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利用透射电子显微镜弱束成像技术研究了金属间化合物FeAl超塑性变形后的小角度晶界位错特征,发现一篑上型位借构成的小角度晶界,分析了其形成机理,讨论了其对材料力学性能的影响。 相似文献
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高温变形FeAL金属间化合物中的位错蜷线洪建明,赵晓宁,刘毅,郦定强,林栋梁,陈世朴(南京大学现代分析中心,南京210008)(上海交通大学材料科学系)具有B_2结构的金属间化合物FeAl,由于具有良好的抗氧化性能、高温性能、比铁基和镍基合金较低的密... 相似文献
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Fe、Si杂质含量对电解电容器低压阳极铝箔静电容量的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
Fe在高纯铝中的存在状态(固溶状态或Al3Fe,AlFeSi金属间化合物析出状态)直接影响铝在盐酸溶液中的腐蚀速度,从而对腐蚀箔的静电容量有极大影响。介绍了近年来日本专利中关于防止Fe、Si析出的轧箔工艺,即高温固溶处理后在数分钟内完成热轧,使Fe、Si来不及析出,这样,99.98%Al就其Fe、Si析出量而言,实际可达到99.99%以上铝的水平。更进一步,控制Fe、Si析出分布状态(弥散状分布)的轧箔工艺,有可能用99.93%~99.98%铝得到99.98%以上纯度铝同样静电容量水平。 相似文献
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利用弱束暗场技术透射电镜拉伸台观察了二相TiAl基金属间化合物层片结构中的位错组态,发现层片结构中含有丰富的位错网络,位错亚晶界以及界面位错墙。位错与拉伸变形时的位错滑移线均可贯通TiAl及Ti3Al层片,反映了民支片间的协调变形。 相似文献
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通过阳极氧化电压谱图(AVS);I-V特性和Fiske台阶电压测量,我们研究了Nb超导量子结构中AlOx-Al厚度对其特性的影响。发现AVS中AlOx-Al与Nb电极之间的界面陡度和I-V特性取决于AlOx-Al厚度,Nb|A|Ox-Al|Nb结的最小最佳沉积Al层厚度为7nm。由Fiske台阶电压,AVS中的Al峰和I-V特性的畸变,证实了结中Al/Nb间由常态Al而引起的亲近效应的存在,并用McMillan理论作了讨论。 相似文献
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利用透射电子显微镜弱束成像技术对金属间化合物Ni_3Al单晶中的超点阵位错进行原位动态观察。结果发现,在(001)面上分解的位错,其分解宽度在室温至773K之间没有明显变化,在773K恒温30分钟后两分解位错之间出现连结点,在898K恒温20分钟后两分解位错完全束集。说明(001)面上反相畴界的能量随着温度升高而增加。本文讨论了这一现象对材料力学性能的影响。 相似文献
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二相TiAl基金属间化合物层片结构中的位错组态孟祥康,洪建明,刘毅,赵晓宁,刘治国(南京大学固体微结构物理实验室南京大学现代分析中心,上海交通大学材料科学系)TiAL基金属间化合物具有优良的高温性能和高比强度,被认为是理想的航空航天结构材料,只是其低... 相似文献