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简要介绍了采用Michelson干涉仪测量压电材料复压电常数e31的新方法,给出了PZT系列PXE5型电压陶瓷e’31,e″31与温度,频率关系的测量结果,温度的范围为-60℃~+90℃,频率的范围为2.5Hz~2.5kHz。 相似文献
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利用双元控制器探测激光束的位置变化,该激光束由一个用压电陶瓷驱动的镜片反射。反映压电陶瓷加电压后倾斜的双元探测器输出电信号由一个平衡电桥来测量。 相似文献
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介绍了普通压电陶瓷变压器的结构和工作原理,分析了低温烧结PZT压电陶瓷材料的配制及其主要性能,以及如何利用其来实现低温烧结型多层叠片压电陶瓷变压器,最后对低温烧结型多层叠片压电陶瓷变压器的主要应用、空载和负载特性进行了讨论。 相似文献
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介绍了一种新型低压压电陶瓷相移器及其驱动电路的原理、结构和标定方法,并阐述了它在电子散斑干涉计量(ESPI)中的应用。 相似文献
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压电陶瓷微位移特性的电脑接触式干涉测量法 总被引:4,自引:1,他引:4
介绍了压电陶瓷微位移器的工作原理,在此基础上提出了一种用由立式接触式干涉仪改造的电脑接触式干涉仪测量微位移特性的方法。其完善的测试软件系统,实现了对压电陶瓷微位移量的自动化、智能化精密测量。并对自行设计的压电陶瓷微位移装置进行了测试,得出电压-位移的关系曲线和迟滞曲线,精度和重复性值达0.01μm。 相似文献
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压电陶瓷变压器技术研究与发展现状 总被引:2,自引:0,他引:2
压电陶瓷变压器是一种体积小、重量轻、效率高、无电磁干扰、不怕燃烧、结构简单、制作简便、易批量生产、不用磁芯的新型电子器件。文中对目前压电陶瓷变压器的主要形式及工作原理作了较为详尽的分析和阐述,并对压电变压器的应用现状作了介绍,提出了压电变压器今后发展中需要解决的几个问题。 相似文献
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转轴的圆跳动对机床的加工性能具有重要影
响。为了满足实时在线的高精度测量需求,提出了一种新颖高效
的轴跳动激光相干测量技术。该技术采用稳定可靠的基于塞曼效应的He-Ne激光器作为
光源,具有灵敏度高、输出信噪比高、精
度高、探测目标作用距离远等优点。另外,通过光纤传输,其测量
灵活性和抗干扰性得到了进一步提高,可以满足实时在线的远距离测量需求。实验
结果表明,该系统的测量不确定度小于0.1%。 相似文献
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多层压电变压器具有体积小,质量轻,效率高等特点,具有许多重要的应用领域。本文首次采用目前国内外最先进的激光光纤测振仪测量了多层压电变压器的谐振特性和振动位移情况,为多层压电变压器的设计和研究提供了一种非常有效的测试技术。 相似文献
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本文叙述用激发物激光烧蚀法沉积几种铁电和压电薄膜的制备法和性能,并介绍了这些薄膜在微电子学器件和微波声学器件方面的应用。 相似文献
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采用传统固相法陶瓷制备工艺制得高锂铌酸基无铅压电陶瓷体系xLiNbO3-(1-x)(Na0.5K0.5)NbO3(简写为xLN-(1-x)NKN,其中x=0.146,0.236,0.292,0.348,0.361,0.382,0.438,0.472,0.500,0.528,0.618),研究了该体系的晶相结构,断面形貌及电学性能随x的变化。研究表明,随x的增加,样品主晶相有一个四方钙钛矿到四方钨青铜结构再到LiNbO3三方结构的过程;压电常数d33随着x的增加而减小,但在x=0.236~0.438时保持相对稳定,约为75~80 pC/N;当x=0.5时,居里温度TC为537℃,此系列陶瓷适用于高温环境的压电陶瓷。 相似文献
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压电马达用压电陶瓷的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用传统的电子陶瓷工艺制备了高性能四元系压电陶瓷 (PZN- PMS- PZT- r Mn O2 )。考察了不同剂量的锰掺杂对压电陶瓷的介电性能和压电性能的影响 ,即室温介电常数 ε、介电损耗 tanδ、居里温度 Tc、机电耦合系数 kp、压电常数 d33和机械品质因数 Qm。随着 Mn含量的增加 ,ε和 tanδ均减小 ;由于内偏置场的影响 ,居里温度 Tc随锰含量的增加而增加。kp 和 d33随 Mn含量的增加而减小 ;而 Qm 表现出较复杂的变化规律 ,随 Mn含量的增加 Qm先增加 ,当 r=0 .2 %时 ,达到最大值 10 0 0 ,当 r>0 .2 %时 ,Qm 下降。实验结果表明 :当 r=0 .2 %的锰掺杂压电陶瓷比较适合制作压电马达 ,其压电性能为 ε=12 0 0、tanδ=0 .0 0 4、Tc=349°C、kp=0 .6 0、d33=380 p C/ N和 Qm=10 0 0 相似文献
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压电陶瓷材料电学性能参数测量研究 总被引:3,自引:0,他引:3
从双层压电梁在电场作用下的位移响应与电场的关系式出发,借助于试验数据逆推导出压电陶瓷材料的电学性能参数。位移响应的试验数据采用非接触激光测振仪得到。该文方法相对压电参数测量的静态法、动态线路传输法和动态电容法减少了许多中间测量环节和等效处理手段,且易于具体实施,相对于动态位移法又有更好的精度,为压电陶瓷类材料电学性能参数测量提供了一种全新的测量方法。 相似文献
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无铅压电材料NBT-BZT陶瓷压电性能及改性 总被引:10,自引:3,他引:10
通过配方试验和性能测试分析研究了(1x)Na1/2Bi1/2TiO3-xBa[ZryTi(1y)]O3(x=0.04,0.06,0.08,0.10,y=0.04,0.045,0.05,0.06)无铅压电陶瓷的压电、介电性能。以及当x=0.06,y=0.045时引入Sn4+对NBT-BZT材料的压电介电性能影响。研究表明:当x=0.06,y=0.045, Sn4+对(Na1/2Bi1/2)2+取代量为0.02时,系统的压电性能参数d33和kt分别达到196 pC/N和0.55,相对介电常数可提高到1 263。 相似文献