中子辐照硅的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法研究了１．４５×１０＾２０ｎ／ｃｍ＾２和３．１０×１０＾１７ｎ／ｃｍ＾２快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在３４３－１０７３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧－空位对和在高中子剂量辐照的Ｓｉ中发现的双空位复合成四空位。正电子湮没短寿命成分τ１是晶格正电子寿命和氧－空位对捕获的正电子寿命的加权平均值，而长寿命成分τ２是双空位或四空位捕获的正电子     

低温下正电子在GaAs和中子辐照硅中的湮没特性

在80～300K的温区范围内测试了掺铬、掺碲的砷化镓单晶及中子辐照后高阻P型直拉硅及区熔硅的正电子湮没寿命谱。谱仪的FWHM为350ps,每个数据点的积分计数约10~6。实验结果如图1所示。     

正电子在高能电子辐照聚乙烯和聚丙烯中的湮没特性

用正电子湮没寿命谱和多普勒展宽方法研究高能电子（12MeV）辐照聚丙烯和聚乙烯的不同特性，发现在160kGy剂量内，正电子在聚丙烯内的短寿命成分随着电子辐照剂量的增大而变长，中间成分的强度则减弱，但当剂量为320kGy时，各湮没寿命与没有辐照的样品类似。而长寿命成分的强度不随剂量增加而变化。在电子辐照的聚乙烯薄膜中，当剂量为80kGy时，正电子中间寿命强度I2增加，长寿命成分的强度I5则有所减少。之后，随着电子辐照剂量的增加，则不再变化。正电子湮没γ射线多普勒展宽S参数随电子辐照聚乙烯的剂量变化与I5相同。正电子湮没特性的差别表明高能电子辐照这两种聚合物所引起结构上的变化是不同的，并为其宏观特性（如力学性质变化）的改变提供了微观依据。     

γ辐照接枝聚四氟乙烯特性和自由体积的关系

用正电子湮没技术研究在聚四氟乙烯照接技过程中的自由体积与正电子湮没寿命谱的关系。吸收剂量,吸收剂量率以及辐照环境等对接枝率有明显影响。而正电子湮没寿命可十分敏感地反映接枝率的变化。接技率的变化规律可用自由体积模型解释。用扫描电子显微镜对样品进行了观察比较。     

裂变快中子辐照在GaAs中产生缺陷的正电子湮没研究

采用自电子湮没寿命测量方法研究了注量为６．５×１０＾１５／ｃｍ＾２和１．４×１０＾１４／ｃｍ＾２，Ｅｎ≥１ＭｅＶ的裂变中子辐照在掺Ｓｉ，Ｎ型单晶ＧａＡｓ产物的缺陷，此辐照在ＧａＡｓ中产生单空位和双空位缺限，缺陷浓度于比于辐照注量，高温退火产生三空位缺陷及小空位团，单空位，双空位和三空位缺陷的退火温度分别为２５０，４５０，６５０℃。     

中子福照硅单晶正电子捕获的温度效应

用正电子湮没寿命测量方法研究了在中子辐照硅单晶缺陷中正电子捕获的温度效应。寿命谱被成功地分成两个组分,长寿命组分在109—300K的温度范围有325±9 ps的常数寿命值,它被认为是在负荷电双空位捕获的正电子寿命。正电子捕获率显示一个强的负温度效应.这个捕获特征能用正电子在负荷电双空位的级联捕获来描述。在低温区正电子捕获截面以T~(-1.7)随温度变化。     

辐照接枝氟塑料的正电子寿命谱研究

用正电子湮没寿命谱研究了对聚四氟乙烯和聚合氟乙丙烯进入γ辐照接枝的反应机理。结果表明：γ辐照和辐照接枝使聚合物的凝聚态结构发生了变化。随着辐剂量的增加,接枝率不断提高,而正电子湮没长寿命产生明显改变。说明了辐照接枝主要发生在非晶区以及非晶区和晶区的交界处,将实验结果与红外光谱进行了比较。     

中子辐照GaAs的变温正电子寿命研究

用正电子湮没寿命谱研究中子辐照前后半绝缘ＧａＡｓ在等时退火过程中的缺陷行为．发现辐照后的样品大约从７０℃起空位－填隙子对和空位－反格点缺陷开始复合．５００℃前空位和空位团可消除．７４０℃后可能会重新产生缺陷。ＶＡｓ是一种浅势阱，对正电子的束缚能大约为０．０３１－０．０３２ｅＶ。     

国产改进型不锈钢的辐照损伤随辐照温度变化研究

不锈钢常用作散裂中子源的靶结构材料。散裂中子源系统是ADS系统中的重要组成部分之一，为驱动次临界装置提供源中子。在ADS散裂中子源系统中，不锈钢(S．S．)用于束窗及靶材料，材料将受到高能、高强度的质子或／与中子辐照，年积累位移损伤剂量可达几百dpa。不锈钢的辐照损伤与辐照温度及剂量有关。     

85MeV^19F离子辐照GaP的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命技术研究了2.4×10     

正电子在不同结晶度Teflon中的湮没特性

本文通过寿命谱和多普勒增宽谱测量来了解正电子在不同结晶度Teflon中的湮没机制。同时为获得长寿命驻极体提供信息。用FWHM=440ps的寿命谱仪测量了由等温退火和淬火而获得不同结晶度的Teflon样品。用X衍射测得等温退火样品的结晶度为74％称TEF~((c)),而淬火样品几乎看不到结晶峰称TEF~((α))。用对~(106)Ru的分辨率为1.14keV的高纯锗测量两种不同结晶度的多普勒增宽谱,算得S参数见表。     

用正电子湮没技术研究新锆合金包壳的离子辐照效应

国产Zr-Sn-Nb系新锆合金SZA-4和SZA-6是CAP1400大型先进压水堆包壳材料的主要候选材料,对其辐照性能的研究可为制备工艺改进提供科学依据。在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器辐照终端,在300 ℃温度下,用100 MeV的Fe束流对两种新锆合金包壳管材进行5 dpa剂量辐照。辐照前后的正电子湮没寿命测量表明：两种样品辐照前湮没寿命为Zr中单空位寿命,表明管材制备过程中最后的退火温度和时间尚未完全消除加工引入的缺陷;两种样品辐照后的正电子湮没寿命减小,分析表明这是由于辐照导致Fe在锆合金中重新分布,主要分布在bcc结构的β-Nb沉淀相颗粒与hcp结构的α-Zr基体之间具有开空间的相界,正电子被相界捕获,与周围Fe原子电子湮没,造成湮没寿命减小。     

85 MeV19F离子辐照InP正电子湮没研究

用正电子湮没寿命技术研究了注量为１．６＊１０＾１６ＣＭ＾－２Ｒ ８５ＭｅＶ＾１９Ｆ离子辐照ＩｎＰ产生的辐照效应。实验表明辐照在ＩｎＰ中产生单空位型缺陷。     

半导体中的正电子湮没研究

根据Brandt-Reinheimer模型,用一个与禁带宽度有关的增强因子f(r_i,E_g)来考虑半导体中出现的禁带,而与正电子发生湮没的价电子,则仍然被当作自由电子气,得到半导体中正电子湮没的寿命:     

辐照LiF单晶的色心研究

LiF晶体是一种新型的激光物质,辐照能使其产生色心。我们用吸收光谱和湮没辐射多普勒展宽方法作了研究。     

中子辐照直拉硅退火后的施主行为

利用多种实验手段对中子辐照直位硅退火过程中特有的施主效应进行了研究；探讨了不同中子辐照注量以及氧对施主形成的影响；报道了低于７５０℃热处理所产生的“施主平台”现象。实验结果表明，该施主在禁带中产生￣４３ＭｅＶ的浅施主能级，它的结构为辐照缺陷与硅、二氧化硅以及碳等组成的亚稳态络合物，其电话性起源于硅和二氧化硅沉淀的界面态。