陶瓷与金属电子器件的绿色活性封接技术

陶瓷与金属的连接是电子产品生产的关键环节。由于陶瓷和金属的物化、力学性能上存在巨大差异,对连接技术要求非常苛刻。通过对陶瓷与金属的常用连接方法的比较分析,提出了一种绿色活性电子器件封接技术,该技术能够在空气中不使用任何焊剂连接陶瓷与金属以及其他非金属组合,具有广泛的应用前景。通过对陶瓷与金属封接接头的力学测试和微观观察发现,接头剪切强度超过30MPa,连接界面良好;表明形成了性能和质量优良的钎焊接头。     

大功率真空电子器件实用的高热导率陶瓷的进展

综述了大功率真空电子器件中实用的高热导率陶瓷,叙述了三种高热导率陶瓷的各种特性,特别是比较了它们的温度－热导率关系特性,指出ＢｅＯ瓷是低温（＜１００℃）热导性好,ＡｌＮ瓷是中温（约２００℃）热导性好,而ＢＮ瓷则是高温（＞４５０℃）热导性好。笔者认为：ＢｅＯ瓷在近期相当一段时期内,仍然是大功率真空电子器件领域内最为广泛应用的高热导率陶瓷。     

瓷封焊料的工艺性对真空灭弧室封接质量的影响

本文针对TD373A真空灭弧室在生产过程中出现的一次慢漏气现象,借助电镜和俄歇能谱现代分析手段,对漏气的真空灭弧室封接截面处进行微观的形貌、成分、结构分析以及对使用不同的瓷封焊料的工艺性能、质量性能进行对比,从钎焊的工艺及金属凝固原理分析研究,得出了目前一次封排工艺中,陶瓷真空灭弧室封接截面的形貌分布特点,慢漏气灭弧室的特征及造成该次慢漏气的主要原因,以及瓷封焊料的工艺性能对灭弧室质量的影响。     

冷压焊在高真空器件封接中的应用

冷压焊是高真空元器件封装的最理想的方法。本文系统地阐述了冷压焊的机理,并结合对真空封接的分析,提出了高真空器件冷压焊封装的表面处理、工艺参数确定、模具设计和外壳制造的方法和原则。     

纳米碳管复合陶瓷微波衰减材料的研究

采用无压烧结工艺,以AlN和镁橄榄石（M2S）粉作为基体制备了纳米碳管（CNT）复合陶瓷。制备了热导率高、衰减量大及频率匹配特性良好的AlN—CNT复合微波衰减陶瓷。制备出的致密的M2S-CNT复合微波衰减材料有希望替代用在真空电子器件中的氧化铝多孔渗碳微波吸收材料。     

钼铜合金与95％氧化铝瓷的封接技术

介绍了钼铜（Mo-Cu)合金与95％氧化铝瓷的封接实验过程,及封接实验中遇到的问题和解决办法。     

用活性钎料在氩气或真空中钎接陶瓷与陶瓷或陶瓷与金属

随着陶瓷材料在现代工业构件中的地位的提高,需要一种实用的能将陶瓷与陶瓷或陶瓷与金属钎接起来的方法。与陶瓷金属化后钎接相比,用活性钎料钎接的工艺要简易得多。这种钎接工艺说明由Al_2O_3或ZrO_2等陶瓷材料制成的零件能在真空或氩气中用含钛的银钎料直接与钢、灰铸铁或其它合金钎接。本文报道了活性钎料的最新发展,强度试验和金相研究的结果。     

高性能真空静电封接机的设计与实现

以DPFJ-Ⅳ型静电封接机为基础,通过对真空技术、加热技术、自动化技术以及封接工艺的不断探索,研制出一款高性能真空静电封接机。主要介绍了该高性能真空静电封接机的设计原理、主要技术性能以及结构特点。结果发现,该设备具备真空度更高、温度调节范围更宽、加热更均匀等特点,同时可实现硅片自动封接。测试发现,该设备可以提高生产效率和生产质量。     

AlN陶瓷与可伐合金的活性封接

采用Ag-Ti3活性焊料在真空条件下对AIN陶瓷与可伐合金进行了活性封接。采用SEMEDX,XRD,EBSD方法分析了焊接层的显微组织结构和相组成。测定了焊接力学性能,并对断裂表面进行了组织结构和相分析。在1240K真空条件下焊接性能良好,抗弯强度στ=205．89MPa,剪切强度στ=176．10MPa。     

高可靠性的陶瓷—金属封接

随着新型陶瓷材料(包括结构陶瓷)的不断发展,对金属陶瓷封接的要求也在日益增长。应用最为普遍的封接方法是钼锰法,它可以在陶瓷与金属之间产生高可靠性封接。但是,钼锰法需要两个工艺步骤:先是陶瓷金属化,然后与金属进行封接。虽然,这种方法的周期长,金属化温度也很高(～1500℃),而且封接性能随工艺因素的变化十分敏感。所以,为了获得可靠的封接就必须对工艺加以严格控制,其结果又使这种方法的成本变得十分昂贵。     

含锆低钴可伐4J461在真空电子器件中的应用

含锆低钴可伐4J461是一种性能良好而廉价的新型封接合金。它的成份是:3%～4%Cu,5%～6%Co,45%～46%(Ni Co Cu),少量的Zr,其余为Fe。与常用的封接合金(如FeNi29Co18、FeNi33Co14、FeNi29Co20)相比,该合金的含钴量降低了2/3左右。它的主要特性是本质晶粒细,二次再结晶温度高、抗焊料晶间渗透能力强;与95%Al_2O_3瓷的“铜封”件具有良好的气密性、抗热冲击性能和高的封接强度,能够满足磁控管、行波管等制造要求。     

氧化铝陶瓷金属化工艺的改进

针对影响氧化铝陶瓷活化钼锰法金属化的工艺因素，在配方、原料处理、涂敷方式、烧结等方面进行改进，提高工艺水平，保证质量稳定性、一致性。     

压电陶瓷在扫描隧道显微镜中的应用

本文简要介绍了扫描隧道显微镜的工作原理,较详细地介绍了扫描隧道显微镜中应用的压电陶瓷的几种结构形式及其特性。     

国内外电真空用氧化铝陶瓷金属化层显微结构分析

利用扫描电镜和能谱仪，分析了国内、俄罗斯、英国及德国公司生产的电真空用氧化铝陶瓷的金属化层显微结构和微区成分。比较了4种金属化样品间的差异，并探讨了金属化层显微结构对焊接体焊接性能的影响。     

ZnS：Mn交流薄膜电致发光陶瓷灯

报道了一种直接用５０Ｈｚ，２００Ｖ市电驱动的ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜电致发光器件，使用高介电常数，低损耗的反铁电陶瓷片作为器件的绝缘层，同时也作为器件的基片，它具有功耗低，亮度较高，呈薄片状国经，性能稳定，寿命长耐压高，使用安全可靠等优点，是新一代的节能型中等亮度的平面显示器件。     

自蔓延高温合成法在陶瓷领域的应用

自蔓延高温合成法（ＳＨＳ）及相关技术在材料科学的应用引起了人们的广泛重视，本文总结了ＳＨＳ在陶瓷领域的应用。     

先驱体合成法在钙钛矿型铁电陶瓷材料制备中的应用

先驱体合成法是一种专门用于Ｂ位复合钙钛矿［Ａ（Ｂ１ｘＢ２（１－ｘ））Ｏ３］化合物的新方法。结合国外文献及作者的实践，阐述了近年来引起关注的复合钙钛矿化合物先驱体合成法的基本原理。先将Ｂ１和Ｂ２氧化物复合成先驱体（Ｂ１ｘＢ２（１－ｘ））Ｏ２或（Ｂ１Ｂ２）Ｏ４，然后将先驱体与Ａ氧化物合成为单相Ａ（Ｂ１ｘＢ２（１－ｘ））Ｏ３钙钛矿化合物。该方法能避免焦绿石相的出现，大幅度提高了钙钛矿陶瓷的单相性，其工艺简单，且能制备亚微米粉料。这些优点使它在铁电压电陶瓷工业生产中具有广阔的应用前景     

蜂窝陶瓷的应用和进展

叙述了蜂窝陶瓷的世界市场和技术发展趋势 ,指出了酸处理法可以使得堇青石陶瓷的膨胀系数大大降低 ,并达到α≤ 1× 10 - 6 ℃ - 1 的水平。     

含钛衰减陶瓷制作工艺

通过实验对现有衰减材料制作过程中的一些问题进行讨论 ,从微观结构、烧成工艺以及与国外衰减瓷几个方面的对比对衰减瓷的研制提出改进意见和建议。