SAW用的LiTaO_3单晶的生长

X切割112°YLiTaO_3单晶是用作TV-IF滤波器的最有用的基片材料之一。为了生长供SAW器件使用的LiTaO_3单晶,用提拉法研究了大直径低成本的LiTaO_3单晶的生长条件。用廉价的Pt-Rh坩埚成功地生长出了直径40—50毫米、长50—60毫米的大的LiTaO_3单晶。测量了室温下LiTaO_3单晶的弹性、压电和介电常数。     

SAW器件用100毫米LiTaO_3单晶片

采用LiTaO_3单晶基片的SAW器件,自1977年首次实现电视用SAWIF滤波器的商品化以来,对以SAWIF滤波器和VTR用SAW振子为中心的SAW器件的需求量迅速增加.图1为全世界民用SAW器件的生产发展和对今后需求量的预测.     

弹性表面波用LiTaO_3单晶

因为弹性表面波(简称SAW)器件具有容易实现小形、轻量、高频率的优点,所以近几年进行了大量研究,目前进入实用阶段的器件也多起来了.因为其中的电视图象中频滤波器(TV-PIF滤波器)具有毋需调整、元件数量少、省工等优点,所以也增加了在各种电视机中的用量.     

SAW器件用的L_1TaO_3单晶的生长

用提拉技术并用经济的Pt-Rh坩埚代替高价的Ir坩埚能成功地生长了直径2.5—3.0吋长约4—5吋的大的“SAW级”LiTaO_3单晶.由于坩埚中的Rh杂质使生长的晶体呈深褐色到浅黄色.测定了光吸收、Rh杂质浓度和生长状态之间的共系并进行了讨论,并与Ir坩埚生长的晶体作了比较.从组分变化、SAW特性的再显性、器件制作的适用性等方面断定生长大晶体比较经济,这种晶体的质量可满足SAW器件的应用     

LiTaO_3单晶热释电红外传感器

最近微型计算机在信息处理系统中也有了令人瞠目的发展.廉价,高性能微型处理机的出现给我们的家庭生活也带来了大的影响.现在家庭里也正在出现装载微型处理机的电子灶、电视等.在这样的社会中,与研究信息处理系统的活跃性相比较,这种给信息处理系统提供信息的各种传感器的研究现在还完全不能满足信息处理机的要求.     

LiTaO_3基片SAW传输的方位特性

众所周知,传输特性是SAW器件应用中的基本特性.本文通过任意地改变切向和传输方向计算了LiTaO_3的瑞利波特性.结果示出了等速.等功率流角、等机电耦合系数、等延迟时间的温度系数的一系列曲线.从这些图形可知,具有任意切向和传输方向的每一个基片的SAW传输特性.因此,这些图形有助于选择新的LiTaO_3基片.另外还把X切、Y切、Z切LiTaO_3的温度系数的计算值与所报导的实验值进行了比较 得到了很好的一致性.     

采用LiTaO_3单晶的激光能检测器

近年来,随着热电材料的发展,热电型红外传感器的灵敏度和响应速度有很大提高,并达到了相当高的水平。这种传感器能在常温下使用,与其它热型传感器相比具有高速、高灵敏度的特点。因此,人们还研究了热电型红外传感器在红外领域的激光检测器上的应用。     

用于表面波器件的LiTaO_3晶体的生长

使用廉价的Pt/Rh坩埚代替贵重的铱坩埚,用提拉法能成功地生长出大的“表面波级”单晶,直径可达2.5～3.0英寸,长4～5英寸。由于坩埚中铑杂质的原因,长出晶体的颜色是从深褐色到浅黄色。对于光吸收、Rh杂质浓度和生长情况之间的关系进行了研究和讨论,并与从铱坩埚生长晶体的情况进行了比较。为了用廉价生长的大单晶做器件,所以对晶体组分的变化,表面声波(SAW)性质的重复性和可靠性进行了检验,发现这种晶体非常适合于SAW器件的应用。     

用感应加热生长LiTaO_3单晶的温场

拉制大直径LiTaO_3晶体,必须要低温梯状态的热场。本文叙述了高频感应加热对坩埚形状、后加热器、热反射罩、保温材料等的选择与设计。用园柱形坩埚、Pt-Rh反射罩及辅助加热环,能获得比较理想的低温梯状态的热场,成功地生长出φ42×55毫米、重约700克的大的LiTaO_3单晶。     

低损耗LiTaO_3单晶的介电和热释电性能

用Sawyer电滞电桥测得了室温下LiTaO_3单晶的电滞回线,由此算得自发极化强度P_s=50±25μC/cm~2,矫顽场强E_o=1.8×10~4 V/cm。测量了用提拉法生长的LiTaO_3单晶的介电常数、介电损耗和热释电系数。测量结果表明,LiTaO_3单晶的介电损耗tanδ可以低达3×10~(-4),适用于制作热释电红外探测器。极化条件对热释电系数的影响很大,极化良好的晶体在室温下的热释电系数为2.2×10~(-8)C/cm~2·K。     

金刚石膜SAW器件

Sumitomo Electric USA Inc.推出的 SAW器件采用了金刚石薄膜以提高 SAW速率 ,从而实现石英所不能达到的 2～ 3.8GHz的高频。该器件插损 <1 0 d B,Q值为 2 50～ 1 50 0 ,并具有良好的温度特性 (即 - 45～ 85°C范围内 <1 50× 1 0 -6)和较小的相位斜度。其应用领域包括 VCSO、IF滤波器、时钟和数据恢复以及W- CDMA导频信号处理等。金刚石膜SAW器件@袁小平     

SAW/CCD器件

SAW与CCD技术相结合可取长补短,因此,较之单纯的SAW器件,这种组合技术可完成多种独特的更加理想的模拟信号处理功能,如:缓冲存贮、相关及可程序匹配滤波等。本文将简要叙述此项技术的特点和工作原理,并介绍国外几种典型器件及其性能。     

SAW器件频域测试

使用表面波器件,必须进行频域测量,决定器件的阻抗,振幅以及相位特性。一种能够得到表面波换能器阻抗的途径需要三个步骤:1、用专用的探示台和灵敏电容测试器测量极间电容 C_T。2、用同样的设备测量 Q 值,来确定电极电阻 R_(?)。3、用矢量阻抗计或者网络分析仪测量辐射电阻 R_a。     

SAW器件的频率调整

本文介绍几种调整高频窄带SAW器件中心频率的方法:激光修整金属条带,紫外光辐射SiO_2复盖膜和激活聚合物.     

KNbO_3单晶在器件上的应用

对于 KNb O3(KN )单晶的压电特性 ,Zgonik已求出了它所有的材料系数 ,但尚未在器件上应用。关于 KN的 SAW传播特性 ,山之内等人以 Zgonik的数据为基础进行了理论分析 ,并做了在 KN基片上形成梳状电极的实验。结果 ,在 θ=0°,即 Y切 X传时获得了高达 0 .5 3的机电耦合系数 ,约是 L i Nb O3的 10倍。而 k2 越大 ,制成滤波器的带宽越宽。山之内的计算还表明 ,使用 KN晶体有可能获得 40 %的相对带宽。另外 ,该单晶在室温附近还显示了频率温度特性几乎为零的切向。这表明 ,KN单晶可制成迄今性能最好的 SAW器件。中村等人还计算了在体…     

SAW器件封装技术概述

小型化和多功能化是SAW器件发展的主要动力。文章回顾了SAW器件封装的发展历史,介绍了金属封装、塑料封装、SMD封装各自的特点,详述了芯片倒装技术及芯片尺寸SAW封装(Chip Sized SAW Package,CSSP)技术,将通用芯片倒装技术(Flip Chip Bonding,FCB)和SAW封装的特点结合,使封装尺寸减小到极限。然后对今后的复合封装进行了展望。     

SAW器件用于彩电调谐

日本日立有限公司已首次将高频声表面波(SAW)器件用于彩色电视机的合成调谐装     

SAW器件封装技术概述

小型化和多功能化是SAW器件发展的主要动力,回顾了SAW器件封装的发展历史,介绍了金属封装、塑料封装、SMD封装各自的特点,详述了芯片倒装技术及芯片尺寸SAW封装技术,将通用芯片倒装技术和SAW封装的特点结合,使封装尺寸减小到极限,对今后的复合封装进行了展望。