高频测量硅单晶中少数载流子寿命的方法

少数载流子寿命、电阻率以及腐蚀斑点是衡量半导体材料品质的主要因素.对于硅来说,由于表面复合速度高,电阻率变化范围大,因此寿命的各种测量方法都很难达到一致.目前测量硅单晶中少数载流子寿命的方法有光电导衰减法、双脉冲法、光电流相移法、扩散长度法、光磁效应法……等等.其中以光电导衰减法的准确度最高,所以已成为标准的、采用最广泛的一种方法.在通常的直流光电导衰减法中,将电极连结到矩形或杆状等形状规则的样品两端,使一稳定的     

BSO晶体光电特性及光调制器的研究

本文对BSO晶体空间电光及光电导特性进行了理论分析,利用532nm、633nm波长的光进行了光电导及光调制的实验研究,实验结果与理论基本相符。     

掺GeZnSe的稳恒光电导及其局域性效应

在一定的温度以下 ,某些半导体材料的光电导效应在激发光源撤去以后会持久地保持下去 ,当温度升高超过这个温度 (称为淬变温度 )以后 ,这种持续的光电导现象会消除 ,称为稳恒光电导现象 .而且这种光电导效应具有很强的局域性 .采用电学测量方法 ,通过测量激光照射前后电导率随温度的变化研究了掺 Ge的 Zn Se的稳恒光电导效应 ,结果发现淬变温度高达 2 1 0 K的稳恒光电导效应 .并通过研究光电阻随光照位置变化的趋势研究了这种光电导的局域性特性 ,结果发现在淬变温度以上局域性随稳恒光电导消失而消失     

掺Ge ZnSe的稳恒光电导及其局域性效应

在一定的温度以下,某些半导体材料的光电导效应在激发光源撤去以后会持久地保持下去,当温度升高超过这个温度(称为淬变温度)以后,这种持续的光电导现象会消除,称为稳恒光电导现象.而且这种光电导效应具有很强的局域性.采用电学测量方法,通过测量激光照射前后电导率随温度的变化研究了掺Ge的ZnSe的稳恒光电导效应,结果发现淬变温度高达210K的稳恒光电导效应.并通过研究光电阻随光照位置变化的趋势研究了这种光电导的局域性特性,结果发现在淬变温度以上局域性随稳恒光电导消失而消失.     

GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭。实验发现非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者的却有明显减小;稍后再次加淬灭光前者的持续光电导无变化,而后者的有明显增加。我们认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭;认为掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位。     

两种不同方法测试HgCdTe材料少数载流子寿命

通过传统光电导衰退法和微波反射光电导衰退法两种方法对长波、中波及短波碲镉汞材料进行了载流子寿命测试,并对结果进行了比较。通过对比发现这两种方法测得的中波和短波材料的结果相差不大。但是对于长波材料,载流子寿命测试结果相差比较大,主要是因为长波材料寿命比较小,在相同的光激发条件下和偏流下,光电导灵敏度小,从而导致测出的信号小,在拟合的过程中偏差较大,导致载流子寿命相差较大。另外,用两种方法在同一短波材料的不同区域进行测试,传统光电导衰退法在材料电极附近测试结果明显偏小,电极区载流子寿命不到其他部分的50%。说明传统光电导衰退法测试载流子寿命受电极的影响比较大。     

GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再次加淬灭光,前者的持续光电导仍无变化,而后者却明显增加.作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位.     

Bi12Sio20晶体暗电阻率与光电导率的测量

Bi_(12)SiO_(20)晶体是光电导电光晶体,主要用于体全息存储。它的暗电阻率与光电导率又是表征其存储特性的指标之一。 本文介绍Bi-(12)SiO_(20)晶体的暗电阻率与光电导率的测量方法和本所晶体之测量结果。表明本所研制的Bi-(12)SiO-(20)晶体与国外的水平相当。 本法简单可靠、易推广。     

金纳米棒结构太赫兹光电导天线设计

由于光电导天线的太赫兹(Terahertz THz)辐射效率较低,根据光电导天线设计原理设计了一种新的光电导天线结构,该结构在蝶形光电导天线电极间隙处增添了金纳米棒阵列,阵列按正三角形排列,通过时域有限差分法(Finite Difference Time Domain, FDTD)对所提结构和蝶形光电导天线结构进行仿真模拟。模拟结果表明此结构与蝶形光电导天线相比,光吸收率提高了269%,电场强度提高了985%,光电流提高了两倍。研究结果为实现太赫兹光电导天线的高功率转换效率提供了一种有前景的方法。     

采用硅酸铋晶体的可程序光波导器件

本文提出并演示了一种由可用光写入或擦去的二维光折射率图形构成的新型光波导器件。这种可程序光波导器件综合利用硅酸铋的三种物理性能,即:大电光效应,与波长密切相关的光电导效应和具有长载流子俘获时间的高暗电阻率。     

用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的奇特光电导现象

报道了用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的一种奇特光电导现象.GaAs光电导开关的电极间隙为4mm,当偏置电场分别为2.0和6.0kV/cm时,用脉冲能量为0.8mJ,宽度为5ns的激光触发开关,观察到开关输出的线性和非线性工作模式.当偏置电场增至9.5kV/cm,触发光脉冲能量在0.5～1.0mJ范围时,观察到奇特的光电导现象,开关先输出一个线性电脉冲,经过大约20～250ns时间延迟后,触发光脉冲消失,开关又输出一个非线性电脉冲.这一奇特光电导现象的物理机制与半绝缘GaAs中的反位缺陷和吸收机制有关.分析计算了线性与非线性电脉冲之间的延迟时间,结果与实验观察基本吻合.     

利用布里渊散射进行目标探测

介绍利用布里渊散射的目标探测技术。讨论了在海水和大气中的布里渊散射基本理论。主要介绍布里渊散射谱的三种测量方法：法布里-珀罗干涉仪探测法、边缘探测法、光拍频探测法,并对这些方法进行了对比和分析。     

光源色度快速测量方法探讨

为实现光源色度的快速测量,提出了一种基于三基色原理的测量方法。待测光源发出的光依次通过三基色滤光片照射到光电传感器上,光电传感器输出电流信号转化为电压信号,通过V/F转换处理,由单片机系统实现数据采集和处理,得到光源色度的三刺激值和色品坐标,从而实现光源色度的快速测量。     

利用BSO晶体实现光电光调制

本文研究了BSO晶体的电光效应和光电导效应,并利用这两种效应实现了光-电-光调制。     

非晶硅光电导层交流电阻率的研究

利用等效电路,估算出高性能液晶光阀对非晶硅光电导层交流电阻率的要求。用化学气相沉积法在最佳工艺条件下制备了非晶硅薄膜,测量了样品的交流电阻率。结果表明,非晶硅薄膜的交流电阻率随照射光的波长增大而先减小后增大,随功率密度、衬底温度和射频功率的增大而减小。样品的交流电阻率满足高性能液晶光阀光电导层的要求。     

半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性

研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性 .当触发光能量和偏置电场不同时 ,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同 ,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型 .通过对击穿实验结果的分析认为 ,电子俘获击穿机制是导致半绝缘GaAs光电导开关击穿损坏的主要原因 .偏置电场和陷阱电荷所产生热电子的数量和动能决定了Ga—As键的断裂程度 ,Ga—As键的断裂程度则反映半绝缘GaAs光电导开关的击穿类型     

半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性

研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性.当触发光能量和偏置电场不同时,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型.通过对击穿实验结果的分析认为,电子俘获击穿机制是导致半绝缘GaAs光电导开关击穿损坏的主要原因.偏置电场和陷阱电荷所产生热电子的数量和动能决定了Ga-As键的断裂程度,Ga-As键的断裂程度则反映半绝缘GaAs光电导开关的击穿类型.     

高电阻率CdSSe光电导薄膜

采用真空热蒸发工艺,用掺杂(Cu,Cl)敏化的方法制备高电阻率的CdSSe 光电导薄膜。并测试了不同制备条件和不同热处理工艺下样品的光电导性能。最后讨论了主要的制备工艺参数对 CdSSe 光电导性能的影响。用这种工艺制备的 CdSSe 光电导薄膜,用于液晶光阀空间光调制器件上,得到了很好的效果。     

砷化镓汽相外延层-衬底交界面上高阻区中的深能级

为了弄清在 GaAs 汽相外延层和衬底交界面之间引起高阻层的深中心的能级,确立了三种测量方法:(1)肖特基势垒电容与时间的关系,(2)肖特基势垒反向电流与温度的关系,(3)高阻区的光电导。在不同温度下测得的电容随时间变化,从中可以发现,在深阱处的电子激活能大约为0.89电子伏。当耗尽层夹在高阻区内时,则肖特基势垒的反向电流比起通常的反向电流约大三个数量级。有关反向电流与温度的关系以及高阻区中光电导光谱的测量结果表明,在价带上面存在着三个深能级,其范围大约为0.3～0.6电子伏。在高阻区,观察到了非本征负光电导。     

超短光脉冲的测量

1　前言　　飞秒级超短光脉冲的产生技术与脉冲形状及频率啁啾测量方法的研究一同发展起来。适用于这种超短光脉冲的测量方法仅有非线性相关法。其中 ,使用二次谐波产生晶体的强度自相关法正被广泛用于超短光脉冲波形测量。在该法中 ,使被测光脉冲产生一可变的时间延迟 ,使用由非线性光学晶体产生的二次谐波来测量两个脉冲的重合。该法虽然不能测量光脉冲的正确形状 ,但可获得脉冲的大概宽度。相对于此 ,近年提出了基于光电二极管及发光二极管的双光子吸收的自相关测量方法。该法通过测量双光子吸收电流来获得与二次谐波产生测量方法同样的…