300#反应堆单晶硅中子嬗变掺杂计算

介绍了300#反应堆单晶硅中子嬗变掺杂辐照量计算的原理,给出了计算软件类结构及其主要类中的实现函数,描述了该程序在辐照计算,原始和出厂清单处理,以及各类原始数据处理方面的功能和特点,对相应的界面都给出了图示,并对软件的特性和应用前景作了分析。     

高通量工程试验堆中子能谱计算

采用ANISN程序,DOT 3.5程序和组合几何全能区蒙特卡罗程序计算了HFETR中子能谱。计算中堆芯简化为由燃料元件、铍组件、铝组件和水层的同心环所组成。堆芯中心K11位置放置不同部件。对各种方案计算分析后,得到了HFETR最佳圆柱形热阱半径、超热中子谱表达式等有实用价值的结果。计算结果与已有的能谱和能谱参数实验值进行了比较,在误差范围内是相符的。     

高通量工程试验堆堆内单晶硅旋转体温度测量

本文论述了高通量工程试验堆堆内单晶硅旋转体温度测量装置,介绍了在反应堆各种功率下单晶硅辐照样品温度的测量结果,并且根据温度测量值估算了单晶硅的 γ 发热率,进行了误差分析,同时作者还进行了单晶硅温度与轴流泵转速关系的试验.测量结果表明,在高通量堆首炉工况下单晶硅辐照装置内部冷却水不会沸腾.     

低功率堆单晶硅中子辐照工艺运输系统的设计

本文主要介绍利用改建的低功率堆进行单晶硅中子掺杂的有关工艺运输问题,并着重介绍了一种实现单晶硅辐照装置自动抓取、自动对中的新方法。     

高通量工程试验堆反射层内辐照过程的快中子积分通量监测

一些辐照研究要求随时知道快中子瞬时通量和积分通量,以确定它与辐照效应的关系或决定对辐照装置应进行的调整。目前各国快中子监测器都处在研究阶段。本文根据高通量工程试验堆反射层的物理特点,在零功率状态下测量快热比,用随装置安装的铑自给能探测器监测快通量,并与同时安装的纯铁活化箔测量结果进行比较,两种方法在4%以内符合,证实了快热比不变的假定和使用该方法的可靠性。本文还对箔活化法数据处理的一些问题进行了讨论。     

次监界聚变嬗变堆高性能双冷包层中子学概念设计研究

基于聚变实验装置近期可达到的堆芯ＤＴ等离子体参数水平,在一维燃耗计算和优化分析的基础上,验证了氚自持、年约处理２９ 个同等热功率压水堆年产的长寿命锕系元素和一定数量裂变产物的次临界聚变嬗变堆带有双冷却系统高性能包层的中子学可行性,并给出了初步的设计方案。     

高通量工程试验堆压力容器侧壁中子注量率计算

采用ＡＮＩＳＮ程序计算了高通量工程试验反应堆压力容器侧壁的中子注量率值，提出了一个简单而有效的延长压力容器寿命的方法，填加不锈钢屏蔽材料，结果表明：采用不锈钢后，ＨＦＥＴＲ压力容器的使用寿期可延长１．５倍。     

中国先进研究堆中子散射工程中子导管模拟研究

为使依托中国先进研究堆（CARR）进行的冷中子散射实验拥有更高质量的中子束流,本工作对中子散射工程中的中子导管系统各参数进行分析研究,并首次在国内应用等效中子导管理论,结合解析计算确定出优化的导管方案。同时,应用VITESS程序对各导管方案得到的中子束流进行了模拟,在综合考虑导管系统几何布局及中子束流的发散度影响后,探讨出若干符合实际的设计方案。尔后,利用导管位置计算程序NGPS,计算出各导管方案中每个导管单元的位置坐标。最终,根据各项指标对模拟的各导管方案进行对比,优选出CNGA、CNGB、CNGD3套中子导管系统的最佳参数,为即将进行的中子导管系统的设计和安装提供理论参考。     

聚变驱动次临界堆双冷嬗变包层中子学设计与分析

对聚变驱动次临界堆的多功能双冷核废料嬗变包层进行了中子学设计和分析,设计目标是:①氚和钚燃料自持;②较少的初装料得到较高的废料嬗变率。使用的程序是自主开发的多功能中子输运/燃耗/优化程序VisuaIBUs1.0,相应的数据库是175群中子/42群光子的多群数据库HENDL1.0/MG。     

高通量工程试验堆卸料元件辐射资源的开发和利用

给出对我国高通量工程试验堆卸料元件辐射场研究的主要结果。介绍了卸料元件辐照装置及其测量结果。研究表明,高通量工程试验堆卸料元件辐射源有重要开发利用价值。还介绍了利用卸料辐照装置进行聚乙烯热缩管辐射交联和聚四氟乙烯辐射裂解工艺研究的主要结果。     

高通量工程试验堆栅元型随堆辐照装置的研制、试验与应用

高通量工程试验堆(HFETR)内的栅元型辐照装置具有较大的灵活性和适用性。几年来,我们使用这类装置开展了一系列材料考验及同位素生产工作。本文介绍了这类装置的设计思想、应用范围、结构特点和试验结果。可供进一步开展栅元型装置研制工作参考。     

高通量工程试验堆(HFETR)材料辐照中子注量率计算方法验证

材料辐照考验是高通量工程试验堆(HFETR)的主要任务之一,辐照孔道内样品中子注量率的准确计算是进行材料辐照试验的前提。介绍了HFETR材料辐照中子注量率计算的方法,并利用P15孔道材料辐照的计算值与实测值进行对比,对比结果显示,计算值与实测值偏差为7.14%,满足材料辐照考验的预示计算要求。     

GaAs中子嬗变掺杂的初步研究

硅的中子嬗变掺杂(简称NTD)法已经得到了广泛应用,在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面被公认是一种好方法。中子辐照硅的优点是掺杂十分均匀,浓度偏差可在±5％之内;掺杂精度高,能够准确地达到所要求的浓度。近年来,Ⅲ-V族化合物半导体的中子嬗变掺杂亦有报道。1971年Miriashvili等人首先报道了GaAs的中子嬗变掺杂。在这之后,一些作者进一步研究了热中子辐照GaAs的原理、特点和它的应用。1982年在美国马里兰举行的第四届国际NTD会议上也报道了这方面的内容。     

高通量工程试验堆的功率系数测量

本文定义并测量了 HFETR 的功率系数。在数据处理时,利用了中子动力学点堆模型,并认为堆功率近似按线性变化。在考虑了毒物效应的基础上得到了堆的功率系数,与文献[1]相比在处理的图象上更为直观。     

特殊中子束流装置特性研究

利用金箔活化法测量了特殊束流装置中心轴线上不同位置处的热中子通量密度比、金镉比、锰镉比以及出口处γ/n的剂量比.束流装置出口处的热中子通量密度约为入口处的1/1 019,出口处γ/n的剂量当量比约为21%.将束流装置出口与入口处热中子通量密度的实验结果与用MCNP/4B程序计算结果进行了比较,两者相差约为5%.     

中国聚变工程试验堆中子学分析中的GEANT4应用研究

中子学分析对聚变堆尤其是其氚增殖包层的设计和安全运行具有重要意义,基于蒙特卡罗方法的模拟是聚变中子学分析的常用手段。以中国聚变工程试验堆(China Fusion Engineering Test Reactor,CFETR)为研究对象,研究蒙特卡罗程序GEANT4在聚变中子学分析中的应用,开展截面库基准测试计算,验证G4NDL截面库在聚变中子学分析中的适用性。采用编程方式和借助McCAD转换方式在GEANT4中分别建立CFETR一维柱壳模型和三维模型,并设置中子源和计数方式,实现了GEANT4中CFETR中子学分析模型的建立。在GEANT4中自主开发了新的物理过程,设置反射面边界,计算获得了中子壁负载。结果表明:GEANT4与MCNP计算结果差异小于1%,验证了反射面设置的有效性和GEANT4在聚变中子学工程分析中应用的可行性。     

研究试验堆的辐照能力

提出将辐照能力作为研究试验堆的一个技术指标和性能参数。辐照能力不仅可作为堆芯装置布置设计的评价指标,而且可用于堆内辐照费用的测算。与研究试验堆辐照能力有关的量包括：辐照空间体积、平均总中子注量率、堆功率和运行时间等。对于辐照能力的几种定义分别给出了表达式,并比较了它们的特点和作用。还以高通量工程试验堆为主要实例,给出了辐照能力的具体数据和应用。     

用高通量工程试验堆生产高比度放射性同位素

用高通量堆生产放射性同位素是提高同位素产量和质量的重要途径。本文阐述了用高通量工程试验堆生产放射性同位素在辐照工艺上应当注意的问题及医用强~(60)Co 源、腔内后装治疗机用~(60)Co源丸和~(113)Sn/~(113m)In 同位素发生器(“母牛”)的生产工艺流程。并对降低辐照成本提出了一些建议。