铁制容器的内壁处理方法

1.本铁制容器内壁的处理方法由下列过程组成，即在被处理容器中注入一定浓度的盐酸之后放置一段时间。放出该盐酸后用蒸汽或蒸汽热水混合物洗涤内壁，再用干燥气干燥内壁。将容器加热到一定温度以上，并抽空一定时间。容器内封入氧化性气体后放置一定时间。2.在被处理容器中封入氧化性气体后放置一定时间。所封入的氧化性气体是氧、含氧气体、干燥空气、臭气、含臭氧气体或二氧化氮。放置时间为一天以上。3.封入被处理容器的含氧气体或含臭氧气体的氧或臭氧的浓度都要保持在100ppm能上能下。     

清洗用氟化气体材料的开发

清洗用氟化气体材料的开发近年来，以半导体的高集成化为代表的电子工业在技术革新方面取得了显著的成绩，其中新材料的使用和新技术的产生是该领域得以发展的关键。在半导体制造业中，化学汽相淀积（ＣＶＤ）和物理汽相淀积（ＰＶＤ）等等薄膜制备技术是必不可少的。在用...     

用弧光放电法制备氧化物超细粉

本文研究了用弧光放电法制备氧化物越细粉（UFP）──SiO2、In2O3。此法用保护气的喷嘴作为其中一个电极（阳机），阳拨材料是钨，阴极是原料金属Si、In，阴、阳电极在氩—氧气氛下产生电弧，氢气由喷嘴进入反应器。得出如下结果：（1）用氯气保护钨电极，制备出高质量的SiO2超细粉；（2）在氧气体积百分含量10％，电流100A条件下，高质量In2O3超细粉产率为125g/h；（3）In2O3－SnO2混合起细粉可由此法制得，它们各自的含量明显受金属氧化物蒸气压力的影响。用弧光放电法制备氧化物超细粉@远藤喜重…     

不锈钢的黑色化学氧化

不锈钢的黑色化学氧化主要用于海洋舰船、湿热、高腐蚀介质等恶劣环境下使用的光学仪器中不锈钢零部件的消光处理,本工艺与电镀黑铬相比较,不但方法简化,效果也好。1.工艺流程: 零部件检验→汽油除油→干燥→化学除油→冷水清洗→不锈钢化学氧化→冷水清洗→热水清洗→烘干→检验。2.工艺规范:     

昂贵铂基电极的替代材料

采用燃料电池可实现无污染发电。在这种氢燃料电池中,有两个含有催化剂的铂基电极,该电极可将氢和氧转化为水或将水裂解为氢和氧。氢气在通过其中一个电极时,被分裂成氢质子和电子。电子在回路中流动产生电流,而质子则流向另外一个电极,并与氧结合形成水分子。铂基催化剂还用于将水裂解为氢和氧,并作为燃料储存于电池中,还用于其它能源技术中。但是,铂为贵金属,非常稀有,难以作为广泛使用的石化类燃料系统的替代技术。     

多晶硅太阳能电池片的回收再利用研究

从废弃的太阳能电池片中回收多晶硅原材料对于环境保护和材料的循环再利用具有重要意义。本文研究了用化学溶解和超声清洗回收电池片的最佳条件。分别对实验样品进行EDS、SEM、XPS分析, 得出结论: 电池片与质量分数为10%的氢氧化钠溶液反应18 min完全去除铝电极, 且硅晶片的损失率较小; 将完全去除铝电极的电池片在40 kHz超声清洗20 min后银电极完全剥落; 电池片与40%氢氟酸溶液反应10 min可以去除氮化硅膜。本研究对质量为8.9068 g的单片电池片进行了定量分析, 除去的铝电极质量为1.1102 g, 回收得到了0.0766 g的银电极和7.7169 g的硅晶片。     

半导体用高纯气体

生产半导体需使用多种化学品。据推测,1980年美国用于半导体工业的化学品约达900亿日元,主要用在生产集成电路方面。另外,印刷线路板制造厂家等购买了约相当于400亿日元的化学品。两项合计约为1,200亿日元。这些化学品是:(1) 光致抗蚀剂及其有关的药品;(2) 清洗用药品;(3) 掺     

乳品CIP数字化双电极在线电导率计量校准装置和校准方法的研究

在线电导率监测设备被广泛用于乳品加工在线清洗系统(简称CIP)中，在CIP清洗液浓度监测控制和清洁度评价等方面起到重要作用。针对乳品CIP清洗系统中在线电导率监测设备的量值溯源现状、存在问题和困难，课题组对乳品CIP数字化双电极在线电导率计量校准装置和校准方法开展研究，采用双数字传感器冗余设计和在线校准的方式，装置的核心零部件和核心控制技术具有数字化、网络化、智能化的特点，有效保障CIP清洗系统电导率监测的现场数据准确可靠和量值溯源，有助于设备故障诊断、漂移诊断、在线电导率传感器全寿命周期管理。     

半导体用气的安全及解毒处理

用于制造半导体的气体，大部分是易燃、易爆，剧毒的气体，如AsH3、SiH4、PH3、B2H6、HC1等，在大气中它们的最大允许浓度分别为0.05、5.0、0.3、0.1、5.0ppm。因此，在电子气生产、使用、贮存过程中的废渣、废气都要进行解毒处理，     

一种减小环境污染、降低能耗的清洗方法──超声清洗法

一种减小环境污染、降低能耗的清洗方法──超声清洗法一种新型的超声管式共振器可用于清除容器内表面污染物，这种仪器可清洗化工处理罐、反应器等，所耗费用及能量均大大低于普通的清洗方法，并且能产生更佳的环境效益。反应罐和反应器的超声清洗，方法上较为简单：首先...     

美利用量子点提高光电转换率

美国科学家利用光束照射直径仅为几个纳米的量子点（也称纳米水晶或半导体微片），结果发现，一个光子能够在量子点中产生多个电子。该项研究成果有望提高太阳能电池的效率，并可用于推动技术的发展。     

用于高浓度含油污水处理的亲水改性聚偏氟乙烯膜

高浓度含油污水处理困难,而利用亲水性膜有望实现高效处理。利用臭氧活化接枝丙烯酸侧链的PVDF材料通过非溶剂致相转化法制备了亲水性超滤膜,并用于高浓度含油污水处理。结果表明,分离过程分为破乳阶段和筛分阶段。在破乳阶段,孔径无明显影响,亲水性强的膜具有较高的通量和截留率,并在进料侧产生较多的浮油,且进入筛分阶段较早。在筛分阶段,孔径越大的膜通量越高而截留率越低。这种亲水性超滤膜能将初始浓度为108 g/L的含油污水浓缩到390 g/L,截留85%的煤油,平均通量为114.5 L/(m~2·h)。     

日本预测2015年SiC单晶的市场规模将达到300亿日元

日本矢野经济研究所公布了电子部件等使用的SiC及GaN等单晶的市场调查结果。被该研究所称为功能性单晶的宽禁带（wide gap）半导体用单晶以及非线形光学晶体等，大多尚未达到实用和量产水平。不过，预计今后市场有望扩大的是SiC以及GaN等。2006年SiC单晶的市场规模为40亿日元。SiC目前已投产的元件很少，主要用于研究开发。     

CD-200型200升高纯低温容器的研制

为了满足电子工业、冶金工业、机械工业及科研等部门对高纯氧、氮气的中、小量的需要，我们研制，并小批量生产了可移动的CD-200型200升高纯低温容器。它配合我们研制成的空温式汽化器，就能以最大气量为20Nm^3／h的高纯气体提供使用。     

更正

由化工部光明情报中心站组织翻译的《半导体制造中气体的使用》一书,主要内容包括:1.气体的主要性质;2.三十种半导体制造用气体的特性;3.气体贮存、使用、运输、泄漏处理、废气处理的注意事项;4.火灾、中毒的紧急处理,以及健康与安全管理;5.容器、容器阀、压力调节器;6.有关没备的注意事项;7.清洗装置;8.三十种气体的蒸汽压图,以及一些数据与文献资料等。     

典型清洁氧化剂在湿法冶金中材料制备方面的应用研究现状

介绍了氧气、双氧水和臭氧这3种清洁氧化剂在湿法冶金领域中材料制备方面的研究应用现状。氧气氧化能力较弱,常用来制备铁化合物和锰化合物功能材料以及焦锑酸钠,利用氧气氧化时通常使用高温高压来增强氧化效果。双氧水的氧化能力较氧气较强,而且在液相中的传质效率较高,其在材料制备方面的应用与氧气相似,但是其应用范围较氧气较大,除了铁氧化物、焦锑酸钠的制备,还可用于其他功能材料的制备。臭氧的氧化能力极强,可以氧化较难氧化的银、钴、镍等离子,目前已有少量材料制备的研究报道。     

增强钽电容器生产能力应慎重

手机生产中不可缺少的零部件、构件的供应不足问题日益严重，供应已不能满足订货的要求。例如陶瓷电容器、钽电容器、表面弹性波过滤器用的LT单晶基片、程序存储模块用的GaAs外延片及铍铜延展材料等。在半导体领域，硅晶片等供应也趋紧。     

高纯气体的贮存与输送

一、前言高纯气体已成为电子工业不可缺少的化工原料之一。虽然各半导体生产工艺对所用气体的纯度要求不同,但同一种杂质给半导体生产带来的危害是一样的,总是使半导体产品质量劣化,成品率下降。高纯氢、氮、氧、氩及其它许多气体可用于半导体外延、光刻、清洗、蒸发及高温氧化生长等工艺中。表1列出了日本半导体工业用气体的纯度。     

用氧化还原反应气体清洗不锈钢超高真空系统

对粒子加速器和储存环的超高真空系统，消除其表面污染的标准方法是化学清洗、真空炉焙烧、辉光放电清洗及原位烘烤真空系统，本文介绍一种可替代辉光放电的清洗方法；用一氧化氮反应气体进行清洗，它已被用于处理几种不锈钢制作的加速器真空室，用ＮＯ气体处理的效果与其它方法相比，优于普通化学清洗和真空炉焙烧，完全可以和辉光放电清洗相比较，却避免了溅射情况下可能引起的表面损伤。     

三氟化氮——一种新型干蚀刻气

目前，三氟化氮正被研究作为一种半导体干气体蚀刻剂。这是因为它有很高的蚀刻速率和选择性。由于这种气体刚用于电子工业，故本文将对该化台物的物理和化学性质进行评论，并提供管理NF3的资料，以及检漏和排除泄漏的方法。