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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
光时分复用技术   总被引:4,自引:0,他引:4  
时分复用(OTDM)技术是实现超高速传输的很有交的技术。本文论述了OTDM的主要技术及其前景,通过对OTDM技术在点对点通信系统对网络系统中的应用介绍,提出了OTDM和WDM的结合是将来网络发展的方向。  相似文献   

2.
薄膜全耗尽CMOS/SOI—下一代超高速Si IC主流工艺   总被引:3,自引:0,他引:3  
张兴  王阳元 《电子学报》1995,23(10):139-143
本文较为详细地分析了薄膜全耗尽CMOS/SOI技术的优势和国内外TF CMOS/SOI器件和电路的发展状况,讨论了SOI技术今后发展的方向,得出了全耗尽CMOS/SOI成为下一代超高速硅集成电路主流工艺的结论。  相似文献   

3.
注氧隔离的SIMOX技术是获得SOI材料的最先进的技术,本文讨论了SIMOX技术的研究进展,比较了SIMOX和SIMNI两种材料的优缺点。  相似文献   

4.
潘承志 《激光集锦》1999,9(2):15-17
本文介绍国外军用CO2激光雷达技术的发展,综合评述了CO2激光雷达发射机的技术重点,提出了我国发展CO2激光雷达的建议。  相似文献   

5.
就热载流于效应、软失效、体效应及寄生电容等问题将薄膜全耗尽CMOS/SOI器件与体硅CMOS器件的进行比较。并阐述薄膜全耗尽CMOS/SOI技术是低压低功耗集成电路的理想技术。  相似文献   

6.
全耗尽CMOS/SOI技术的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
张兴  李映雪 《微电子学》1996,26(3):160-163
SOI材料技术的成熟,为功耗低,抗干扰能力强,集成度高,速度快的CMOS/SOI器件的研制提供了条件,分析比较了CMOS/SOI器件与体硅器件的差异,介绍了国外薄膜全耗尽SOI技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。  相似文献   

7.
近来,IBM公司利用绝缘层上的硅(SOI)技术成功研制出高速低功耗的微电子主流产品微处理器等离性能芯片,该芯片不仅工作速度显提高,功耗也大幅度下降,充分显现了SOI技术的优越性。这也预示着SOI技术将逐步走向商业应用。SOI技术最突出的优点是能够实现低电压、低功耗驱动。本介绍了市场绎低压、降低耗电路的需求,分析了SOI技术实现低压、低耗电路的工作原理,综述了当前SOI低压,低功耗电路的新动向。  相似文献   

8.
浅谈EPON技术及应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
EPON(EthernetPositiveOpticalNetwork ,以太无源光网络 )技术是一种新型的多业务宽带光纤接入网技术 ,采用与当前电信网络IP化相一致的协议 ,其研发过程是基于市场的。在快速以太网、千兆比以太网和10G以太网逐渐成为网络主流的同时 ,也给该技术开拓了广阔的市场。本文通过EPON和APON的对比 ,分析EPON的工作原理和应用。1EPON的工作原理1.1EPON的体系结构事实上 ,EPON是由APON (ATMPositiveOpticalNetwork,ATM无源光网络 )逐渐演化而…  相似文献   

9.
用溅射的方法来制备ITO膜已应用于平板显示技术,特别是高速磁控溅射技术的出现,又使ITO膜实现大量生产成为可能。本文详细论述了ITO膜生产线的设计要点,总体方案及其技术性能,并分析了各种工艺参数对ITO膜的透光率、面电阻等主要技术指标的影响。  相似文献   

10.
本文简要地综述了多种技术途径制备SOI材料的发展现状,并着重讨论了SMOX/SOI的潜在优点、发展趋势及其在宇航微电子技术发展中的应用前景.  相似文献   

11.
自对准硅化物CMOS/SOI技术研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
在CMOS/SIMOXSOI电路制作中引入了自对准钴(Co)硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOIMOSFET单管特性和CMOS/SOI电路速度性能的影响.实验表明,采用SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻,改善单管的输出特性,降低CMOS/SOI环振电路门延迟时间,提高CMOS/SOI电路的速度特性.  相似文献   

12.
光传送网的一体化网管研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
光传送网技术可望成为下一代的主导传送网技术。详细讨论了光传送网(OTN)和光传送网的管理技术。结合TMN、SNMP和CORBA,着重研究了OTN的一体化网管。一种Q-Adapter被提出来用于集成TMN和SNMP,一种直接的CORBA/SNMP接口被用来实现CORBA和SNMP的集成。最后简要分析了几个和OTN一体化网管相关的问题:IP层和光层的联合路由,多层保护以及OTN的OAM技术。  相似文献   

13.
在SOI/CMOS电路制作中引入了自对准钴硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOI/MOSFET单管特性和SOI/CMOS电路速度性能的影响。实验表明,SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻,改善单管的输出特性,降低SOI/CMOS环振电路门延迟时间,提高SOI/CMOS电路的速度特性。  相似文献   

14.
近日 ,QUALCOMM公司宣布在日本、韩国和美国投入商用的gpsOne技术设备已超百万。随着亚洲和美国大量部署CD MA网络 ,QUACOMM的gpsOne技术成为世界上最为广泛使用的移动电话个人定位技术。gpsOne功能的实现是通过手机端相应的QUALCOMMMSM芯片和系统软件 ,以及网络端的SnapSmart定位服务器软件完成的。gpsOne技术是一种混合解决方案 ,它同时使用来自GPS卫星和CDMA网络的数据 ,在各种环境下提供高可用性和高精度的定位功能。gpsOne技术是目前具有最高精度的无线…  相似文献   

15.
张劲松 《世界电信》2000,(11):11-14
为实现高速、大容量、多业务、全透明的光传送网,目前人们正在集中研究光交叉、光放大、光电集成、光无源器件以及全光信号处理等方面课题。同时以DWDM技术为基础的OTN组网也从点到点形式发展到了具有OADM和OXC节点的网状网结构,而网络生存性的需要又衍生出各种网络自愈技术。文中还提到了OTN中存在的技术难点,指出了OTN技术发展中需要研究的课题。  相似文献   

16.
BiCMOS是双极的速度和驱动能力与CMOS的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因,BiCMOS器件主要以CMOS为主。因此,双极器件通常并入CMOS核心工艺流程。当器件尺寸减小时,双极和CMOS技术显得愈发相似。本文例举了0.8μm和0.5μm的技术论点,BiCMOS电路与CMOS相比,成本稍有增加,但其性能提高一倍。  相似文献   

17.
搜索引擎使用技术回顾和发展趋势探讨   总被引:6,自引:0,他引:6  
简略回顾了搜索引擎中所使用到的各项技术的发展, 包括ROBOT技术、索引技术、数据库技术和结果处理技术等, 这些技术共同成为现在网络上流行的搜索引擎的技术基础, 使用户现在已经可以在完全能接受的延时内完成对整个浩瀚的Internet 的搜索。并对搜索引擎技术的用户搜索过程的访问频度优化、智能化ROBOT、数据库按内容分库、搜索结果的处理等未来发展方向作了一些探讨, 对我国发展搜索引擎技术的方向和方法也提出了一些自己的见解  相似文献   

18.
本文讨论PC服务器硬件关键技术,一是微处理器技术,二是I/O技术,长久以来,微处理器技术发展迅速,I/O技术进展迟缓,两者差距愈来愈大,导致PC服务器性能落后。现已出现转机,开始重视微处理器和I/O之间平衡,估计今后PC服务器将会出现大发展局面。  相似文献   

19.
视频点播(VOD)系统的试验和进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
随着图像数据压缩技术,数字传输技术和数字存储技术的迅速发展,视频点播(VOD)技术开始进入实用阶段。它具有很多新颖的特性,因而有着广泛的应用前景。本文介绍了VOD系统的组成,国内外进行的VOD试验以及最新进展。  相似文献   

20.
光学薄膜反应离子镀技术是近年来新发展的一种光学薄膜技术。本文介绍了光学薄膜反应离子镀设备的研制,在此设备上成功地制备了TiO2,ZrO2,SiO2,Al2O3光学薄膜,测出其折射率接近或达到同种块状材料的折射率;并对TiO,SiO2单层膜的成份及价态作了X光电子能谱分析。  相似文献   

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