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介绍了使用0.2μm GaAsHEMT工艺设计的一个10Gb/s以上的光纤传输用2:1复接器。该复接器使用了半速率时钟的结构。为了减小功耗,设计时使用了3.3V的电源,并对每个单元进行了优化。整个芯片的功耗约为460mW。测试结果显示,该电路可以工作在10Gb/s以上的数据速率。 相似文献
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利用TSMC的O.18μm CMOS工艺,设计实现了单片集成的5 Gb/s锁相环型时钟恢复电路。该电路采用由半速率鉴相器、四相位环形电流控制振荡器、电荷泵以及环路滤波器组成的半速率锁相环结构。测试表明:在输入速率为5 Gb/s、长度为211-1伪随机序列的情况下,恢复出时钟的均方根抖动为4.7 ps。在偏离中心频率6MHz频率处的单边带相位噪声为-112.3 dBe/Hz。芯片面积仅为0.6mm×O.6 mm,采用1.8 V电源供电,功耗低于90 mW。 相似文献
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采用0.18μm CMOS工艺设计实现了一个12.5 Gb/s半速率时钟数据恢复电路(CDR)以及1:2分接器,该CDR及分接器是串行器/解串器(SerDes)接收机中的关键模块,为接收机系统提供6.25GHz的时钟及经二分接后速率降半的6.25Gb/s数据.该电路包括Bang-bang型鉴频鉴相器(PFD)、四级环形压控振荡器(VCO)、V/I转换器、低通滤波器(LPF)、1:2分接器等模块,其中PFD采用一种新型半速率的数据采样时钟型结构,能提高工作速率达到12.5 Gb/s.芯片测试结果显示,在1.8V的工作电压下,VCO中心频率在6.25GHz时,调谐范围约为1GHz;输入12Gb/s、长度为231-1的伪随机数据时,得到6GHz时钟的峰峰抖动为9.12ps,均方根(RMS)抖动为1.9ps;整个系统工作性能良好,二分接器输出数据眼图清晰,电路核心模块功耗为150mW,整体芯片面积0.476×0.538mm2. 相似文献
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一种应用于高速光纤通讯系统的激光二极管/调制器的单片集成驱动电路已开发成功。该电路的制造使用了0.2μm PHEMT工艺,它的工作信号带宽超过12GHz。在12Gb/s速率下测得了摆幅峰值为3.4V的输出信号眼图。基于实验结果,我们判断该电路的最大工作速率超过24Gb/s。该驱动器电路使用单电源-4.5V供电,功耗小于1.8W。 相似文献
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摘要:采用SMIC 0.18um CMOS工艺设计并实现了一个5-Gb/s在片集成时钟提取功能的2:1复接器,且该时钟提取子电路具有自动相位对准功能.芯片面积为670um*780um.在1.8V电压下,总功耗为112 mW, 输入灵敏度在50 mV以下, 输出单端摆幅大于300 mV. 测试结果表明,该复接器能够在不需要任何外接元件、参考时钟或外部相位调整下可靠地工作在1.8 Gb/s至2.6 Gb/s之间的任何输入数据速率. 该芯片可被用在并行光互连系统中. 相似文献
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采用SMIC0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb/s限幅放大器。该放大器采用了带有级间反馈的三阶有源负反馈放大电路。在不使用无源电感的情况下,得到了足够的带宽以及频率响应平坦度。后仿真结果表明,该电路能够工作在10Gb/s速率上。小信号增益为46.25dB,-3dB带宽为9.16GHz,最小差分输入电压摆幅为10mV。在50Ω片外负载上输出的摆幅为760mV。该电路采用1.8V电源供电,功耗为183mW。核心面积500μm×250μm。 相似文献