不同晶粒尺寸对CVD金刚石膜机械性能的影响

采用热丝辅助化学气相沉积（CVD）工艺制备出纳米、微米及细晶粒金刚石膜材料。观察了这三种金刚石膜的表面形貌并对上述金刚石膜的物理机械性能包括抗弯强度和耐磨性进行了实验性研究。结果表明,细晶粒结构的金刚石膜具有最高的抗弯强度．纳米结构的金刚石膜耐磨性最好。综合两个技术指标认为：细晶粒金刚石膜是三种晶粒结构中最佳的刀具制造材料。     

热丝CVD法金刚石膜生长速度研究

本文使用热丝ＣＶＤ法着重研究了基底表面的处理、工作气压、碳化物的含量、基底温度、灯丝温度以及基底与灯丝间距离等对金刚石膜生长速度所产生的影响，并在以上研究的基础上采取措施，使热丝ＣＶＤ法生长金刚石膜的速度提高了４倍。     

CVD金刚石膜投资财务分析

文章从经济的角度,通过专业的财务分析,对CVD金刚石膜这一新型材料的投资价值进行研究。研究认为,CVD金刚石膜将成为金刚石材料未来发展的主流,其材料和制品具有广阔的市场前景。因此,投资CVD金刚石膜将获得丰厚的经济回报。     

热丝CVD法高速生长金刚石膜研究

使用热丝ＣＶＤ研究了碳源种类，氧气含量，灯丝温度，基底与灯丝间距离及异常辉光放电等对金刚石膜生长速度的影响，在此研究的基础上，优化工艺参数，使热丝ＣＶＤ法生长金刚石膜的速度提高到２０μｍ／ｈ。     

B掺杂CVD金刚石厚膜的应力研究

在HFCVD系统中采用B2O3作为掺杂源制备了B掺杂CVD金刚石厚膜,利用X-射线衍射仪研究了B掺杂对CVD金刚石厚膜应力的影响.结果显示,B元素的掺杂改变了金刚石膜的成分和结构,膜中非晶态碳含量随着掺杂浓度的增加而增加.在低掺杂时CVD金刚石厚膜成核面上的应力状态为压应力,在高掺杂时应力状态为张应力,张应力值随着掺杂浓度的增加而增加.掺杂CVD金刚石厚膜生长面的应力为张应力,在高掺杂时的张应力值较高.     

影响CVD金刚石膜完整性的几个关键问题

直流喷射化学气相沉积金刚石膜,其完整性一直是个难以解决的技术难题,并且直接影响了其推广应用.文章通过研究金刚石膜的质量、衬底与膜的结合力、以及衬底的膨胀系数等,分析了影响金刚石膜完整性的几个关键因素.     

CVD法生长金刚石晶粒的形态

用ＳＥＭ研究了ＣＶＤ法生长金刚石晶体形态，观察到了单晶立方八面体、双晶立方八面体和两种不同形态的二十面体。晶粒上的三角形晶面多为凹坑，电有晶面上分层发育的晶层。在二十面体中，还直接地发现了倾角间隙，对于ＣＶＤ法生长的金刚石晶粒这些都是首次观察到，此外还首次观察到其它几种立方多面体晶形。     

CVD法制声表面波基片金刚石层细晶粒的生长研究

金刚石／硅声表面波基片的金刚石层晶粒的细化有利于传播能量损耗的降低，采用热丝化学气相沉积法进行了硅基体上沉积细晶粒金刚石工艺的初步探索。探讨了基体温度、气压、氨气和甲烷浓度等因素对金刚石细晶粒生长的影响。对相应样品进行了扫描电镜和拉曼散射光谱分析。结果表明：在低气压范围、相同氩气浓度下，随着气压的降低，甲烷浓度也要相应降低，才能保证类似的金刚石结晶质量。同时，降低气压达到一定值后。金刚石晶粒尺寸变小，经测试可达到纳米级。     

CVD金刚石切削工具

阐述金刚石切削工具在机加工中的重要作用和CVD金刚石的优异性能以及CVD金刚石切削工具的形式.对CVD金刚石薄膜切削工具和CVD金刚石厚膜切削工具的特点和应用范围进行了分析对比,并指出存在问题和发展前景.     

CVD金刚石膜激光打孔温度场有限元仿真

化学气相沉积金刚石膜是聚优异力学、电学、热学性能于一体的材料.金刚石激光打孔过程中存在特有的石墨化现象使得其温度场的分布有别于其他材料,因而,开展CVD金刚石膜激光打孔温度场研究对于理解热加工机理和进行参数优化具有重要的指导意义.本文首先建立了考虑金刚石石墨化过程的激光打孔热力学模型,根据有限元模型开展对CVD金刚石膜激光打孔有限元仿真研究,得到激光打孔温度场和金刚石石墨化的分布规律,并讨论激光能量、脉冲宽度、重复频率对单个脉冲去除量和石墨化程度的影响.仿真结果表明:单个脉冲平均去除量和石墨化程度均随着激光能量、脉冲宽度、重复频率的增加而增加,但激光能量的影响最为显著;当激光能量取0.5～1.6 J,脉冲宽度取300～800 ns,重复频率取30～60 Hz时既可以得到很高的加工效率同时又可以获得热影响区域较小的加工效果.     

常压CVD法制备氮氧化硅薄膜沉积特性的研究

采用常压化学气相沉积方法(atmospheric pressure chemical vapor deposition,APCVD)制备了氮氧化硅(Si—O—N)薄膜,研究了影响其沉积速率和生长模式的因素。在φ(NH_3):φ(SiH_4)=20:1,基板温度为650℃的条件下,当混合气体流量小于720ml/min时,薄膜的形成主要受气体扩散过程控制;当混合气体流量大于720 ml/min时,则主要受表面气相反应过程控制;混合气体流量为720 ml/min的条件下,氮氧化硅薄膜的沉积过程主要受基板表面的气相反应过程控制,薄膜沉积厚度与沉积时间成线性关系,反应速率为常数1640 nm/min,表面活化能为283 kJ/mol。通过SEM分析发现:氮氧化硅薄膜的形成方式符合三维成核模型,即反应初期Si,N,O等原子在基板表面相遇结合在一起形成原子团,一定数量的原子团构成临界核;反应中期临界核长大为岛状结构,岛不断长大,岛与岛之间相互接合形成通道网络结构;反应后期,原子不断填补网络空洞,最后成为连续薄膜。     

CVD金刚石衬底上抗氧化、增透膜的制备与性能

采用射频磁控反应溅射法在化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)的金刚石衬底上制备了AlN薄膜以及AlN/Si和AlN/Ge膜。通过X射线衍射分析了衬底加热温度对薄膜微结构的影响和薄膜高温下的氧化行为。结果表明:在衬底加热温度低于380℃时制备的AlN薄膜为非晶态,480℃时AlN薄膜为六方多晶。AlN薄膜在800℃热暴露后开始氧化,900℃时基本被氧化为Al2O3。在CVD金刚石上制备的AlN/Si和AlN/Ge膜都能提高金刚石在长波红外波段(8～10μm)的透过性能,单面最大增透分别为8%和3%。镀有AlN/Ge膜的CVD金刚石在800℃高温热暴露实验中,有AlN/Ge膜保护的金刚石表面未发生刻蚀。高温下AlN/Ge膜对金刚石有很好的保护作用,同时增透效果没有明显下降。     

涂敷聚乙烯薄膜防雾性研究

采用外涂布工艺技术制备聚乙烯防雾膜。,通过对薄膜的透光率、雾度、-3 0℃低温实验 ,对粘结性、力学性能、实验室不同温度水浴和自制田间大棚覆盖防雾性测试进行评价 ,并和内添加法的防雾性进行对比。结果表明 ,涂层对薄膜的透光率、力学性能没有影响 ,耐低温性良好 ,粘结性强 ,防雾性好 ,40℃水浴 3 60天 ,60℃ 15 0天 ,80℃ 3 7天 ,田间大棚已达 15个月 ,是内添加法防雾膜防雾期的 5倍     

平面磨削金属结合剂金刚石节块的实验研究

本文研究了一种铁基结合剂金刚石节块的氧化铝砂轮平面磨削。通过在线测量水平和垂直方向磨削力，研究了氧化铝砂轮平面磨削加工金刚石节块过程中的法向力、切向力、力比以及磨削比能变化特征。观察了磨削后的金刚石节块表面特征。比较了逆磨和顺磨条件下的磨削特征。结果表明，顺磨条件下的法向力、切向力以及磨削比能均高于逆磨，但是切向力与法向力的比值在两种磨削方式下基本相同。     

半导体集成电路用表面钝化膜的研究

对高性能高可靠性集成电路来说，表面钝化已成为不可缺少的工艺措施之一。本文分析了目前应用最广泛的几种无机表面钝化膜（SiO2,Al2O3和Si3N4)的特点，并指出氮化硅薄膜是半导体集成电路中最具应用前景的表面钝化材料，发展低温的热化学气相沉积（CVD）工艺来沉积氮化硅表面钝化膜是集成电路发展的必然趋势，而开发新的能满足低温沉积氮化硅薄膜的硅源，氮源前驱体是解决这一难题的有效方法，并对这些前驱体物质的设计原则进行了阐述。     

金刚石镀Ti对金刚石锯片性能的影响研究

研制了一套简单易行的镀膜工艺,并将镀膜金刚石应用于胎体配方中制得金刚石锯片,并与相同胎体配方含未镀金刚石的锯片作比较,考察其对锯片性能的影响,并从金刚石和胎体间的界面反应对界面粘结强度的影响及金刚石的损伤程度上对其机理进行了微观分析。     

金刚石薄膜的表面成分和形貌对表面能的影响

采用微波等离子体化学气相沉积法制备了(111)面和(100)面金刚石薄膜。测量了金刚石薄膜与液体的接触角、金刚石薄膜表面粗糙度和电阻率。通过扫描电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱研究了金刚石薄膜的表面纯度和形貌等对表面能的影响。结果表明:金刚石纯度越高、表面粗糙度越大、晶粒尺寸越小,其表面能越大。经过空气等离子体后处理的金刚石薄膜的纯度和亲水性明显提高。随着在空气中放置时间的增加,亲水性逐渐减弱。在空气中放置相同时间,O2等离子体后处理的金刚石薄膜比H2等离子体后处理的金刚石薄膜亲水性好。     

四－叔丁基金属酞菁衍生物L－B膜的光电性能研究

四－叔丁基金属酞菁衍生物Ｌ－Ｂ膜的光电性能研究董长征，沈永嘉，蓝闽波，任绳武（华东理工大学精细化工研究所，上海２００２３７）肖绪瑞，林原，贾建光，沈涛（中国科学院感光化学研究所光电化学中心，北京１００１０１）关键词Ｌ－Ｂ膜，开路光电压，短路光电流，金...     

双向拉伸聚丙烯薄膜的生产工艺研究

介绍了双向拉伸聚丙烯(BOPP)薄膜的生产方法及工艺流程,分析了原材料、纵横拉伸比、温度等因素对BOPP薄膜物理、力学性能的影响,并且对生产中常见的问题进行了分析,提出了解决铸片常见缺陷及拉伸破膜的方法。