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报道了转换效率为14.6%~15.8%的多晶薄膜CdS/CdTe太阳电池的研制。用MOCVD法,在玻璃衬底上制备SnO_2和SnO_2:F薄膜,水溶液化学淀积法获得80~100nm厚的CdS薄膜和密堆积升华法制备5μm厚CdTe薄膜,CdS/CdTe太阳电池的短路电流密度高达24~25mA/cm ̄2。同时,对各层薄膜晶形和微观结构进行了分析研究。 相似文献
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介绍了在宽禁带半导体6H-SiC材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及MOSFET。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为6H-SiC禁带宽度为3eV,用MOS电容很难测量表面态,故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为20cm^2/V.s,而掩埋沟道MOSFET沟道中的体电子迁移率为180cm^2/V.s,掩埋沟道晶体管是第一只SiC离子注入沟道器件,也是 相似文献
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ResearchonthePassivationFunctionofSi_3N_4FilmtoYBCOSuperconductingFilmZhangYutian;JinBoANDQianPingkai(DepartmentofAppliedScie... 相似文献
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