EL2能级和光电离截面的计算

我们采用EHT法计算了EL2缺陷模型的电子能级及其波函数,集团包含41个原子,用群论方法约化久期行列式。同时计算了该缺陷能级的光电离截面,计算结果与实验结果相符。     

电荷DLTS及其对硅上砷化镓材料中深能级的测量

本文提出并建立了具有漏电补偿功能的电荷DLTS方法.该方法具有与电容DLTS方法相同的率窗特性,同时又能直接测量深能级热发射的电荷响应而不必依赖耗尽区厚度的热发射调制,因此能用于半绝缘材料及耗尽层厚限定(如PIN,SOI结构)材料中的深能级测量.所建立的测量系统利用微机控制,可以在一次温度扫描中完成测量过程.利用该系统首次测量了 MBE生长硅衬底砷化镓材料上 LED二极管有源区中的深能级密度及位置,证实了其中高密度深能级的存在.     

砷化镓衬底与MESFET中深能级研究

用波长范围为 70 0 nm到 350 0 nm的光电流测试系统研究了 SI- Ga As衬底、有源层和MESFET中的深能级。结果显示在 SI- Ga As衬底、有源层和 MESFET中的深能级有着较为密切的联系 ,这些深能级影响着器件的性能     

EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响

在建立的理论模型基础之上,定量地分析了ＥＬ２能级对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压的影响,指出位于本征费米能级以下的ＥＬ２能级是影响ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压大小的主要因素,ＥＬ２能级对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压的影响程度与ＥＬ２能给的缺陷密度呈线性关系。     

GaAs衬底深能级EL2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象

旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。     

未掺杂半绝缘砷化镓中EL2能级的光电离截面谱

采用恒流光电导方法,在不同温度下测量了未掺杂半绝缘LEC砷化镓中EL2能级的光电离截面谱σ_n~0-hv。发现截面谱中有三个上升较快的台阶,认为它们来源于EL2能级上的电子向导带上三个极点Γ、L、X的光跃迁。σ_n~0-hv的理论计算和实验曲线符合得很好,并得出有关EL2能级的物理量即束缚能E_T、Frank-Condon移动d_(FC)和波函数扩展长度α~(-1)。     

GaAlAs／GaAs发光管中深能级与暗缺陷关系

本文用DLTS和瞬态单电容技术研究了液相外延生长的GaAlAs/GaAs有源层掺Si器件的深能级，用红外显微镜测量了近场EL图像，研究了深能级及暗结构缺陷的器件的影响及它们间的关系。     

半导体中深能级的磁光关联效应

利用掺金硅p~+n结样品,测出样品的深能级谱后研究磁场对深能级的影响。发现磁场使能级变浅,能级越深改变越小。如对样品再施以光注入,研究深能级在磁场及光注入下的关联效应,发现谱峰有较大的移动并显著加宽。     

非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究

测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。     

Accurate measurement of capture cross sections in deep level transient spectroscopy: Application to EL2 in GaAs

A rigorous formulation of capacitance changes during trap filling processes is presented and used to accurately determine the electron capture cross section of EL2 in GaAs at a particular temperature, 377K, in this case. The value, σ_n (377K) = 2.7 × 10⁻¹⁶ cm², is compared with that predicted from the emission dependence.     

硅n+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象

在研究硅n~+-p结中金深受主能级E_A的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1μs时,峰高反而随着脉冲宽度增加而单调下降。给出了典型的实验结果,并指出这是由于E_A同时具有多子及少子两种响应区的结果。     

原子氢辅助分子束外延生长以GaAs材料性能的改善

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了常规分子束外延和原子氢辅助分不外延生长的掺杂Ｓｉ和Ｂｅ的ＧａＡｓ同质结构样品中缺陷的电这特性。发现原以辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低,这可解释为生长过程中原子对缺陷的原位中和与钝化作用。     

基于小波域的图像噪声类型识别与估计

提出了一种基于小波域分解的类型识别方法．该方法利用噪声图像的小波高频子带系数能量分布,对图像中最常出现的两类噪声：高斯噪声和椒盐噪声进行识别,并在此基础上对高斯噪声的方差和椒盐噪声的密度进行了估计．对大量含噪图像的实验结果表明：该方法对图像噪声类型的识别和噪声大小的估计都比较准确．     

FY—2B气象卫星红外通道发射前实验室定标与在轨辐射定标比较

FY－2B是自旋稳定卫星，红外通道无法进行在轨星上绝对定标，FY－2B发射前的地面实验室定标方案参照了FY－2A在轨环境温度的变化情况，定标结果十分理想，在轨电子学定标数据修正红外通道的量化关系，得到的在轨定标结果与利用青海湖进行的同步场地辐射定标结果非常接近。