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利用SIMOX材料制作智能卡是一种新的技术.本文简要介绍了智能卡的发展及应用,描述了利用SOI(SIMOX)技术制作的新型智能卡芯片,概述了其优点,并分析了现存的问题. 相似文献
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形成SIMOX结构的PIII新技术的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
本文报道了一种形成SIMOX结构的等离子体浸没离子注入(PIII)的新技术.与传统的离子注入相比,这种新技术具有高离子束流,大面积离子注入,极短的注入时间和低成本等优点.实验中,衬底硅片浸没在高离子密度的氧的等离子体中.在衬底所加的负高压的作用下,氧离子直接注入硅片之中.我们研究了PIII的工艺条件,用PIII制得了具有20到50nm厚的顶层硅层和20到50nm厚的氧化硅埋层的超薄SIMOX硅片,并用RBS、XTEM等技术对样品进行了测试. 相似文献
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综述了离子束科学技术领域新的重要进展--从作为半导体掺杂手段的低剂量离子注入到高剂量离子注入合成新材料的离子束合成技术,讨论了高剂量注入的物理效应,介绍了利用高剂量氧注入硅合成SIMOX材料的物理过程以及SIMOX技术的多种应用,提出了提高SIMOX材料性能的各种途径。 相似文献
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将F^+注入SIMOX材料,剥去皮表硅并制成电容,经^60Co-γ辐照试验和退火试验,并采用高频C-V方法分析表明,注F^+能有效地提高绝缘埋层的抗电离辐照性能。 相似文献
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在高温外延气氛下,SIMOX结构会被损伤、退化。本文用卢瑟福背散射技术分析了这种退化,指出这种退化主要是高温下氢对表层硅的反应剥蚀及氢经表层硅中穿透性位错使埋层SiO2分解。 相似文献
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采用大剂量氧离子注入(170keV,1.8×1018+/cm2)p型单晶硅,高温退火(1300℃,6h)后形成SOI-SIMOX(SiliconOnInsulator-SeparationbyImplantatlonofOxygen)样品。俄歇电子能谱仪和扩展电阻仪测试表明,该样品表层硅膜的导电类型由p型反型为n型。SIMOX样品的反型是硅中的氧施主所致,由近自由电子的类氦模型计算,SIMOX样品中氧施主的电离能为0.15eV,与早期文献报导的实验值一致。 相似文献
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过去十多年,SIMOX技术应用已得到证实。本文着重介绍了SIMOX技术及SIMOX结构的基本形成规律,论述了SIMOX技术在集成电路中,尤其是超薄层亚微米CMOS集成电路中的应用及其发展前景。 相似文献
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针对目前常用的电子邮件系统存在密钥产生、传递和保管且不能安全方便地随身携带问题,论文提出了一个基于智能卡技术的安全电子邮件系统,该系统在邮件收发终端引入智能卡技术,保证了密钥等机密信息的安全,通过对邮件进行加密、解密和认证,有效地解决了邮件在存储和传输过程中的安全性问题。 相似文献
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基于国内有线电视的运营模式,通过分析现有的一户多端智能卡管理模式,针对消费者对电子产品智能化、对家庭观影舒适度等越来越高的要求,结合ZigBee技术,在现有单向网络内构建了一种新型的子母卡喂养实现方法。本系统改进了现有子母卡喂养需要插拔智能卡,需要人工操作,需要中断观看等缺点。简化了一户多端情况下的智能卡管理方式,具有后台自动运行、占用资源低、安全性高、稳定性高等特点。 相似文献
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SHA是由美国国家安全局(NSA)设计的安全杂凑算法.该算法主要应用在通讯完整性验证以及数字签名认证领域.以面积优化为目标,从系统设计入手到模块级设计,以具体设计为实例,在智能卡芯片中以较小的面积代价实现了SHA-1算法,对于类似的杂凑算法设计具有普遍的参考价值. 相似文献
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信息时代,手机越来越成为人们日常生活和工作不可缺少的一部分,其功能也从原始的打电话、发短信到现在的看视频、玩微信、刷公交、移动支付等;应用范围从个人到校园、商场、行业等领域。以上所有功能全部是由插入手机中的电信智能卡实现,本文针对电信智能卡的发展及应用做一探讨。 相似文献
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提出一个对使用者的身份做认证的方法,这个方法是基于智能IC卡作媒介,当使用者登入系统时,将个人的智能IC卡插入终端机,再根据指示键入个人身份识别码及口令,此时智能IC卡针对使用者识别码及口令,利用电子签章做适当运算,再传回给系统做验算,以使模型易于使用又不失安全性。 相似文献
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