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1.
采用熔体快淬法制备了纳米复合(Nd1-xPrx)9.4Fe75.6Ti4B10.5C0.5(x为0,0.2,0.4,0.6,0.8和1.0)合金薄带,研究了Pr对合金薄带结构与磁性能的影响规律。结果表明:Pr降低了合金薄带的晶化温度,使合金薄带晶粒变得粗大,不利于合金矫顽力的提高。Pr对合金薄带磁性能的影响不大,不同Nd和Pr比例的合金薄带在最佳热处理条件下,剩磁Br在0.86 T与0.90 T之间,内禀矫顽力Hcj在1 000 kA/m左右,最大磁能积(BH)max介于130 kJ/m3与136 kJ/m3之间。 相似文献
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采用单辊快淬法制备了Fe93–x Zr7Bx(x=10,12,14)合金,并对三种合金进行了不同温度退火处理,利用X射线衍射仪(XRD)、差热分析仪(DTA)和振动样品磁强计(VSM)研究了该系列合金的微观结构、热性能和磁性能。研究结果表明:B含量的增加提高了合金的第一晶化峰峰值温度。在Fe83Zr7B10合金晶化初期仅观察到α-Fe相,而在Fe93–x Zr7Bx(x=12,14)合金晶化初期可观察到α-Fe相和Fe23B6相。三种合金淬态时的Ms随B含量的增加而增大。在高于823 K的温度下退火后,三种合金的Ms随B含量的增加而减小。高于773 K退火后,三种合金的Hc随B含量的增加而增大。 相似文献
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采用单辊快淬法制备了Fe40Co40Zr7Nb2AlB9Cu非晶合金薄带,在不同温度下对其进行等温退火处理。研究了退火温度对合金的结构、热行为和磁性能的影响。结果表明:Fe40Co40Zr7Nb2AlB9Cu非晶合金的DTA曲线存在2个晶化放热峰,晶化激活能分别为267.3 kJ/mol和188.3 kJ/mol。其晶化过程为:非晶→非晶+α-FeCo→α-FeCo+Co2Zr+ZrCo3B2+Fe(Co)3Zr。α-FeCo相的晶化体积分数和晶粒尺寸随退火温度的升高而逐渐增大。低于873 K退火时,矫顽力变化不明显;873 K退火时,矫顽力达到最小值0.27 kA/m;高于873 K退火时,矫顽力逐渐增大。 相似文献
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《电子元件与材料》2015,(9):46-49
采用单辊快淬法制备合金薄带Fe74CoxY6-xB20(粒子数分数x=2,3,4)合金系,取不同的温度对合金进行热处理,用X射线衍射(XRD),差热分析仪(DSC),振动样品磁强计(VSM)等测试手段对样品的晶化过程、热性能和磁性能进行研究。结果表明:制备的Fe74CoxY6–xB20均为非晶合金,Fe74CoxY6-xB20(x=2,3,4)非晶合金的晶化激活能分别为473.7,583.0和570.1kJ/mol,Fe74Co3Y3B20非晶合金热稳定性最好。非晶合金Fe74CoxY6-xB20(x=2,3,4)的饱和磁化强度MS分别为110,105和109A·m2·kg–1,矫顽力都较低,适量地添加Co提高了合金的非晶形成能力和磁性能。 相似文献
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《电子材料与电子技术》2005,32(3):17
热加工对纳米复合磁体性能的影响日本大同特殊钢技术开发研究所的人山恭彦用热加工方法开发出一种α-Fe/Nd2Fe14纳米复合磁体,并研究了热加工对于磁体各向异性的影响。制作工艺大致如下:将Nd—Fe—C0-B系合金高频加热熔化,用单辊熔体旋淬法制成急冷薄带(辊面速度Vs=24m/s);然后将薄带在Ar气氛中粉碎成粒径小于350μm的粉末;把破碎后的粉末10g置入内径14mm, 相似文献
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采用单辊快淬法制备了Fe81Zr7Nb2B10和Fe78Co2.5Zr7Nb2B10Cu0.5非晶合金,在不同温度下对两种合金进行了热处理。利用差热分析仪(DTA)、X射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计(VSM)等仪器对两种合金的热性能、微观结构和磁性能进行了测试分析。结果表明在Fe78Co2.5Zr7Nb2B10Cu0.5合金的晶化过程中存在预结晶效应,而在Fe81Zr7Nb2B10合金的晶化过程中没有。Fe81Zr7Nb2B10和Fe78Co2.5Zr7Nb2B10Cu0.5合金经803 K退火后,分别有α-Fe和α-Fe(Co)相从非晶基体中析出。随退火温度的升高,两种合金的比饱和磁化强度(Ms)变化趋势相似,但矫顽力(Hc)变化趋势明显不同。 相似文献
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采用单辊快淬法制备了Fe81Zr7Nb2B10和Fe78Co2.5Zr7Nb2B10Cu0.5非晶合金,在不同温度下对两种合金进行了热处理。利用差热分析仪(DTA)、X射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计(VSM)等仪器对两种合金的热性能、微观结构和磁性能进行了测试分析。结果表明在Fe78Co2.5Zr7Nb2B10Cu0.5合金的晶化过程中存在预结晶效应,而在Fe81Zr7Nb2B10合金的晶化过程中没有。Fe81Zr7Nb2B10和Fe78Co2.5Zr7Nb2B10Cu0.5合金经803 K退火后,分别有α-Fe和α-Fe(Co)相从非晶基体中析出。随退火温度的升高,两种合金的比饱和磁化强度(Ms)变化趋势相似,但矫顽力(Hc)变化趋势明显不同。 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》2002,(3)
TM271 02030063高矫顽力HDDR各向同性Nd一D卜凡一Co-B钻结磁体的磁性能与微结构/陈伟,朱明刚,高汝伟,潘伟,李卫,李帕梅(山东大学)11中国科学A辑.一2001,31(10)一923一926研究了添加微量元素Co和Dy对HDDR工艺制备各向同性Nd一Dy一Fe一C于B粘结磁体磁性能的影响.结果表明,(Nd。.65Dy。二5)12.5(Fe。gCo。.1)8,B6.5磁体的内察矫顽力He夕高达1 .53MA·m一’,剩磁的可逆温度系数为一住059%/℃(25一155℃).使磁体具有高矫顽力、低温度系数的原因一方面是由于Dy和C。的加入提高了硬磁性相的各向异性场和Tc温度,另一方面是由于材料显… 相似文献
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孙丽君 《电子材料与电子技术》2006,33(4):25-32
有关Fe3B/Pr2Fe14B型纳米复合磁体的磁性能和微观结构的研究已有报导。增加Pr元素,增强了Pr4+xFe78-xB18和Pr4+xFe76-xCr2B18(X=0,0.5,1)合金的矫顽力和磁能积,而添加Co和Cr更进一步完善了其硬磁性能。样品Pr4Fe71Co5Cr2B8合金:Mr(~1.31T),He(-265kA/m),(BH)max(-115.41kJ/m^3)和Pr5Fe10Co5Cr2B18合金:Mr(-0.97T),He(-385kA/m),(a11)max(-86.21kJ/m^3)分别在628℃和658℃的高温下煅烧10分钟即可获得最佳磁性能。用Tb代替部分Pr完善了Pr4Tb1Fe70Co5Cr2B18合金的整体磁性能,达到Mr(-1.14T),He(-439kA/m),(BH)max(-119.4kj/m^3),同时也将最佳煅烧温度降至628℃。三维原子探头(3DAP)分析显示Cr在Fe3B的软磁相被隔离,而Co在Pr2F314B的硬磁相具有更高的含量。 相似文献
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利用单辊快淬法制备了Fe74Y6-xNbxB20(x=0,1,2,3,4)非晶合金条带,利用XRD、HRTEM、DTA和VSM对样品的结构、非晶形成能力和磁性能等进行了测试。结果表明:Fe74Y6–xNbxB20(x=1,2,3,4)合金系的饱和磁化强度Ms>104 A.m2/kg,矫顽力Hc<1.59 kA/m,显示出良好的软磁性能。添加微量Nb扩大了非晶合金的过冷液相区,当Nb含量为摩尔分数1%时,过冷液相区Tx=63℃,此时合金具有最大的非晶形成能力,同时具有最大的饱和磁化强度(Ms=133 A.m2/kg)和最低的矫顽力(Hc=1.27 kA/m)。 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》2002,(6)
TM271 2002060054HDDR三元Nd凡B各向异性材料的制备/韩景智,孙爱芝,刘涛,肖耀福,王润(北京科技大学)11北京科技大学学报.一2002,24(2)一137一140研究了HDDR三元NdFeB各向异性磁粉的制备工艺.发现脱氢速度对HDDR三元各向异性NdFeB的磁性能具有显著影响.缓慢的脱氢处理有助于材料获得高的各向异性.在最佳工艺条件下,可获得磁能积为84kJ·m3的HDDR三元NdFeB各向异性粘结磁体图7表1参8(木)P rZ(FeCo)1。B/a一(Fe,Co)纳米复合永磁合金的组织与磁性/包小倩,张茂才、刘湘华,乔yi,高学绪,周寿增(北京科技大学)“北京科技大学学报.一2… 相似文献
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采用单辊熔体急冷法制备(Fe0.5Co0.5)73.5Cu1Nb3Si13.5B9的非晶合金。使用列格公式对(Fe0.5Co0.5)73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶、纳米晶合金环形器件的涡流损耗、磁滞损耗及剩余损耗进行分析,并与同时施加不同直流偏压场的各种损耗比较。淬态条件下(Fe0.5Co0.5)73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金环形器件的损耗主要表现为磁滞损耗,而涡流损耗很低。经过退火后,由于纳米晶合金软磁性能大幅度提高,器件的磁滞损耗及剩余损耗降低。直流偏压场对于三种损耗有显著影响。 相似文献
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《电子材料与电子技术》2006,33(1):43-44
烧结钕铁硼磁粉压制成型的压力分布规律,快速加热过程中NdsFe86B6合金非晶带的晶化2是磁性能,工艺因索对NdFeB牯结磁体性能的影响,稀土永磁电机的开发与应用(一).(二) 相似文献
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非晶硅薄膜的镍诱导横向晶化工艺及其特性 总被引:4,自引:3,他引:1
报道了镍诱导非晶硅薄膜的晶化技术 ,探讨了镍诱导晶化机理 .详细调查了诱导晶化时间和温度对晶化速率的影响 ,并用 Raman、AFM和 TEM等测试了材料的特性 .实验结果发现用该方法可以获得较大晶粒的多晶 ;在晶化温度为 6 2 5℃左右时晶体横向晶化速率最高 .如要获得较长的晶体 ,低温退火则比较有利 相似文献
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脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光 总被引:2,自引:0,他引:2
用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度 相似文献