乙二胺在单晶硅太阳能电池表面制绒中的应用

利用乙二胺(Ethylenediamine anhydrous,EDA)/异丙醇(Isopropyl alcohol,IPA)体系对单晶硅(100)面进行了各向异性腐蚀,研究了不同温度、不同反应时间条件下单晶硅表面的绒面结构和表面反射率。利用EDA/IPA体系得到的金字塔结构尺寸为8μm左右,但均匀性较差。在1.5%EDA、5%IPA体系中添加5%Na2SiO3,80℃反应15min后获得了平均反射率为11%、表面金字塔结构均匀且尺寸较小的单晶硅绒面。实验结果表明,Na2SiO3的引入使金字塔的尺寸从8μm左右降低至3μm左右,并且均匀度也得到改善。     

不同醇类对单晶硅绒面特性的影响

在单晶硅太阳电池的绒面制作过程中分别采用一元醇(乙醇、异丙醇)和二元醇(乙二醇、丙二醇)作为添加剂,比较它们对单晶硅绒面特性的影响.实验表明,一元醇可以降低化学反应速率,而二元醇可以加快反应速率,缩短制绒时间.二元醇相比一元醇具有更高的沸点,在制绒过程中挥发更少,可以减少药品的损耗.降低成本,然而二元醇的消泡效果比一元醇差,制绒时需要采用更大的初始浓度.扫描电子显微镜(sEM)结果表明,一元醇趋向于使绒面金字塔更均匀,而二元醇则容易导致绒面金字塔不均匀.反射谱的测试结果表明,采用二元醇作为添加剂进行制绒,相比一元醇,可以获得更低的硅片表面反射率.     

强碱弱酸盐溶液对单晶硅太阳能电池表面织构化的影响

对晶向为（100）的p型单晶硅片进行表面刻蚀,制作减反射绒面。本实验是在传统氢氧化钠-异丙醇混合液中分别加入不同浓度的醋酸钠溶液、硅酸钠溶液和碳酸钠溶液对单晶硅片进行刻蚀。实验发现：分别加入醋酸钠溶液、碳酸钠溶液并没有在降低表面反射率方面起到很大作用,而只有加入硅酸钠溶液降低了表面反射率,有利于形成较好的腐蚀绒面。因此...     

一种新型腐蚀剂——醋酸钠溶液对单晶硅太阳电池表面织构化的作用

对晶向为(100)的p型单晶硅片进行表面刻蚀,制作减反射绒面。选用了一种新型的腐蚀剂,即醋酸钠(CH3COONa)溶液,用来腐蚀单晶硅太阳电池。通过分别改变醋酸钠溶液的浓度、温度以及腐蚀时间对硅片表面进行腐蚀发现,经醋酸钠溶液腐蚀后在硅片表面形成腐蚀坑大小适中、分布均匀的绒面结构。在醋酸钠溶液的质量分数为20%、温度为95℃、时间为40min的条件下腐蚀单晶硅片,在波长为700～1000nm之间获得较低的平均表面反射率,且最佳平均反射率为12.14%。从实验结果和成本因素考虑,这种腐蚀剂的成本很低,不易污染环境且重复性好,有利于大规模工业化制绒。     

薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术及其特性研究

阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"弹坑"状和"类金字塔"状表面)的主流生长技术;高迁移率TCO薄膜(IMO、IWO、ZnO∶Ga等)以及柔性衬底TCO薄膜是研究开发的重点。     

DFN封装器件热-结构模拟仿真分析

借助有限元模拟仿真软件ANSYS,研究分析了不同的封装体、芯片和框架厚度,以及散热底和芯片基岛尺寸对于小尺寸两边扁平无引脚(DFN)封装器件在回流焊温度条件下的热应力及翘曲变形分布影响。结果表明:封装体等效热应力最大处位置均位于框架、芯片和塑封料将银浆包裹处(即:银浆溢出的三角区域),其数值随封装体厚度减薄呈递减趋势;整体的热应力分布也随之沿着芯片、银浆和框架结合界面的中心位置向银浆三角区域延伸并逐步增大;对于薄型DFN封装体,芯片厚度、散热底和芯片基岛尺寸对于封装体总体翘曲变形的影响较小;框架厚度对于封装体总体翘曲变形及等效应力的影响较大;通过适当地减薄封装体厚度,并同时减薄框架厚度可以有效地降低封装体热应力,且总体翘曲变形都在1um以下。     

太阳电池用绒面ZnO-TCO薄膜制备技术及特性的研究进展

概括阐述了薄膜太阳电池用绒面结构ZnO透明导电薄膜(ZnO-TCO)方面的最新研究进展.绒面结构ZnO-TCO薄膜可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本.磁控溅射技术和MOCVD(Lp-MOCVD/LPCVD)技术是制备绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"弹坑"状和"类金字塔"状表面)的主流生长技术,而喷雾热分解技术则是正在开发的非真空法低成本工艺路线.论述了2种主流技术生长ZnO-TCO薄膜的发展历程,并重点讨论了近期关于绒面ZnO-TCO薄膜微观结构、电学以及光学等特性与工艺关系的研究结果.进一步降低成本和实现大面积产业化是绒面ZnO-TCD薄膜拓展应用的发展趋势.     

往复式线切割对单晶硅表面粗糙度的影响

为了研究不同尺寸的金刚石颗粒、不同切速比(进给速度与线速度之比值)、金刚线切割时间与不同往复切割次数对晶体色散元件表面粗糙度的影响,主要采用四种不同线径的电镀金刚石线在上述条件下做切割晶面(111)单晶硅分光晶体的实验,并实现在脆性材料单晶硅的塑性区域进行线切割加工。结果表明:在塑性区域加工单晶硅分光晶体的表面粗糙度与金刚石颗粒尺寸成正比、与切速比有密切关系,增加往复切割的次数可以有效降低分光晶体的表面粗糙度。此次研究能够给上海同步辐射光源晶体色散元件加工提供一定的参考价值。     

太阳电池用绒面结构ZnO-TCO薄膜及光管理研究进展

主要阐述了近年来薄膜太阳电池用绒面结构氧化锌(ZnO)透明导电氧化物(Transparent conductive oxides,TCO)薄膜以及光管理设计方面的研究进展。主要包括溅射湿法刻蚀技术、等离子体刻蚀玻璃衬底技术、等离子体处理修饰ZnO薄膜表面技术、修饰层改善ZnO薄膜表面技术、梯度杂质掺杂技术、复合特征尺寸生长设计以及直接生长绒面结构ZnO薄膜技术和宽光谱ZnO薄膜生长设计等。此外,对薄膜太阳电池中的先进光管理(Light management)结构设计及新材料应用进行了探讨和展望。     

切割晶向对〈111〉型单晶硅翘曲度的影响

许多晶体在多线切割过程中都存在一定程度上的各向异性,主要研究不同砂浆状态及切入方向(晶向)对游离磨料多线切割〈111〉单晶硅翘曲度的影响。建立游离磨料线锯切割单晶硅模型,理论上分析了〈111〉晶向单晶硅不同切入方向对晶片翘曲度的影响。结果表明:对〈111〉型单晶硅而言,随着砂浆使用次数的增加,所切得硅片的翘曲度逐渐增大;从[110]、[110]、[011]、[011]、[101]及[101]六个晶向切入可有效降低晶片的翘曲度,提高晶片表面质量;在砂浆等其他状态相同的情况下,沿此六个晶向切割后硅片的翘曲度普遍比其他方向切割小4~8μm。