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添加La2O3对Mg2TiO4陶瓷的显微结构与微波介电性能的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
采用传统烧结工艺,制备了具有不同La2O3含量的镁钛镧陶瓷,并研究了La2O3组份对材料晶相构成、晶粒、晶界的演变、介电常数和品质因数的影响。结果表明,不含La2O3的钛酸镁陶瓷主晶相为Mg2TiO4,其平均晶粒尺寸>60μm;引入La2O3后,出现新晶相La0.66TiO2.99,材料的晶粒尺寸明显下降;随La2O3含量的增加,材料的介电常数线性增加,材料的品质因数Q在10GHz出现最大值(16558)。 相似文献
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SiCw/BAS复合材料的显微结构及力学性能的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文采用热压烧结法制备出致密的SiCw增强BAS玻璃陶瓷基复合材料.结果表明,BAS基体晶化后获得以钡长石为主晶相和莫来石为次晶相的复相BAS玻璃陶瓷.晶须的加入对BAS基体有显著的强韧化效果,加入30vol%SiCw可使材料的室温抗弯强度和断裂韧性分别由基体的156MPa和1.40MPa·m1/2提高到356MPa和4.06MPa·m1/2.TEM观察结果表明,晶须/基体界面结合良好,无界面反应物和非晶层的存在.断口形貌和压痕裂纹扩展路径的SEM观察结果表明,复合材料的主要增韧机制为裂纹偏转、晶须的拔出和桥接. 相似文献
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研究了 mullite(w) 含量对 mullite(w)/TZP 复合材料显微结构和力学性能的影响。结果表明,当mullite(w)含量大于15 v.-%,热压温度超过1600℃时复合材料将开裂;原因是 Y_2O_3从 TZP 中脱溶进入玻璃相。mullite(W)含量在5-20 V.-%时,室温力学性能与基质 TZP 大致相同:σ_f=1200MPa,K_(IC)=12MPa2~(1/m);而1000℃时复合材料抗弯强度为360-430MPa,是基质 TZP 的1.8-2.1倍。 相似文献
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制备了具有不同Al2O3含量的镁镧钛陶瓷,并通过XRD和SEM及材料介电性能测试结果的分析研究了Al2O3对镁镧钛陶瓷材料的介电性能、晶相组成和显微结构的影响。结果发现,材料的相对介电常数εr随Al2O3含量的增加而降低,其品质因数Q(Q=1/tgδ)则相对保持了较高数值,最高可达14430(10GHz),不含Al2O3的镁镧钛陶瓷的晶相为MgTiO3和La0.66TiO2.99,加入Al2O3后,出现新晶相MgAl2O4和Mg4Al2Ti9O25,同时晶粒的平均尺寸有显著的减小。 相似文献
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自增韧氮化硅陶瓷显微结构与力学性能的表征 总被引:3,自引:0,他引:3
运用主成分分析法对自增韧氮化硅陶瓷显微结构与力学性能的表征进行了研究.确定了该材料的显微结构可以用其表征变量的第一主成分一综合结构指标代表.为了获得结构优良的自增韧Si3N4陶瓷,需要保证致密(基体晶粒直径d1小、材料相对密度ρ高)的基体、长径比 AR2大、直径均匀(Y2 × 100小)的增韧相·通过综合结构指标的计算证实了综合结构指标相近的材料具有相近的力学性能二材料的力学性能可以用表征变量的第一、二主成分代表,分别称它们为性能稳定性指标和平均性能指标.前者代表材料受显微结构彼动影响的力学性能-断裂韧性KIC和Weibull模量m,后者代表材料的平均力学性能一抗弯强度σf. 相似文献
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高度织构NaCo2O4陶瓷的热电性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
结合固相反应法和冷高压成型技术制备了具有高度结晶各向异性的热电氧化物陶瓷NaCo2O4.X射线衍射和扫描电子显微镜测试表明冷高压压制成型后烧结有利于样品内层状晶粒的C轴沿着施压方向取向排列,形成高度织构.室温以下热电性质的测试表明,电阻率P和Seebeck系数S呈现出金属性,S〉0,属于p型热电材料.与其他方法制备的样品进行比较,虽然晶界或点缺陷对声子散射的减少导致上述样品的热导率偏高,但是由于ρ降低、S升高,使得热电品质因子ZT值提高,300K时ZT值达到0.013. 相似文献
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Al2O3/Ni金属陶瓷显微结构和力学性能的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用包裹工艺和热压工艺制备了Al2O3/Ni金属陶瓷.在1450°C热压Ni包裹Al2O3复合粉体得到相对密度>98%的金属陶瓷,当温度>1400°C时,随着Ni含量的增加致密度下降.Ni颗粒位于三角晶界,随着含量的增加,断裂方式由沿晶转为穿晶断裂;在A12O3基体中引入Ni颗粒能够降低晶粒尺寸,提高强度和韧性.与单相Al2O3的力学性能相比,综合力学性能较好的NA4金属陶瓷的抗弯强度和断裂韧性分别提高了19%和35%,分析了金属陶瓷的增强增韧机制. 相似文献