SnO_2半导体陶瓷酒敏器件的金属与半导体欧姆接触

本文着重讨论了SnO_2半导体陶瓷酒敏器件的金属与半导体(简称金-半)欧姆接触问题。参照元素半导体器件中电极与半导体之间实现欧姆接触的惯用做法,采用金-n~+-n结构来实现金属电极和SnO_2半导体陶瓷之间的欧姆接触。实验结果表明:采用这种结构,可以有效地抑制由于器件的金属电极与半导体接触而引起的不良影响,能更好地体现SnO_2敏感材料自身的特性,对于提高器件的一致性和产品的成品率都有重要的作用。     

接触电阻和扩展电阻测量方法的研究

<正>本文简述了金属-半导体欧姆接触的接触电阻和半导体内的扩展电阻的测量方法.金属在半无限大半导体上形成欧姆接触,其总电阻R_t包含接触电阻R_c、扩展电阻R_d和测量系统电阻R_o三部分.可由改进测量方法使R_o忽略不计,进而将R_c和R_d分开,从而较准确地获得了接触电阻率P_c和半导体的体电阻率P_b.直径为d的圆形接触的总电阻是     

Ⅲ—V族化合物半导体欧姆接触研究的进展

本文介绍一种解释欧姆接触的比接触电阻ρ_c的新模型。并从理论上分析了利用RF溅射清洗半导体表面可使ρ_c降低的机理。     

平面型器件欧姆接触的衡量——圆形传输线模型外推法

本文提出一个衡量平面型器件欧姆接触的新方法——圆形传输线模型外推法.样品无需台面绝缘,只须一次合金化即能完成测试结构图形.用圆形传输线模型导出了测量接触电阻率ρ_c的表达式,以硅和砷化镓两种半导体材料进行验证,与线性传输线模型的结果一致.讨论了接触电极之下与接触电极之外薄层电阻差异的影响.     

单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率

本文提出一种用直线四探针测量金属/半导体欧姆接触的接触电阻率ρ_c的简捷方法──单点圆形模型。样品制备只需一个圆形金属电极,导出了ρ_c的表达式。如果样品不是半无限大,而是有一定厚度的薄片,则必须进行修正,给出了导电与绝缘界面两种情况的修正因子。根据这个模型,进行实验测量和计算,所得结果与文献报道一致。     

n型GaN欧姆接触的研究进展

Ⅲ-Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件等方面的应用潜能而被广为研究.其中,低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键.金属/GaN界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能及可靠性的一个问题.对于各种应用来说, GaN的欧姆接触需要得到改进.通过对相关文献的归纳分析,本文主要介绍了近年来在改进n-GaN工艺,提高欧姆接触性能等方面的研究进展.     

非零金属电阻值和合金化对确定比接触电阻值的影响

水文提出用圆环测试结构和双传输线模型确定金属-半导体欧姆接触的比接触电阻ρ_C值。考虑了金属电阻值不为零和合金化后金属接触下方半导体电阻率的改变对确定比接触电阻值的影响,导出了计算比接触电阻值的公式。用提出的方法对实验样品进行测量和计算,并将结果与文献中报道的方法所得结果作了比较。     

Ⅲ～Ⅴ族化合物半导体欧姆接触理论和工艺述评

本文评述Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触工艺。首先介绍了金属-半导体接触(肖特基势垒)内电流输运的基本原理。所研究的电流输运方式是越过势垒的热离子发射和隧穿过势垒的热离子场或场发射。特别注意决定导电主要方式的温度和掺杂浓度这两个参数。当基本的导电方式从热离子发射为主转变到隧穿为主时,接触的电流-电压特性亦从整流性变到欧姆性。然后描述制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触的实验技术。讨论了适用于特定器件的接触问题。最后,讨论Ⅲ-Ⅴ混晶接触的困难。     

GaAs—GaAlAs双异质结发光管的欧姆接触

一、前言欧姆接触是制管工艺的主要环节之一,欧姆接触的好坏对器件性能有很大的影响。为了使所需的电压电流顺利地加到发光器件上,发光二极管必须具有N面和P面电极。电极和器件之间应形成良好的欧姆接触。良好的欧姆接触应具备下列条件:(一)具有低的接触电阻;(二) 电极材料不宜过深掺入半导体内,由于制作接触电极而引起的半导体结构上的变化不致于引起器件其他特性的变化;(三) 电极和半导体接触面必     

PTC陶瓷欧姆接触银电极的研究

影响银电极欧姆接触的主要因素是:电极浆料的组成和形成过程。通过实验,获得了接触电阻小,表面光洁,附着力和焊接能力均好的欧姆接触银电极。探讨了PTC陶瓷欧姆接触电极材料的评价方法,认为采用接触电阻比ρ_c/ρ_0作为比较参数较为合适。     

AuGeNi/n—InP欧姆接触研究

本文对金属—n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触的接触电阻进行了理论分析,研究了AuGeNi/n-InP欧姆接触的电学特性、冶金性质和组分分布,其最佳工艺条件已用于器件制造.     

金属Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体欧姆接触特性及其测试方法

<正> 一、引言Ⅲ-V 族化合物半导体材料和器件的研制及应用在过去的十几年中得到了迅速的发展。随着Ⅲ-V 族化合物半导体器件的广泛应用,人们对这些材料的欧姆接触的低阻性、重复性、稳定性和可靠性的要求越来越高。大量的实验结果和理论分析表明:良好的欧姆接触不仅可以改善器件的性能,而且还有利于提高器件的使用寿命。十多年来,人们在这方面做了大量细致的研究工作,取得了许多有用的实验结果。这些结果表明,要想得到低电阻、高可靠的欧姆接触还是器件制作工艺中的一道难题。最近,为获得良好的金属-Ⅲ-V 族化合物半导体欧姆接触,已发展了一些较新的制作工艺。虽然这些工艺还在研究中,但是从发展来看,这     

VLSI中金-半接触系统及其可靠性

半导体器件和集成电路,必须有一个电极系统传递功能作用.它包括三个部分:金属与半导体的接触和多层布线(这部分统称金属化系统)、引线键合、芯片与底座的欧姆接触.在半导体器件的发展过程中,金—半接触系统始终是十分关键的,它直接关系到器件的成品率与可靠性.     

化学沉积电极与BaTiO3系PTCR半导瓷的欧姆接触

研究了在BaTiO3系PTCR半导体陶瓷上化学沉积镍和铜电极的接触电阻及稳定性，并与烧渗Ag-Zn、烧渗Al电极进行了比较。根据实验结果，用量子力学从理论上讨论了欧姆接触的可能模型，提出场发射是金属－半导体陶瓷形成欧姆接触的机理之一。陶瓷表面经过处理后，元件的电性能要发生一些变化，但不会恶化陶瓷的体性能。     

金属硅化物-硅接触

一、引言 金属硅化物-硅接触是一种新的半导体技术,属于金属-半导体界面合金化的新内容,它代表着金属-半导体接触发展的新动向。 在当前的硅工艺中,国内普遍采用Al、Au、Ag等金属作为接触(互连)材料,其中以Al为最佳。这故然有不少优点,但是也存在着很多问题,主要是表面沾污对界面特性的影响以及热处理对整流接触与欧姆接触     

AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制

研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· cm2 的欧姆接触。实验结果表明 ,Al Ga N/Ga N上低阻欧姆接触的制备及其工艺兼容性是Ga N HFET器件研制的技术难点     

测量计算金属-半导体接触电阻率的方法

如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要.介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最新的研究进展进行了评述和归纳.综合多种因素考虑,认为圆点传输线模型是一种较好的测量金属半导体接触电阻率的方法.     

p—GaP与Au／Zn／AuSb的欧姆接触

用 SEM,AES 和 XRD 研究了 Au/Zn/AuSb 多层金属结构与 p-GaP 在525℃合金化4min 后,它们所形成的金属一半导体层的基本特性。当 GaP 的 p 型层空穴浓度是5×1.0~(18)cm~(-3)时,测量出它的比接触电阻是4×10~(-4)Ω·cm~(-2)。它比 AuZn 合金所形成的比接触电阻降低了一个数量级,从而形成了良好的金属-半导体欧姆接触。     

金属/氮化物肖特基势垒和欧姆接触研究进展

金属 /氮化物肖特基势垒和欧姆接触是蓝紫光光学器件及高温大功率电子器件中的关键工艺。氮化物半导体是一种极性材料 ,表面态密度较低 ,费米能级钉扎效应较弱 ,表面处理能显著影响接触特性。样品表面的沾污和氧化层也会使接触特性显著退化。宽禁带材料的杂质离化能高 ,重掺杂比较困难。深能级陷阱对载流子的俘获效应很强。这些因素都增加了接触的制作难度 ,促使人们寻求新的方案来改进接触特性。文中从金属 /半导体接触的物理模型出发来综述肖特基势垒和欧姆接触的研究进展 ,希望能给器件研究者提供新的思路。     

Ni基n型SiC材料的欧姆接触机理及模型研究

研究了Ni基n型SiC材料的欧姆接触的形成机理,认为合金化退火过程中形成的C空位(Vc)而导致的高载流子浓度层对欧姆接触的形成起了关键作用。给出了欧姆接触的能带结构图,提出比接触电阻ρC由ρC1和ρC2两部分构成。ρC1是Ni硅化物与其下在合金化退火过程中形成的高载流子浓度层间的比接触电阻,ρC2则由高载流子浓度层与原来SiC有源层之间载流子浓度差形成的势垒引入。该模型较好地解释了n型SiC欧姆接触的实验结果,并从衬底的掺杂水平、接触金属的选择、合金化退火的温度、时间、氛围等方面给出了工艺条件的改进建议。