卡诺PLA—500FA、PLA—500F型接近式掩模对准仪

一、激光扫描自动对准仪近年来,半导体器件研制中要求硅片的直径越来越大。卡诺公司的接近式掩模对准仪,在满足这种要求方面迈出了第一步。卡诺PLA—500FA以及500F型机就是一种用来制作φ5英寸硅片的接近式掩模对准仪。其中PLA—500FA型是一种正规的可以批量生产的装置,它具有采用激光的世界上最早的掩模全自动对准机构。卡诺的接近式掩模对准仪现已付诸使用的有PLA—300F等类型。大多数半导体制造厂都赞扬这些对准仪具有下述特征:     

日本共同研研制使用远紫外光的反射投影型曝光装置

超大規模集成技术研究组合共同研究所与卡诺公司共同研制了使用远紫外光的反射投影型露光装置。予计卡诺公司从今年秋天可开始投入市场。该装置的分辨率为1μm。对5英寸的片子每小时可曝光60片。采用自动对准机构,其精度为0.3μm,焦深为±4μm。     

用于5英寸圆片的掩模对准技术

年轻的集成电路技术,其技术革新快,并且经济效果大。目前人们正以片子的大型化和图形的微细化手段提高集成度,追求其经济效果。本文叙述一下卡诺公司为实现最经济的2微米掩模对准技术而研制的“卡诺PLA-500FA”设备。该设备的优点在于能使接近式、软接触式、接触式三种曝光方式互相转换,能根据所需要的分辨率选择曝光方式。此外,又由于采用深紫外线光源,选择接近式能曝光2微米的线条,选用接触式能曝光亚微米图形。再者,设备上还装有激光束扫描的高精度检测自动对准系统。程序控制采用微电子计算机,从而提高了可靠性和保证系统的运     

用于5英寸硅片的掩模对准技术

在新兴的集成电路技术中技术革新搞得很快,而且经济效果也很显著。由于硅片尺寸的增大以及图形尺寸的微细化引起了集成度的不断提高,这就提出了降低器件成本的问题,当然这些革新成果必然为各厂家所注目。我们在本文中介绍一下:卡诺PLA—500FA型掩模对准仪,该仪器能很经济地制做2μ宽线条的器件。在这种仪器中,接近式、软接触式及接触式光刻可用一个开关来转换,而且可以根据图形所要求的分辨率来选择光刻形式。另外,由于仪器附有远紫     

谈谈卡诺自动对准图案

我们来谈谈卡诺PLA—500FA(掩模自动对准仪)中,自动对准图案的安排与形状。 1.掩模上的对准图案(简记为“M”) 在掩模的左右两侧各安排一个如图1所示的图案(其安排下面将叙述)。     

日本研制成功远紫外线曝光装置

据日本《读卖所闻》三月二十三日以“研制成功‘远紫外曝光装置’—超大规模集成电路批量生产已有可能”为题报道:超大规模技术研究协会二十二日宣布,作为超大规模集成电路批量生产的一环,研制成功了反射投影方式的远紫外曝光装置。这种装置是利用凹凸镜将波长短的紫外线反射投影,使比过去精度高的超大规模集成电路的批量生产变为可能,该协会说:“可以飞跃地提高巳有的大规模集成电路的精度”。从1980年左右开始实际应用。     

远紫外曝光技术

本文提出了远紫外曝光的评价问题,略述了各种商业上可用的光致抗蚀剂的敏感度,叙述了不同的远紫外光源的的优缺点,讨论了产生准直光束的光学系统,强调了在达到重复结果中,曝光强度的测量和控制的重要性。最后,叙述两种曝光技术:①对准曝光,②无“掩模”曝光。     

多目的半导体曝光装置TZ—310

在半导体器件制造最重要的工艺——曝光工序中,将掩模制作功能——图形发生器与重复照像、缩小投影曝光和光的直接作图曝光四种功能紧密地集中统一在一台装置上的“多目的半导体曝光装置TZ—310”开始出售了。     

三菱电机开发VLSI用的微细图形形成技术

三菱电机研制并发表了用0.07μm的微细聚焦离子束“FIB”能够形成0.2μm以下的亚微米图形的基础技术。 该技术是作为4M位以上的动态RAM开发用的工艺而引人注目的基本工艺,当使用这种技术时,就可不用掩膜,它一方面直接在硅片上描绘出图形,另一方面又能注入杂质,此外,还能进行光刻曝光或薄膜的直接铣等。     

X射线曝光装置

光曝光技术的极限是0.5μm,人们期待着X射线曝光技术作为可以描画0.5μm以下图形的下一代技术。最近X射线曝光技术进展明显,听到有这样的看法:不一定要等待图形线宽小到0.5μm,只要进入1μm以下的亚微米时代,也就可以开始使用X射线曝光技术了。至今为止,研制和出售X射线曝光装置的厂家只有美国的Micronix公司一家。但是,以生产集成电路的厂家和制造光曝光装置的厂家为中心进行的X射线曝光机研制     

铝基衬底全息光栅离子刻蚀的研究与试验

采用He—Ne激光器的全息光刻技术在玻璃板上得到了平面光栅。然后,它与另一个其上涂有光致抗蚀剂的铝膜基体的玻璃板紧密接触,两平板玻璃之间没有间隙。在紫外光下进行曝光。获得了抗蚀剂的光栅图形。再以该抗蚀剂光栅图形作为掩模,采用离子束蚀刻方法制造出反射光栅。 本文根据腐蚀出的样品,讨论了所得出的工艺参数及其计算方法,还介绍了初步的试验结果。     

制做集成电路芯片的工艺技术(四)

四、光刻工艺 光刻是在硅片或金属铝表面涂光致抗蚀剂,通过精细图形掩模曝光、显影、腐蚀成所需的图形,用来作扩散窗口或元件互联。最近已采用改进型扫描电子显微镜用计算机控制电子束,对电子光致抗蚀剂曝光。x射线、远紫外光也可用来曝光。这些技术可以制造几何图形小于光学分辨几何图形的器件。 生产典型的双极型集成电路要进行埋层扩散,隔离扩散,基区和电阻扩散,电路元件引线孔,互联图形,在钝化层开压焊孔等共七次光刻。因为管芯很小(0.04～0.3平方英寸),元件尺寸精度为0.0001英寸(2.5μ),这要求     

松下技研与λ物理公司共同开发高性能准分子激光器

松下技研与准分子激光器的大厂商人物理公司签订了设计高性能准分子激光器的共同开发合同。共同开发的激光装置是短波紫外光源，可在制造256MbitDRAM之类第二代半导体时用于分步扫描曝光装置。为了形成小于0．25urn的图形，需要波长小于250nm的光源，故使用波长248nm的KrF准分子激光。第二代半导体可在1997年大量生产，两公司计划于1996年8月开始提供商品装置。为防止半导体曝光装置因色差产生的模糊，需要光谱极窄的曝光光源。人物理公司拥有高可靠性、长寿命和低运转成本的准分子激光管“NovaTubeTm”的技术，而松下技研则掌握超窄带…     

不用大尺寸掩膜版的曝光机

V．Tech．公司开发了6、7代TFT-LCD生产线的不用大尺寸掩膜版的曝光机。该曝光设备只要设定基板第一层的图形之后，在不使用大尺寸掩膜版的情况下能够完成后面工序的曝光工艺；同时具有图形监测系统和许多个曝光光源，以及在基板移动方向上约5cm宽度的形成图形的掩膜版装置，可边移动基板边曝光，     

远紫外线曝光技术及其在设备上的应用

随着超LSI的集成度不断提高,最近亚微米加工技术正在引起人们的注意。普通光刻使用3500—4500(?)波长的紫外光,但对1μm以下的图形由于光干涉等原因是无法制作的,于是。扫描型电子束曝光,X线曝光方式的研究工作得到了迅速的发展。虽然一般光学系统也可使用更短波长的光,也可能制作出线宽1μm以下的图形,但是,光致抗蚀剂不适用3000(?)以下波长的光,也没有合适的曝光光源,1974年Stanford大学的G.C比的克隆用波长2000(?)以下的紫外光对     

西德同美国联合研制成准分子激光微光刻系统

<正>据《Semiconductor International》1988年5月号报道,考虑到对远紫外曝光需要的迅速增长,西德Lambda Physik公司与美国Acton公司联合一起,研制成单级准分子激光微光刻系统,并且其原型机已在AT&T贝尔实验室进行考核,在多晶硅上刻出了特征尺寸为0.5μm的图形。 该系统采用的单级氟化氪准分子激光器,能稳定发射2W的窄带紫外光,其波长为218.4nm(可调范围0.4nm),带宽0.003nm,带宽稳定度优于0.001nm。这个系统是采用光纤数     

亚微米图形曝光机

最近日本加农公司发表了一种用于超大规模集成电路的高精度投影曝光机,并已出售商品,以前人们普遍认为投影曝光方式,在大规模集成电路等微米领域的图形制作中是很有效的。但若用于超大规模集成电路等亚微米领域是不太可能的。加农公司采用综合透镜技术制出了超高分辨率透镜,进而打破了投影曝光方式不能用于亚微米技术的错误结论,成功地制出了亚微米图形曝光机。 用电子束或接触方式制作亚微米半导体器件一般是很有效的。但是,以激光和X线为光源的电子束方式,曝光时间太长。接触方式制备掩模太困难,成品率也低,因此都具有局限性。而投影曝光方式曝光时间短,又由于光掩模不与片子直接接触,所以成品率大大提高。 加农公司的这种新的亚微米图形曝光机不仅可以用作超大规模集成电路,也为超高频晶体管、CCD(电荷耦合器件)等新器件的研制开拓了新的途径。     

电子束作图装置HL—600系列

随着集成电路器件微细化的进展,采用电子束作图装置就越来越显得必要了。这种装置以往用来制作集成电路图形原版的掩模和一次版,其微细性和高精度已被人们所重视。最近,它作为直接在圆片上曝光制作集成电路图形的装置,与QTAT以及尖端器件的一部分微细图形加工用的装置——缩小投影曝光装置等混合使用了。为了探讨电子     

不同波段近紫外光在SU-8胶中穿透深度的研究

通过对SU—8胶近紫外波段下透射光谱的分析，得到不同波长近紫外光在SU—8胶中的穿透深度，并分析了不同波段近紫外光对SU—8胶微结构的影响，结果表明穿透深度大的近紫外波段曝光出来的图形质量好，深宽比大，侧壁陡直。     

缩小投影型曝光装置

日本尼康公司开发出与64M DRAM和256M DRAM相配套的准分子步进器“尼康缩小投影型曝光装置”。该装置采用准分子激光器作光源,以22mm~2的曝光范围,实现了0.3μm以下的高分辨率。