用STM在Si(111)7×7表面进行“有序移植”

我们用ＳＴＭ在低压大电流条件下对Ｓｉ（１１１）７×７表面进行了原子操纵研究，这种方法即可从表面提出原子而形成沟槽结构，又可将提出的原子重新植入样品表面形成一维凸起，在样品表面形成有序排列，从而成功地实现了对原子群体的“有序移植”     

用低能电子衍射研究氢离子轰击硅表面所产生的相变

文章描述了用低能电子衍射（ＬＥＥＤ）观察氢离子对碳杂质稳定的Ｓｉ（１１１）－（１×１）及清洁再构的Ｓｉ（１００）－（２×１）表面轰击，然后加热退火所产生的相变．实验发现：碳杂质稳定的Ｓｉ（１１１）－（１×１）表面经氢离子轰击并在８００℃退火后产生清洁再构的Ｓｉ（１１１）－（７×７）结构；而Ｓｉ（１００）－（２×１）表面经离子氢及氩的混合气体轰击后，在９００℃退火产生一个亚稳态Ｓｉ（１００）－ｃ（４×４）结构，进一步在７００℃退火后，我们得到一个稳定的Ｓｉ（１００）－ｐ（２×２）结构．文章对实验观察到的相变     

STM研究Si(111)7×7表面畴界结构

根据对Ｓｉ（１１１）表面各种不同畴界的研究，我们发现并提出了在畴界形成过程中决定这些畴界结构的三个重要因素：二聚体（ｄｉｍｅｒ）和顶戴原子（ａｄａｔｏｍ，亦称吸附原子）之间的相互作用；７×７单胞中层错半单元（ｆａｕｌｔｅｄｈａｌｆ）和非层错半单元（ｕｎｆａｕｌｔｅｄｈａｌｆ）的差异；亚稳态的（２ｎ＋１）×（２ｎ＋１）结构的影响。     

一种高效率的原子操纵方法

我们在恒流模式和扫描偏压不变的条件下，通过提高隧道电流成功地在Ｓｉ（１１１）７×７表面实现了原子操纵，这种方法具有较高的成功率和较快的操纵速率。其作用机理是：当偏压小于０．５Ｖ时，化学相互作用成为针尖和样品之间的主要作用；而当偏压大于０．８Ｖ时，场蒸发的影响则成为一个关键因素。     

Si(5,5,12)——一个大元胞的稳定表面

利用常规的ＬＥＥＤ和高分辨率的ＳＰＡ－ＬＥＥＤ技术研究了标称（３３７）的Ｓｉ表面原子结构．经过反复的离子轰击（７００ｅＶＡｒ＋）和１３００Ｋ退火之后的这种表面形成稳定的（５，５，１２）晶面，即结构周期为（３３７）＋（２２５）＋（３３７）的有序的原子排列．这一事实说明：Ｓｉ（５，５，１２）是比Ｓｉ（３３７）更为稳定的晶面．ＬＥＥＤ和ＳＰＡ－ＬＥＥＤ图像证实，稳定的Ｓｉ（５，５，１２）表面为（２×１）原子再构，即沿［１１０］方向的周期是体内结构周期的两倍，而沿［６６５］方向的周期与体内结构周期相同．     

自动张量低能电子衍射对GaAs(-1-1-1)-(2×2)表面结构的研究

本文通过对ＧａＡｓ（１１１）－（２×２）表面低能电子衍射（ＬＥＥＤ）Ｉ－Ｖ曲线的分析，首次定量地给出了该表面的复杂结构．结构的主要特征是Ａｓ三聚体单元吸附在表面Ｔ４位置并与下面的Ａｓ原子相键接，且表面存在较大的表面弛豫．对１０个非等价衍射束理论和实验强度曲线之间的比较得到很好的结果．     

自动张量低能电子衍射对GaAs()-(2×2)表面结构的研究

本文通过对ＧａＡｓ（１１１）－（２×２）表面低能电子衍射（ＬＥＥＤ）Ｉ－Ｖ曲线的分析，首次定量地给出了该表面的复杂结构．结构的主要特征是Ａｓ三聚体单元吸附在表面Ｔ４位置并与下面的Ａｓ原子相键接，且表面存在较大的表面弛豫．对１０个非等价衍射束理论和实验强度曲线之间的比较得到很好的结果．     

Pd／W／Si（111）双层膜形成硅化物的XRD研究

对Ｐｄ／Ｗ／Ｓｉ（１１１）双层膜系统在稳定退火条件下形成硅化物作了研究，实验结果表明：Ｐｄ／Ｗ／Ｓｉ（１１１）双层膜中Ｗ单层膜起了阻挡Ｐｄ－Ｓｉ原子互扩散的作用，随着退火温度的升高，Ｐｄ，Ｗ，Ｓｉ原子的互扩散不断进行，硅化物首先在Ｗ／Ｓｉ界面处生成。由于ＰｄＳｉｘ晶粒不断地长大，将Ｗ原子推到薄膜的外层，形成了Ｐｄ－Ｗ原子的分布反转。这样在Ｓｉ衬底的界面处形成了硅化物的浅接触，而薄膜的外层形成了...     

K对H_2O在Si（001）表面上吸附的影响

在Ｓｉ（００１）－２×１表面上沉积碱金属Ｋ，接着在室温下吸附一定量的Ｈ２Ｏ，光电子谱证明：Ｋ的存在有促进Ｈ２Ｏ分解和使Ｓｉ氧化的作用．但其作用是局域在Ｋ原子附近的．     

离子／电子混合导体Cu_xMo_6S_（8－y）的性能研究

本文通过对工艺条件的控制，获得了铜系混合导体材料Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ７、７、Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ８．０及Ｃｕ４Ｍｏ６Ｓ８．０．ｘ射线衍射物相分析表明为Ｍｏ６Ｓ８结构的单相，并采用分析化学方法对其化学计量进行了分析，通过测试得到了三种混合导体的总电导率σ和离子电导率σｉ·当混合导体Ｃｕ２Ｍ０６Ｓ７、７与固体电解质Ｒｂ４Ｃｕ１６Ｉ７Ｃｌ１３复合后可改善其电化学性能，复合比为２：１时，总电导率σ和离子电导率σｉ可达７５（Ω·ｃｍ）－１和７×ｌ０－２（Ω·ｃｍ）－１。     

有机薄膜衬底ITO透明导电膜的结构和光电特性

我们用反应蒸发法在氧分压２×１０－２Ｐａ、衬底温度８０～２４０℃条件下蒸发铟－锡合金，在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ膜，并研究了其结构和光电特性随制备衬底温度的变化．制备膜的最佳取向为（１１１）方向，迁移率为２０．７～３６．７ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１，载流子浓度为（１．７～４．４）×１０２０ｃｍ－３，适当调节制备参数，可得电阻率为６．６３×１０－４Ω·ｃｍ、在可见光区透过率达８２％的有机薄膜衬底ＩＴＯ膜     

离子束合成TiSi2薄膜及显微结构的研究

本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的ＴｉＳｉ２薄膜的微观结构，发现了一种新的ＴｉＳｉ２相，初步确定它为简单正交结构，点阵常数与已知的Ｃ４９－ＴｉＳｉ２相等，并发现新的ＴｉＳｉ２可向Ｃ４９－ＴｉＳｉ２转化；在８００℃条件下保温３０分钟，Ｃ５４－ＴｉＳｉ２可在Ｓｉ（１１１）基片上外延生长，取向关系为：「１２１」ＴｉＳｉ２「１１０」ｓｉ，（１１１）ＴｉＳｉ２（１１１）ｓｉ。     

CSD法制备PZT/Bi2Ti2O7薄膜的研究

用化学溶液分解（ＣＳＤ）法制备Ｐｂ（Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５）Ｏ３（ＰＺＴ）和Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７薄膜,利用Ｘ－射线衍射技术研究了以Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７为籽晶层的ＰＺＴ薄膜的结晶性。实验结果表明,以高（１１１）取向的Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７为籽晶层可获得高结晶性的ＰＺＴ薄膜,在７５０℃退火１０ｍｉｎ的ＰＺＴ／Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７薄膜具有单一的钙钛矿相。     

高迁移率Si／Si_（0．7）Ge_（0．3）／Si调制掺杂异质结构的生长和输运性质

采用计算机控制的快速辐射加热、超低压ＣＶＤ（ＲＲＨ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）方法生长了Ｓｉ／Ｓｉ０．７Ｇｅ０．３／Ｓｉｐ－型调制掺杂双异质结构．研究了该结构的输运性质，其空穴霍尔迁移率高达３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（３００Ｋ，薄层载流于浓度ｐｓ为２．６e１３ｃｍ－２）和８４００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（７７Ｋ，ｐｓ为１．１e１３ｃｍ－２）．     

用于自对准提升硅化物结构的Co/Si/Ti/Si及Co/Si/…Ti/Si多层薄膜固相反应研究

为了减小硅化物形成过程中消耗的衬底硅,提出添加非晶Ｓｉ的新方法,并探索了Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ及Ｃｏ／Ｓｉ（×７）／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜固相反应的两种途径．实验采用四探针、ＸＲＤ、ＲＢＳ等多种方法对固相反应过程进行了研究,对反应形成的ＣｏＳｉ２薄膜进行了测试分析,并探索了在ＳｉＯ２／Ｓｉ及图形片上的选择腐蚀工艺．结果表明,当选择合适的Ｃｏ∶Ｓｉ原子比,恰当的两步退火方式及选择腐蚀溶液,两种方法都可以形成自对准硅化物结构．研究了这两种固相反应过程,发现在一定的Ｃｏ∶Ｓｉ原子比范围内,这两种方法制备的ＣｏＳｉ２     

四极SIMS对Al_xGa_（1－x）As中Si的定量分析

本文讨论了用ＭＩＱ－１５６四极ＳＩＭＳ仪器对ＡｌｘＧａ（ｌ－ｘ）Ａｓ中Ｓｉ进行定量分析的实验方法，考察了测量结果的重复性及ｘ变化时ＳｉＲＳＦ的变化规律，在ＩＭＳ－４ｆＳＩＭＳ仪器上进行了对比测试，用Ｃｓ＋源对（２９）Ｓｉ的原子检测限达到４×１０（１５）ｃｍ（－３）．     

Sol—Gel法制备Li2B4O7薄膜

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法在以单晶Ｓｉ（１１１）为基底材料上制备出了Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７薄膜，对其工艺过程进行了研究，讨论了主要控制参数的作用。     

硅基GaN薄膜的外延生长

本文报道采用简便的真空反应法在Ｓｉ（１１１）衬底上生长出了六方结构的ＧａＮ单晶薄膜,并对ＧａＮ薄膜的表面形貌、结晶学性质和光学特性作了研究．ＳＥＭ表明外延层表面光亮平整,无裂纹出现,ＸＲＤ图谱上有一ＧａＮ（０００２）衍射峰,其半高宽为０．５°,室温下的光致发光谱在３７３ｎｍ处有一个很强的发光峰,其半高宽为８ｎｍ（３５．７ｍｅＶ）．     

钾7S态与基态铷原子的碰撞能量转移

在Ｋ－Ｒｂ混合蒸气中，使用Ｋ光谱灯和染料激光器，将Ｋ原子二步激发到７Ｓ态，用荧光法测量了过程Ｋ（７Ｓ）＋Ｒｂ（ＳＳ）→Ｋ（４Ｓ）＋Ｒｂ７２ＤＪ的碰撞转移截面。Ｒｂ７２ＤＪ对Ｋ７Ｓ的荧光比中含有Ｒｂ７２Ｄ能级混合的影响，第二个实验可以消除这个影响，利用Ｒｂ光谱灯和染料激光器产生Ｒｂ７２Ｄ３／２态，探测Ｒｂ７２Ｄ５／２对Ｒｂ７２Ｄ３／２的荧光比。在Ｔ＝４２５Ｋ时，得到Ｋ７Ｓ→Ｒｂ７２ＤＪ激发转移截面（１０－１４ｃｍ２单位）分别为２．０８±０．７７（＝３／２）和２．８６±１．０６（Ｊ＝５／２）。     

1.52μm红外光电探测器

利用ＰｔＳｉ与Ｐ－Ｓｉ接触，研制成功肖特基势垒红对光电探测器（简称ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ）。在液氮温度（７７Ｋ）下，对１．５２μｍ红外光，它的灵敏度为２．６９×１０－２Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％，反偏４Ｖ时的漏电流为５×１０－５μＡ。此外，对ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ的量子效率进行了计算机模拟计算。