GaAs超高速门阵列集成电路Se离子注入技术研究

采用室温下Ｓｅ＾＋离子注入半绝缘ＧａＡｓ衬底，通过优化注入能量，剂量，注入角度及快速热退火温度，时间，获得了高剂量下杂质激活率大于７４％，注入层平均载流子浓度为（５－６）×１０＾１６－ｃｍ＾－２，平均载流子迁移率为３０１０ｃｍ＾２／ｖ．ｓ，载流子浓度分布陡峭的优质离子注入薄层，成功地研制出３０００门ＧａＡｓ超高速门阵列集成电路。     

用离子注入在GaAs中形成高浓度超薄有源层

高浓度浅结是高速砷化镓MESFET的重要技术.我们采用透过氮化硅薄膜进行Si离子注入的方法研制了载流子浓度大于10~(15)cm~(-3)的薄形有源层(<1000A).试验结果表明,氮化硅膜的厚度基本等于载流子浓度峰值位置向衬底表面移动的距离;高剂量(>10~(15)cm~(-2)),低能量,(<80keV)和较厚的氮化硅可以制得符合要求的薄形有源层.     

离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究

本文用4.2MeV ~7Li离子卢瑟福背散射沟道技术研究了Si上外延GaAs膜在MeV Si离子注入及红外瞬态退火后的再生长过程。实验表明,离子注入可使GaAs外延膜内形成一无序网络,当注入剂量低于某一阈值时,850℃,15秒退火后,损伤区可完全再结晶,再结晶后的GaAs层的晶体质量特别在界面区有很大的改善;当剂量超过该阈值时,出现部分再结晶。激光Raman实验也表明,经过处理后的GaAs层Raman谱TO/LO声子的比率比原生长的样品有很大的降低。     

离子注入技术

离子注入自70年代实用化以来已发展成半导体工艺的基础技术之一，在VLSI制造工艺中，离子注入的主要作用是改变衬底的电学特性，其最重要的用途是调整MOS器件的阈值电压，形成源漏，减小接触电阻及寄生电容等，与扩散相比离子注入具有掺杂离子纯度高，掺杂量精确，深度控制准确，处理温度低及不易发生横向扩散等优点，就目前的技术而言，离子注入在面内均一性，再现性等方面都能达到0.5%以下，即使在10^11数量级时仍有良好的均一性和再现性，目前离子注入是该数量级搀杂的唯一手段，下面就离子注入的基本概念和今后的趋势作一简单概述。     

GaAs VHSIC的离子注入和快速热退火的均匀性研究

研究了改变注入角、ｐ型埋层注入及红外快速热退火对ＧａＡｓＩＣ有源层均匀性的影响，得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。在２英寸圆片上做出的场效应管无栅饱和电流相对偏差２．３％，器件阈值电压标准偏差９８ｍＶ。用该材料做出了６７２门ＧａＡｓ超高速门阵电路，还做出了工作频率为５ＧＨｚ的除二动态分频器。     

GaAs器件的离子注入新技术研究

本文介绍了离子注入技术中双偏角注入,大偏角注入和双向双偏注入等新工艺与使用效果。同时,阐析了BF~+对Si~+注入的沾污,以及以上研究在研制高水平GaAs器件中的关键作用。     

离子注入和退火技术

离子注入和退火技术（索尼）野口隆１前言多晶硅ＴＦＴ已在ＬＣＤ、ＬＳＩ存储器两个领域中成为重要的开关元件。对于６００℃以上工艺，离子注入和退火技术就成了提高ＴＦＴ性能的最重要的工艺。氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）ＴＦＴ已作为有源矩阵用于大面积显示（ＬＣＤ）...     

离子注入线结制备技术

根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入线结制备技术，即：大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入，通过介质掩膜注入，注入固体源驱入扩散再分布，等离子体浸没离子注入和反冲离子注入等。     

硅探测器加工中的离子注入工艺设计与控制

应用离子注入工艺可制备获得线性电流大、窗口死层薄的硅pin辐射探测器。首先简要介绍了离子注入工艺形成pn结的原理,重点根据技术要求进行了离子注入工艺设计和计算,分别得到了注入能量为40 keV和注入剂量为4×1014/cm2的两个重要控制参数。同时分析了在离子注入工艺中存在的影响因素和相应处理方法,对生产具有良好的指导作用。采用所设计的工艺参数制备获得的硅pin辐射探测器各项技术指标均满足要求,验证了离子注入工艺设计与参数控制的有效性。     

离子束辅助低能碳离子注入工艺原理

离子束辅助低能碳离子注入是在低能含碳离子束轰击样品表面并沉积膜层的同时采用中能离子束辅助轰击注入，它可在低温下将碳离子注入到样品表层足够的深度，其注入深度比动态离子束混合(DIM)增加1～2倍。离子束流实行交替变化，有利于保持较低的样品基体温度，且比恒束流注入的深度有明显增加。它对材料表面改性效果明显优于DIM工艺，离子注入改性后，40Cr钢表面显微硬度HV可提高一倍左右。     

Metal Ion Implantation for the Fabrication of Stretchable Electrodes on Elastomers

Here, the use of low‐energy metal ion implantation by filtered cathodic vacuum arc to create highly deformable electrodes on polydimethylsiloxane (PDMS) membranes is reported. Implantation leads to the creation of nanometer‐size clusters in the first 50 nm below the surface. When the elastomer is stretched, these small clusters can move relative to one another, maintaining electrical conduction at strains of up to 175%. Sheet resistance versus ion dose, resistance versus strain, time stability of the resistance, and the impact of implantation on the elastomer's Young's modulus are investigated for gold, palladium, and titanium implantations. Of the three tested metals, gold has the best performance, combining low and stable surface resistance, very high strain capabilities before loss of electrical conduction, and low impact on the Young's modulus of the PDMS membrane. These electrodes are cyclically strained to 30% for more than 10⁵ cycles and remain conductive. In contrast, sputtered or evaporate metals films cease to conduct at strains of order 3%. Additionally, metal ion implantation allows for creating semi‐transparent electrodes. The optical transmission through 25‐µm‐thick PDMS membranes decreases from 90% to 60% for Pd implantations at doses used to make stretchable electrodes. The implantation technique presented here allows the rapid production of reliable stretchable electrodes for a number of applications, including dielectric elastomer actuators and foldable or rollable electronics.     

钒注入制备半绝缘SiC的退火效应

对钒离子注入P型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究.注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1 650℃退火后,钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.6×1010Ω·cm和7.6×106Ω·cm.借助原子力显微镜对样品表面形貌进行分析,发现碳保护膜可以有效减小高温退火产生的表面粗糙,抑制沟槽的形成.二次离子质谱分析结果表明退火没有导致明显的钒在SiC中的再扩散.即使经过1 650℃高温退火,也没有发现钒离子向SiC表面外扩散的现象.     

强流金属离子注入

金属等离子体浸没注入（MEPIII）技术与金属蒸气真空弧（MEVVA）源注入技术有相同之处,也有各自不同的特点。采用两种方法进行钛离子注入硅,RBS方法分析注入层,并对两种注入技术予以比较。     

用离子注入工艺改善Si/SiGe HBT 高频噪声性能

常规工艺制作的SiGe/Si HBT高频噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,为减小基极电阻从而达到改善其高频噪声的目的,本文采用离子注入自对准工艺方法进行器件制作,并测试出器件的直流与最小噪声系数有显著改善.     

由浅离子注入实现的MQW混合

用浅Ｐ＾＋离子注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变多量子阱（ＭＱＷ）激光器Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火,体内ＭＱＷ层发生组份混合（ｉｎｔｅｒｍｉｘｉｎｇ）,导致器件的带隙波长蓝移（ｂｌｕｅ ｓｈｉｆｔ）,结构的光荧光（ＰＬ）峰值波长向短波方向移动了７６ｎｍ。作者认为,有源区中的应力对量子阱混合起到了十分关键性的作用。     

低能离子注入的应用

集成电路的发展要求制备出超浅结或超薄有源层，以满足器件高密度和高速度的要求，低能离子注入是形成浅结的最有效手段，本文介绍了低能离子注入硅和ＧａＡｓ衬底中形成０．１ｕｍ以下的硅超浅结和ＧａＡｓ超薄有源层，以及它们在一些器件上应用的结果。     

碲镉汞离子注入温度研究

作为pn结成型的重要参数,离子注入温度对晶格缺陷和材料扩散的影响较大。在碲镉汞的离子注入过程中,注入温度很大程度上影响着注入区的尺寸与光刻掩膜的形貌。从离子注入工艺的温度控制出发,研究了该工艺中的束流、注入能量、接触面粗糙度等因素;结合器件的I-V曲线,探究了注入温度对碲镉汞红外探测器性能的影响。结果表明,较低的注入束流、冷却温度以及良好的导热面,可以保证实际注入温度低于光刻胶的耐受温度,从而提高工艺过程的成品率。同时,较低的注入温度对于减小暗电流及注入区扩散面积起到了一定的作用,提高了碲镉汞红外探测器光敏元的性能。     

集成电路工艺模拟中的离子注入设备模型研究

以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并进行了离子注入设备模型的初步研究.