等离子体淀积设备

英国 Ion Vac 技术公司生产的 Chemetch 155型是一个平行板式等离子体增强化学气相淀积(PECVD)反应器,可将氮化物,氧化物和聚合物淀积到各种基片上。该设备能生产出没有针孔、有极光滑表面和优良介电特性的硬的、有粘附力的、光学透明的强交叉聚合的聚合     

钝化膜的低温等离子体淀积

硅烷气体分别和氮气、氧化亚氮(N_2O)通过射频电场产生辉光放电等离子体,以此增强化学反应降低淀积温度,在常温至350℃的条件下淀积了氮化硅和二氧化硅。 本文给出了在不同射频功率,淀积温度和硅烷气浓度条件下所得的淀积速率,薄膜腐蚀速率、折射率等主要实验数据以及红外透射光谱、俄歇电子能谱分析结果。     

等离子体化学汽相淀积磷硅玻璃

本文介绍了一种生长磷硅玻璃(PSG)的新方法,即等离子体化学汽相淀积(PCVD),给出了一些基本试验数据,并与一般采用的常规CVD工艺作了对比.     

等离子体低温淀积硅的有序生长

在减压和等离子体辉光放电情况下,使用SiCl_4,在700℃以下发现外延层不按衬底取向淀积,而强烈的按[110]晶向有序生长。认为分子自由路程可以影响生长活化能,减压和使用分子直径小的载气可以降低外延温度。由于SiCl_4和SiH_4反应机构不同,SiCl_4易于有序生长。     

等离子体淀积氮化硅膜的含氢量分析

采用弹性反冲法分析等离子体淀积氮化硅薄膜中的氢含量,并结合运用RBS和核反应~(16)O(d,p)~(17)O法给出了氮化硅膜中硅、氮组分比及杂质氧的含量。文中指出了基体温度从室温到560℃范围变化时,氮化硅膜的硅、氮、氢组成比例的变化,及与其它特性(折射率、密度、腐蚀速率)的相关性。     

激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究

采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.同时采用光学发射光谱、光声激光偏转方法对其基本的微观和宏观动力学过程进行了研究,在此基础上初步建立了膜淀积的物理模型,计算了膜淀积速率、膜面积等,结果与实验符合得较好.     

含氢硬碳膜的射频等离子体淀积

本文介绍在电容耦合射频放电中用碳氢化合物、如CH_4、C_2H_4及C_6H_6来制备硬碳膜。这种硬碳膜呈电绝缘(电阻率为10~(12)Ωcm),透红外,很硬(克氏硬度为1400kp/mm~2),折射率为1.8～2.0,可淀积于玻璃、石英、硅、锗、SiC、GaAs、Gd_3Ga_5O_(12)上,淀积速率很高(1000/min)。锗衬底上的这种单层膜在10.6μm处的反射小于0.2％。     

光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅰ)光化学气相淀积氧化硅的工艺研究

文章介绍制备光化学气相淀积氮化硅薄膜的原理、设备及实验结果。     

Low-Roughness Plasma Etching of HgCdTe Masked with Patterned Silicon Dioxide

A novel mask technique utilizing patterned silicon dioxide films has been exploited to perform mesa etching for device delineation and electrical isolation of HgCdTe third-generation infrared focal-plane arrays (IRFPAs). High-density silicon dioxide films were deposited at temperature of 80°C, and a procedure for patterning and etching of HgCdTe was developed by standard photolithography and wet chemical etching. Scanning electron microscopy (SEM) showed that the surfaces of inductively coupled plasma (ICP) etched samples were quite clean and smooth. Root-mean-square (RMS) roughness characterized by atomic force microscopy (AFM) was less than 1.5 nm. The etching selectivity between a silicon dioxide film and HgCdTe in the samples masked with patterned silicon dioxide films was greater than 30:1. These results show that the new masking technique is readily available and promising for HgCdTe mesa etching.     

Stress Controlled Silicon Nitride Thin Film Deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

SiN, films are deposited on silicon wafers through plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVD）. The relationship between the film stress and deposition factors is investigated. It is found that low stress films would be obtained by adjusting the ratio of low frequency（LF） power to high frequency（HF） power pulse time or the chamber pressure. The best of the two methods to control stress in the film is changing the percentage of LF power pulse time. The low stress condition is achieved when the percentage of low frequency power pulse time in total time（LF and HF pulse time） is close to 40%, The low stress cantilever of tunable vertical cavity surface emitting laser is obtained by using this deposition condition,     

衬底温度对直接光CVD SiO2薄膜特性的影响

采用以低压氙(Xe)气激发真空紫外光作光源,以SiH4和O2作反应气体的直接光CVD技术淀积SiO2薄膜.通过椭圆偏振法、红外光谱法、C-V特性法对不同衬底温度下淀积的SiO2薄膜的特性进行研究.结果表明: 衬底温度在40～200℃范围内,薄膜的折射率在1.40～1.46之间,在沉积膜的红外光谱中未出现与Si-H、Si-OH相对应的红外吸收峰.SiO2薄膜中固定氧化物电荷密度受衬底温度影响较大,其最小值可达1.73×1010cm-2.     

衬底温度对直接光CVD SiO2薄膜特性的影响

采用以低压氙(Xe)气激发真空紫外光作光源,以SiH4和O2作反应气体的直接光CVD技术淀积SiO2薄膜.通过椭圆偏振法、红外光谱法、C-V特性法对不同衬底温度下淀积的SiO2薄膜的特性进行研究.结果表明: 衬底温度在40～200℃范围内,薄膜的折射率在1.40～1.46之间,在沉积膜的红外光谱中未出现与Si-H、Si-OH相对应的红外吸收峰.SiO2薄膜中固定氧化物电荷密度受衬底温度影响较大,其最小值可达1.73×1010cm-2.     

The Silicon Dioxide Solution

The planar process also made it easy to interconnect neighboring transistors on a wafer, paving the way to another Fairchild achievement: the first commercial integrated circuits. As other companies realized the great advantages of planar technology and began adopting it on their own production lines, Hoerni's elegant idea helped to establish Silicon Valley as the microelectronics epicenter of the world.     

用ECR-CVD方法制备SiO2薄膜

本文在低温下利用ECR-CVD技术沉积SiO2薄膜,讨论了沉积速率和薄膜折射率随工艺条件变化的关系.直径6英寸片内均匀性达到96%,重复性达到97%.对薄膜进行了FTIR光谱分析,1050 cm-1处出现Si-O-Si伸缩振动吸收峰;仪器检测精度内,并未出现明显的Si-H和N-H吸收峰,表明薄膜具有很低的H含量.     

定域SOI区熔再结晶研究

用高频感应石墨条作为红外辐射热源,对淀积在二氧化硅衬底上的多晶硅进行了区熔再结晶.再结晶后硅膜晶粒宽度可达几百微米甚至几毫米以上,长度可在区熔扫描方向延伸到样品尺度.在晶粒中存在大量间隔约10-50μm的亚晶界.采用热沉技术及多晶硅膜厚调制技术对亚晶界进行了定域限制,达到了非常好的效果.TEM分析表明再结晶后硅膜呈[100]晶向.SEM观察表明再结晶后样品具有平整的表面及界面.Raman谱测量表明区熔再结晶后硅膜中张应力很小,约为0.9×10~9 dyne/cm~2.     

PECVD法氮化硅薄膜制备工艺的研究

采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在单晶硅衬底上制备了氮化硅薄膜,分别使用膜厚仪、椭圆偏振仪等手段对薄膜的厚度、折射率等参数进行了表征。研究了硅烷氨气流量比、极板间距等工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响,发现当硅烷氨气流量比增加时,薄膜厚度和折射率均随之增加,并发现退火工艺可以有效降低氮化硅薄膜的氢氟酸腐蚀速率。     

直流反应磁控溅射法制备锐钛矿TiO2薄膜

采用直流反应磁控溅射的方法，溅射高纯钛靶在玻璃衬底上制备了TiO2薄膜。用XRD测试了TiO2薄膜的结构，研究了工艺因素中衬底温度、溅射气压、氧氩气体流量比和退火温度对薄膜结构的影响。实验结果表明：衬底温度高于200℃、溅射气压不高于0．7Pa、氧氩流量比为1／4、退火温度为650℃时，锐钛矿TiO2薄膜更容易结晶。