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元器件的封装气氛及内部材料物质对其内部水汽含量的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
许桂芳 《试验技术与试验机》2004,44(3):42-44
由于元器件的内部粘接材料的组成不同及其封装气氛的不良导致元器件内部水汽含量过高,会引起元器件内部锈蚀,氧化。进而导致元器件性能不稳定,影响其可靠性。本文通过研究一些粘接材料的成份,及元器件的封装气氛,从大量的试验数据分析中,探讨影响内部水汽含量不合格的原因。 相似文献
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聂磊武丽丽黄一凡刘梦然刘江林 《仪表技术与传感器》2023,(1):38-43
TSV三维封装内部缺陷难以用传统方法检测。然而其内部缺陷的存在会导致热阻发生变化,对系统温度分布产生影响,因此可以通过对红外图像的分析达到对缺陷进行识别及定位的目的。文中研究了缺陷对温度场的影响,分别通过理论分析、有限元仿真及实验方法对TSV三维封装系统进行了热-电耦合分析,得到了缺陷铜柱类型及位置不同时的温度分布数据集,搭建了卷积神经网络(CNN)模型对2组数据集单独进行分类预测。实验结果表明:利用仿真数据集与试验数据集分别对CNN模型进行特征训练,得到的缺陷识别与定位准确率为98.65%,98.36%。由上可知,缺陷类型及位置的不同会对温度场产生不同影响,利用CNN模型对TSV红外热图像进行特征训练可以有效识别与定位内部缺陷。 相似文献
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有源相控阵天线在星载雷达上的应用越来越广泛,而T/R组件是有源相控阵天线的核心部件,直接影响天线的性能。封装可以为微组装T/R组件内部电子元器件和电路提供一个良好的工作环境,面对星载雷达对微组装T/R组件的高功率、高集成、高可靠性等要求,封装设计技术已成为微组装T/R组件设计的关键技术之一。基于封装设计技术在星载微组装T/R组件上的应用需求,文中介绍了T/R组件的基本组成,就封装材料与电连接器选用、封装结构设计以及环境适应性设计等封装设计关键问题进行了分析,并探讨了星载微组装T/R组件封装的发展方向。最后以某星载大功率T/R组件的封装设计作为示例,介绍了这些关键技术在设计过程中的应用情况,为后续星载微组装T/R组件的封装设计提供了参考。 相似文献
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贴片胶的选择和贴片工艺对MEMS封装器件的可靠性和有效性影响很大.针对贴片胶固化时热效应的影响,分析复合量程微加速度计封装热应力产生的机理.从贴片胶的材料特性出发,分析贴片胶的厚度、杨式模量及热膨胀系数对硅芯片所受到封装热应力的影响.并通过有限元仿真分析,确定了适合复合量程加速度计封装的贴片胶材料及使用厚度,并用拉曼光谱仪对封装后的应力进行了测试,结果显示应力较小,封装效果良好. 相似文献
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从封装结构、封装材料、设备工艺等方面着手,挖掘导致导通电阻偏高、热阻不稳定的影响因素,最终找到稳定热阻值的途径,提升产品良率及可靠性。提出采用铝基材散热片替代铜散热片,基板与散热片设计一定间隙实现绝缘,增强大功率MOSFET产品散热能力,完成改进型封装结构(TO220CB),有效地降低产品的功耗、提高散热效果,从而解决MOSFET产品散热与绝缘问题,提高产品封装良率。 相似文献
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半球形声纳导流罩空腔内部声场分析 总被引:1,自引:0,他引:1
基于SYSNOISE边界元声场数值分析软件,对半球形声纳导流罩在不同背板材料(包括刚性材料和有限阻抗材料)条件下的内部声场进行了计算与分析.研究表明:导流罩内部存在驻波场现象,频率越高越明显,且与背板材料类型基本无关;背板材料对导流罩内部声场的平稳程度影响较大,在导流罩设计时应予以充分考虑. 相似文献
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测定了三种不同基体组织的灰铸铁材料的力学性能,并且用定量金相方法测定了内部的基体组织石墨含量及贝氏体的含量并讨论了其对样品力学性能影响,讨论了组织对弹性模量、抗拉强度、抗弯强度缸体材料和性能影响. 相似文献
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碳纤维复合摩擦材料在高温高压下通过耐高温胶粘剂粘接到汽车同步器齿环摩擦面上.针对摩擦材料高温高压粘接固化工艺技术要求,设计了应用于摩擦材料高温高压粘接夹具,指出了夹具中关键零件的结构设计和设计要点,并叙述了粘接夹具的使用方法.实践证明,设计夹具达到了工艺要求,生产的产品质量稳定. 相似文献
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对碳纤维-碳纤维以及碳纤维与异质材料的粘接搭接试样进行了单向拉伸试验,对搭接长度、粘接层厚度对接头强度的影响规律进行了详细的分析。采用数字图像相关方法(DIC法)对接头的面内应变和法向变形进行了监测,对搭接接头在拉伸过程的失效行为和失效顺序进行了系统地分析。结果表明,碳纤维粘接搭接接头的宏观失效存在碳纤维板纤维断裂、粘接层剪裂、撕裂、粘接界面破坏等多种破坏形式;碳纤维接头搭接长度12.5 mm-15 mm,粘接层厚度0.2 mm时接头刚度、强度较高;粘接层强度相对较弱时,碳纤维接头主要以粘接层剪裂为破坏形式,粘接层强度相对较强时,接头表层碳纤维撕裂引起界面剥离,界面剥离面积扩展,异侧界面剥离导致粘接层撕裂,引起接头失效。 相似文献
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封装热效应及粘结层对微芯片应力和应变的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
针对不同的基板和粘结层,运用COMSOL Multiphysics软件分析了由封装引起的热失配对MEMS芯片的内部应力和应变的影响及其影响规律。分析不同基板对SiC芯片的应力和应变的影响,通过有限元计算分析得知,当基板的热膨胀系数跟芯片的热膨胀系数越接近,封装对芯片导致的应力应变和位移的影响越小。研究表明:粘结层的厚度对SiC芯片的应力等参数同样存在一定的影响,当粘结层的厚度增加时能够降低SiC芯片由封装引起的热应力,同时也会降低SiC芯片的第一主应变。基板厚度增加会增加SiC芯片由封装引起的热应力,温度场由高到低会增加SiC芯片由封装引起的热应力。 相似文献
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