高增益谐波发生器式自由电子激光器

演示了高增益谐波发生器式自由电子激光器，我们采用激光种子源的自由电子激光，经纵向杆干，放大和傅里叶变换限制在种子源激光的谐波输出，种子源二氧化碳激光在波长10.6μm产生饱和，在二次谐波波5．3μm输出放大的自由电子激光，实验证明将这种技术和方法应用到光谱的真空紫外区的理论基础，推广这种方法的最终目的的提供产生非常强的高度相干硬X射线源。     

集体区自由电子激光器增益特性的研究

工作在超辐射模式下的集体区自由电子激光器的增益特性研究可以通过改变互作用区长度及泵浦强度来进行。我们利用偏转磁场可以获得任意的相互作用区长度。实验结果证明,工作在集体区的自由电子激光的辐射增益随泵浦磁场近似呈1.7次方关系,实验测得的增益系数范围为0.4dB/cm到1.38dB/cm。     

自由电子激光器中电子相互作用对增益的影响

求出了螺旋磁场泵自由电子激光器中含电子相互作用的增益表达式,并进行了讨论。     

带轴向场自由电子激光器的增益

给出了带轴向场自由电子激光器的增益,并讨论了轴向场的效应。     

微型自由电子激光器

微型门控场发射器列阵（ＦＥＡ）的电光特性微型自由电子激光器的电子束要求具有理想的匹配。本文综述了基于场发射器列阵原理的束发生器的性能特征，总结了最近用微细丝速 进行实验的结果。后者显示对下述论断的支持：基于Ｃｈｅｒｅｎｋｏｖ或者Ｓｍｉｔｈ－Ｐｕｒｃｅｌｌ相互作用机制的微型自由电子激光器具有实际可能性。     

Cherenkov型自由电子激光器中介电系数选择的研究

计算了Cherenkov型自由电子激光器中介质的介电系数的变化对激光器输出性能的影响,结果表明,偏大或偏小的介电系数不仅会降低效率,而且对增益特性产失严重的影响。     

线电流摇摆场自由电子激光

根据经典辐射理论计算出电子在线电流摇摆场中运动产生的自发辐射强度分布；利用单粒子理论推导了自发辐射与受激辐射的关系；利用这种关系求出了电子在线电流摇摆场中运动产生自由电子激光的小信号增益。     

自由电子激光辐射和迴旋辐射的比较研究

在自由电子激光器中一般存在两种受激辐射形式:自由电子激光辐射和迴旋辐射。本文从理论上阐明,如果电子束的初始横向速度较大,自由电子激光器的参数选用不当,则迴旋辐射将占优势,特别当电子束能量较低时,产生迴旋辐射的倾向更大。但是迴旋辐射并不具有双重多普勒频率上漂移的特性,由于受轴向磁场强度的限制,在电子束能量较高时,其辐射频率要比自由电子激光辐射频率低得多。因此在自由电子激光器的实验研究中,如何区别这两种辐射,并有效地抑制迴旋辐射,是一个十分重要的课题。     

InGaAs量子点激光器光增益的温度特性

研究了非耦合多层InGaAs量子点材料光增益的温度特性，并与InGaAs单量子阱材料进行了对比，发现In-GaAs量子点表现出更好的增益温度稳定性，同时发现随着温度升高，在140－200K湿度范围内，InGaAs量子点增益峰值首先增大，当温度超过200K后开始减小，对这种增益特性的产生机制进行了分析，增益曲线峰值波长随温度升高单调地向长波长方向移动，与量子阱材料相比具有更好的温度稳定性。     

低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟

本文考虑禁带变窄效应、载流子冻析效应和多晶硅/单晶硅界面复合与氧化层隧穿效应,采用有效复合速度方法,建立了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度关系模型。模拟计算结果与实验符合较好。     

彩色PDP中几种工作气体和荧光粉对提高发光效率的作用

彩色ＰＤＰ的发光效率在很大程度上与工作气体和荧光粉有关。本文比较了三种系列潘宁气体的真空紫外辐射性能和七种真空紫外荧光粉的激发和发射性能，择其应用于ＡＣＰＤＰ。测试表明，当气体以合理配比和充气压放电产生的共振辐射线与三基色荧光粉激发和发射性能匹配时，可获得高的发光效率。文中还根据发光效率公式提出对研制荧光粉的要求。     

星载sAR辐射定标误差分析及成像处理器增益计算

本文对星载SAR辐射定标的各项误差因素进行了分析,提出了计算辐射定标误差的公式,提供了分配星载SAR系统辐射定标误差的工具;对基于CS(Chirp Scaling)算法的成像处理器的增益计算公式进行了推导,并通过计算机仿真得到了验证;定量地分析了成像处理器增益计算误差对SAR系统辐射定标精度的影响。     

蓝色发光GaN纳米晶和晶体的XAFS研究

利用XSAFS（X－射线吸收精细结构）方法研究六方的纳为晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构,对于第一近邻Ga－N配位,纳米晶GaN的平均增长R、配位数N、热无序度σT和结构无序度σs与晶体GaN的相近,分别为0．194nm、4．0、0．0052nm、0．0007nm;当温度从78K增加到300K,GaN样品中Ga－N配位的σT增加不多,小于0．0005nm,表明第一近邻Ga－N配位的共价键作用力较强,几乎不受温度和晶体状态的影响。对于第二近邻Ga-Ga配位,R为0．318nm,纳米晶GaN的σs（0．0057NM）比晶体GaN的（0．001nm )大0．0047nm;在78K和300K时,纳米晶GsA样品的Ga-Ga位位的σT分别为0．0053nm和0.0085nm,这一结果表明Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响,纳米晶GaN中Ga原子的局域配位环境与晶体GaN的差别主要表现在第二近邻Ga-Ga配位的σs相对较大,可能是由于纳米晶GaN内部缺陷及存在较多的表面不饱和配位原子所致。     

机载成像光谱仪图像边缘辐射校正的研究

通过对国产高光谱仪OMIS－I系统的数据进行分析，发现由于地物的二向反射分布等因素的影响图像边缘部分与中心部分的相同地物光谱曲线发生了变化，表现在彩色合成图像上相同地物呈现不同色调，经过对数据深入分析研究后，提出了一种空间参数拟合的直方图匹配方法，并用VC＋＋语言编程实现，取得了很好的效果。     

一种新型高增益、低噪声980nm微腔半导体光放大器的数值分析

提出了一种新型微腔半导体光放大器结构,该半导体放大器在普通行波光放大器的波导结构上引入了上下布拉格反射镜,并在波导前后两侧的上端面上分别刻蚀出入射和出射光学窗口,其上蒸镀增透膜层.信号光以一定的倾角斜入射到波导中,以之字型路线沿波导传播.提出了一个完整的、考虑了微腔特性的稳态模型,系统模拟了微腔半导体光放大器的特性.结果表明该微腔半导体光放大器的光纤到光纤增益可达40dB,而噪声指数只有3.5dB.