PLZT铁电薄膜与透明陶瓷的椭偏光谱研究

用溶胶－凝胶技术制备了组分为６／６５／３５的ＰＬＺＴ非晶薄膜,这类薄膜具有类铁电性。在２００￣７００ｎｍ的波长范围内测试ＴＬＺＴ类铁电非晶薄膜和同样组分的透明陶瓷的椭偏光谱,得么了其光学常数谱（浙射率ｎ谱和消光系数ｋ谱）,并对其吸边和一些光学性质进行了对比和讨论。     

PLZT(x/65/35)透明铁电陶瓷的制备及性能研究

采用热压通氧烧结工艺制备PLZT(x/65/35)透明铁电陶瓷材料,系统地研究了不同的La含量(x=0.08～0.10)对PLZT陶瓷透过率的影响,当x=10时,材料的透过率达到68%.测试了不同的La含量下的PLZT透明陶瓷材料的电滞回线.用法拉第磁光调制法测量了不同的La含量的PLZT(x/65/35)透明铁电材料在电场下的双折射△n,△n随La含量的增加而下降.     

原位Raman光谱技术研究PLZT铁电陶瓷相变

采用传统固相反应法制备了原子比Zr/Ti≈52/48,掺杂少量镧的锆钛酸铅(PLZT)铁电陶瓷材料,X射线衍射分析表明得到的陶瓷粉末样品为纯钙钛矿相。对PLZT铁电陶瓷材料进行不同温度下的原位Raman谱观测,得到了各Raman特征谱的频率和峰强随温度的变化规律。结果表明,从-200℃升温至600℃过程中,准同型相界附近的PLZT铁电陶瓷分别发生了两种相变:在0℃发生了单斜相到四方相的转变,而在350℃发生了四方相到立方相的转变;并且,在-150℃和250℃附近还可能分别发生低温单斜相到高温单斜相和混合相的相变。     

ZrO2复合对PLZT铁电陶瓷电致疲劳性能的改善

研究了复合ＺｒＯ２对ＰＬＺＴ铁电陶瓷性能的影响,随着ＺｒＯ２的添加,复合材料体系的铁电性能有一定的减弱,但是电致疲劳性能却得到明显的改善。断口的显微结构观察表明,随着ＺｒＯ３的添加,断口由部分沿晶断裂模式向穿晶断裂模式转化,证明了ＺｒＯ２的引入提高了晶界强度,从而改善了材料的电致疲劳特性。     

PLZT陶瓷的光伏效应研究

本文介绍了一种可应用于光控伺服系统的新型光－机转换器件ＰＬＺＴ陶瓷片，由于极化后的ＰＬＺＴ陶瓷片具有光致伸缩效应，由此可根据光信号来控制ＰＬＺＴ陶瓷片的伸缩量。实验表明，ＰＬＺＴ陶瓷片在一定紫外光照射下，ＰＬＺＴ陶瓷片呈现出很强光致伸缩效应，由于伸缩量与光电压成线性关系，所以，测量出ＰＬＺＴ光电压与照射光强度的关系，并由此建立ＰＬＺＴ陶瓷光伏效应的电气模型     

PLZT陶瓷中的光致伏特效应的研究

研究了PLZT陶瓷中的体光伏特效应。采用通氧热压技术制备PLZT陶瓷。试样被切割加工成4.5×3×1mm~3并沿3mm 方向加以极化,在高于居里点的温度下以较低的电压(～250V/mm)极化。在高压球形汞灯的照射下,所研究的PLZT试样呈现较强的光致伏特效应。在4/56/44PLZT陶瓷中,其光伏电压和电流输出分别为1.2kV/cm(开路态)和0.9μA/cm~2(闭路态)。实验表明 PLZT 的光伏电流与光照强度有关而与外接电阻负载无关(在0～10~8Ω范围内);外加偏置场对极化前后的4/56/44PLZT陶瓷的光伏特性的影响的实验表明:受光照射后产生的光致激发载流子在一有效驱动电场的作用下作定向运动,从而对外表现出光伏效应的行为特征,这一有效场为材料的剩余极化场;外加偏置电场可诱发或加强材料的光伏电压和电流的输出。     

气相扩散法实现对PLZT陶瓷的表面改性

提出用高温气相扩散法实现对透明铁电PLZT陶瓷的表面改性,并对PLZT-7/65/35陶瓷用箱法扩散进行了改性。测量结果表明:改性后紫外光光敏度提高了2个数量级,且对可见光敏感,具有较为平坦的光响应;由于不再采用高能离子注入技术,成本大大降低,方法也十分简单;为透明铁电PLZT陶瓷向实用化发展提供了一个良好的途径。     

高铬过共析钢奥氏体晶粒的长大规律

研究了高铬过共析钢在不同加热温度和不同保温时间下的奥氏体晶粒长大规律。结果表明,晶粒平均直径D随温度T的升高呈指数关系长大,保温时间1h有表达式:D=2.6×10~(10)exp(-22×10~4/RT);在温度为950,1050和1200℃下分别保温3h以上时,奥氏体晶粒长大规律较好地符合幂函数关系,温度越高,晶粒长大速度越快;该钢在950～1050℃温度范围内具有较好的抗晶粒粗化能力。     

PLZT铁电薄膜的物理特性研究

铁电薄膜是近几年人们关注的功能材料。本文对用溶胶－凝胶技术制备的ＰＬＺＴ铁电薄膜从热处理工艺、Ｘ射线结构分析、ＦＴ－ＩＲ红外光谱等各个方面作了较为系统的研究。讨论了ＰＬＺＴ铁电薄膜的热处理工艺条件,结构特性、光谱特性与材料的表观裂纹、晶态与非晶态之间的关系。对红外光谱的特征吸收峰作了指认,得到了一系列有意义的结果。     

透明PLZT电光陶瓷材料的制备及应用研究进展

ＰＬＺＴ电光材料（陶瓷和薄膜）具有很好的秀明性和大的电光效应，可广泛应用于光电子学、集成电学等领域。本文综述了透明ＰＬＺＴ电光陶瓷、薄膜的制备工艺及应用，分析了其研究现状，简单论述了其发展趋势。     

PLZT陶瓷靶材及溅射薄膜的微观结构研究

研究了铁电ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）陶瓷靶材及用射频磁控溅射法制备的相同组分陶瓷薄膜的矿物结构及显微结构。实验结果表明，与陶瓷靶材相比，陶瓷薄膜的结晶取向发生了较大的变化，晶粒度减小，致密度提高，但晶粒无完整的晶形。随退火温度的提高，薄膜的缺陷明显增加。     

机械合金化制备PLZT(5/54/46)陶瓷

研究了机械合金化制备PLZT陶瓷.实验结果表明,采用纳米TiO₂原料,球磨5h就能得到PLZT粉体,而采用微米TiO₂原料,球磨30h也只有少量的PLZT出现.可见纳米粉体在机械合金化制备PLZT粉体过程中起了重要的作用.机械合金化制备的PLZT粉体具有很好的烧结性能,在1000℃的烧结条件下可以得到致密度达97％的PLZT陶瓷,并且所得PLZT陶瓷的压电性能和铁电性能与其它文献报道的相当.这为实现铁电陶瓷与电极低温共烧打下了基础.     

铁电陶瓷的电疲劳机理研究

研究了ＰＭＮ－ＰＮＮ－ＰＺ－ＰＴ和ＰＬＴ铁电陶瓷的电疲劳特性及其疲劳机理。研究结果表明,疲劳与所加的疲劳电压大小有很大关系。当电压较小时,疲劳不明显;当电压较大时,疲劳加剧。     

MSP方法评价PLZT压电陶瓷的强度

采用MSP方法简便有效地评价了氧化物混合法和机械合金化法制备的PLZT压电陶瓷的破坏强度. MA法制备PLZT陶瓷在较低温度下就能烧结致密,具有较好的化学和结构均匀性.相同温度烧结的PLZT陶瓷不仅比MO方法制备的PLZT陶瓷电学性能好,而且破坏强度也更高.PLZT陶瓷经极化后,破坏强度会下降.     

烧结过程对氧化锌压敏陶瓷晶核形成和生长过程的影响

粞文研究了烧结过程中升温速度及其温区对Ａ，Ｂ两类ＺｎＯ压敏陶瓷材料的晶粒尺寸和击穿场强的影响规律，发现加快４００－９５０℃段的升温速度，Ａ类试样的晶料 寸增大，击穿场强Ｅ从６０Ｖ／ｍｍ下降到１５－３０Ｖ／ｍｍ；Ｂ类试样的闰尺寸变小，Ｅ１ｍＡ从２２０Ｖ／ｍ提高到２９０Ｖ／ｍｍ，要文从晶核形成速度和晶粒生长速度与温度关系出发，对实验结果进行了分析，讨论留念方体系决定晶核形成速度与温度的关系，在瓷料合适     

铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究

采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为 10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能。