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3 台湾菱庆股份有限公司台湾菱庆股份有限公司 MMC(以前为 KCK)及两个工厂(台中县加工出口区 ) 由日本 MMC (KCK)在台投资。 1970年成立 ,注册资金 16 82 45 40 0元 (新台币 )。主要产品是圆片形瓷介电容器、半导体瓷介电容器 (包括表面型和晶界层型 )、多层陶瓷电容器、安全规格的交流瓷介电容器。生产能力为月产 1.5亿只陶瓷电容器。有两个工厂 ,一厂是前、中工序 ,制造瓷基体和被银电极瓷片 ;二厂是后工序 ,电容器的装配。员工有 34 7名 :一厂 16 1人 ,二厂 174人 ,其余 12人是台北分公司业务人员 ,日本专家驻台湾工作人员有 7人… 相似文献
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一、前言传统的瓷介电容器电极制备工艺是采用手工被银或印银工艺,然后通过烧渗而制得。由于银电极具有优良的高频特性,可焊性好,抗氧化性能好,因此该工艺被长时期广泛地用于圆片瓷介电容器的生产中。然而该工艺也有许多不足之处,例如:电容器容量一致性能差,由于银离子迁移而导致电容器可靠性下降。特别是采用了贵金属银作为电极材料。 相似文献
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多层片式瓷介电容器贱金属电极的制造方法 总被引:8,自引:2,他引:6
为了满足多层片式瓷介电容器MLCC小型化、大容量和低成本方向发展的要求,基于国内外对多层片式瓷介电容器以贱金属取代钯银体系作为电极的研究及应用,研究了以Ni为内外电极的BME-MLCC 的制作工艺,对工艺中排胶、烧成、烧端等关键工艺作了机理性探讨。通过选取电极材料、气氛控制和温度控制等,对以Ni为内外电极的多层片式瓷介电容器的制作工艺已经成功在实验室得到验证。 相似文献
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矩形片式元件在众多表面贴装元件(SMC)门类中,开发应用最早,产销量最大,始终保持领先地位。其中包括两大类代表品种:其一,以厚薄膜工艺制造的具有基片、电阻体、玻璃和导电体单层组合结构的片式电阻器;其二,以多层厚膜共烧工艺制造的具有交叠电介质与电极层独石一体化(Monolithic)结构的片式多层瓷介电容器(MLCC),或称片式独石电容器。MLCC源于有 相似文献
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片式高压多层瓷介电容器最新进展 总被引:2,自引:0,他引:2
片式高压多层瓷介电容器(MLCC)的研制生产水平已达额定直流电压0.5~20kV。额定交流电压220~1100V,标称电容量范围为:0.5pF~0.15μF(C0G),47pF~2.2μF(X7R)。产品技术标准尚未统一纳入国际标准体系。高压ML-CC在V-C、TVC(温度、偏压、容量关系)、耐电压及电晕等性能和试验方法方面有特殊要求,设计制造技术有独到之处。高压MLCC的包装和使用须严格控制工艺过程。 相似文献
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随着片式多层陶瓷电容器(Multilayer Ceramic Capacitor,MLCC)向着微型化、高容量方向的发展,片式多层陶瓷电容器的生产工艺,对设备提出了更高的要求。对目前MLCC生产工艺的主要特点进行了研究,简单阐述了常见的片式多层陶瓷电容器薄膜流延技术,提出了一种实用型的唇式流延技术。同时,对薄膜流延设备的工作原理、总体构成、系统控制,以及关键技术进行了分析和探讨。 相似文献
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多层陶瓷电容器的发展及其动向 总被引:5,自引:0,他引:5
小型、低压、大容量化,片式高压系列化和低成本化是当前多层陶瓷电容器的主要技术发展趋势;移动通信设备和开关电源等产品是其应用的热门。瓷膜材料的面世,符合多层陶瓷电容器的低成本、小型和大容量化的发展潮流,将会取得推广与应用。 相似文献
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采用四层端电极(Ni/Cu/Ni/Sn)结构设计,底层为Ni,电镀Cu/Ni/Sn的工艺方法,制作了大容量MLCC。研究了四层结构和三层结构(Cu/Ni/Sn)对电容量等基本电性能、可靠性和内应力的影响。结果表明:制作1206规格10μFMLCC,C为9.86~10.46μF、tanδ为(360~390)×10–4、绝缘电阻≥1.5×108Ω、耐电压值为175~205V,四层结构与三层结构电性能相当。可靠性测试中,四层结构抗机械和热冲击能力提高了20%,且有利于瓷体内应力释放。 相似文献
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