

Ti_(1-x)AI_xN涂层低压化学气相沉积(CVD)技术

<正>随着高速干式切削工艺以及硬质材料切削需求的增加,对切削工具的需求也随之增大。这类材料包括高强度钢、铸造材料以及用于汽车以及航空工程的高强度合金材料。当切削工具高速运转时,切削刃的温度可超过1000℃,因此现代耐磨涂层不仅要具有高强度和韧性,还要有良好的抗氧化性和化学惰性,开发更有效的耐磨涂层势在必行。在过去的几十年里,面心立方(fcc)结构的Ti_(1-x)Al_xN已经成为耐磨应用领域的标准涂层。由于它是一种相对稳定的材料,因此只能通过在温度相对较低的PVD情况下进行涂层生产。但是PVD方式仅限于铝含量x=0.67的面心立方(fcc)结构Ti_(1-x)Al_xN的沉积,因此其抗氧化性能有限。为了增加这种涂层的铝含量,石川岛播磨爱恩邦德公     

RLVIP制备Ge1－xCx薄膜的X射线光电子能谱研究

应用低压反应离子镀（Reactive Low Voltage Ion Plating：RLVIP）在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜。制备过程中,低压等离子源作为辅助等离子源,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体,在相同的条件下以不同沉积速率制备了C含量( x )从0.23到0.78的Ge1-xCx薄膜。X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构。通过X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ge1-xCx薄膜的化学键合变化。测试结果表明当 x > 0.78时,成键为C-H键;当x在0.53至0.62时,成键为C-C键;当x < 0.47时,成键为Ge-C键。