分子束外延生长A1掺杂n型ZnS1—xTex的类DX中心

应用光致发光（PL）电容--电压（C-V）、深能级瞬态谱（DLTS）和光电导（PC）技术系统研究A1掺杂ZnS1-xTex中与A1有关的类DX中心,实验结果表明,ZnS1-xTex中存在与Ⅱ-Ⅴ族半导体DX中心相类似的性质。获得与A1有关的类DX中心光离化能Ei(～1.0eV和2.0eV）和发射势垒Ee(0.21eV和0.39eV）,这表明ZnS1-xTex大晶格弛豫的出现是由类DX中心引起。     

应变层Si1—x—yGexCy合金研究

本文综述了Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ合金的研究进展，包括合金的应变补偿效应，微观结构，能带结构和光电特性等。     

Si1—xGex合金半导体及其应用

Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金及其与Ｓｉ构成的应变层异质结构，量子阱、超晶格是近年来迅速发展起来的一种具有广阔应用前景的半导体微结构材料，本文着重综述了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金的结构，电学，光学性质及其广阔和应用价值。     

钼—钨—铼合金

介绍一种具有良好耐腐蚀性，延伸性，抗拉强度和较高再结晶湿度的钼，铼，钨合金材料。该合金可用于制作氯碳氟化合物等化学制品加工设备。     

宽禁带Ⅱ—Ⅵ族四元合金Zn1—xMgxSySe1—y成分的定量俄歇分析

用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－７薄膜，在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射后，提出了一种确定四元合金Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ组分的方法，即：利用ＺｎＳｙＳｅ１－ｙ和化学配比的ＭｇＳｅ作为标准样品，通过Ｘ射线衍射和嘈曼散射测得标准样品ＺｎＳｙＳｅ１－ｙ中的Ｓ组分，再根据ＺｎＳｙＳｅ１－ｙ和ＭｇＳｅ的俄歇谱图，对各 相     

9μmp^＋—GexSi1—x／p—Si异质结内光电红外探测器

用分子束外延方法生长了ｐ＾＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０＾３Ｖ／Ｗ。     

Pd—Ag—Si合金膜中的亚稳相

利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）对Ｐｄ－Ａｇ－Ｓｉ合金膜的亚稳相进行了研究，结果表明，真空蒸发的Ｐｄ－Ａｇ－Ｓｉ合金膜由粒度的均匀的纳米晶粒组成，具有ｆｃｃ结构，经不同温度退火后，在薄膜的局部区域析出了未知结构的亚稳相。利用电子衍射图确定了这些亚稳相的结构。     

Si1—xGex合金的浅杂质光电导谱

在４．２－５０Ｋ温度范围内研究了直拉法生长的富含Ｓｉ的Ｓｉ１－ｘ－Ｇｅｘ合金的浅杂质光电导谱，首次观察到了锗硅合金中从硼受主杂质基态到ｐ３／２价带的光电离跃迁过程及硼受主杂质的自旋－轨道分裂带相联系折光电导过程，并由此确定了硼杂质的电离能。     

P^＋—GexSi1—x／p—Si异质结内光发射长波红外探测器量子效率模型

本文在对原有模型改进的基础上建立了一个Ｐ＾＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射长波红外探测器量子效率的解析模型。与原有模型相比，其特点是考虑了载流子输运作用对量子效率的影响。理论计算与实际结果比较表明，该模型与现有模型相比能更好地与实际相符合。     

Cu—Ni—Be高导电耐磨合金时效析出的TEM研究

本文用TEM确定了Cu—Ni—Be合金时效时G·P区和γ’析出相(NiBe)是合金硬度、电导率变化的重要原因,同时确立了NiBe与母相之间的相位关系:(110)_P//(100)_M,[001]_P//[001]_M;惯析面为[001]。     

Al—2.6Li—1.3Cu合金中T1相及其生长机制

用电子衍射方法给出了Ａｌ－２．６Ｌｉ－１．３Ｃｕ合金中Ｔ１相的各种变体，并通过Ｔ１相与母相的位的向关系及Ｔ１相的分子组成描述了Ｔ１相的生长机制，Ｔ１相呈不规则薄片状，通过消耗δ相及从基体中吸取Ｃｕ原子逐渐长大，Ｔ１相长大速度是各向异性的，侧面长大速度大于厚度方向的长大速度。