ADI公司发布创新的制造工艺ICMOS

美国模拟器件公司近日发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS，它是将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合，它使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。与采用传统CMOS制造工艺不同，按照iCMOS工业制造工艺制造的模拟IC能承受高达30V电源电压，同时能提供突破的性能水平，降低系统设计成本，而且降低85％的功耗和减小30％的封装尺寸。     

iCMOS新工艺为精密模拟部件增加可靠性

美国模拟器件公司（ADI）最近发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS，它将高电压凌晨导体工艺与亚微米CMOS和BiCMOS工艺相结合，使客户可以在采用亚微米尺寸工艺的器件上施加高达30V电压，可选的漏极扩展允许工作电压高达50V，作为一种亚微米工艺，iCMOS工艺允许现代数字逻辑电路与高电压模拟电路集成在一起，因此与以前的高压器件相比，     

要闻

美国模拟器件公司(Analog Devices,ADI)近日发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS(工业CMOS),它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS(互补金属氧化物半导体)和互补双极型工艺相结合,使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了更高水平。与采用传统CMOS制造工艺不同,据称按照这种iCMOS工业制造工艺制造的模拟IC能承受高达30 V电源电压,同时能提供ADI发布高电压工业应用新工艺模拟IC更高性能,降低系统设计成本,而且降低85%的功耗和减小30%的封装尺寸。ADI公司介绍说,以前能够承受30V电压的制造工艺…     

ADI推出iCMOS制造工艺

日前一种全新的0.6μm iCMOS工艺为工业领域的IC电路设计提供了又一可选方案，它将高压半导体工艺与亚微米CMOS、互补双极性工艺结合，可以承受30V电压，可选的漏极扩展允许工作电压为50V。iCMOS工艺的主要特点是能使单元电路与底层之间或单元电路与单元电路之间完全隔离。这意味着通过对同一芯片施加多种电源电压，一颗单芯片能实现5V电压CMOS电路和16V、24V或30V高电压的CMOS电路混合和匹配。     

ADI公司发布创新的iCMOS 圃旃ひ

ADI日前发布了一种创新的半导体制造工艺—iCMOS^TM(工业CMOS)，它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS(互补金属氧化物半导体)和互补双极型工艺相结合，使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。     

面向工业应用的高电压模拟IC的芯片制造工艺

Analog Devices公司(位于美国马萨诸塞州Norwood)开发成功一种集高电压硅芯片、亚微米CMOS和互补双极型技术于一身的模拟芯片制造工艺,利用该工艺可生产出能够承受高达30V电源电压的元件——从而实现了性能的突破性提升,并降低了系统设计成本和功耗(功耗降幅高达85％),外壳封装尺寸也缩小了30％。这种被称为“工业CMOS(iCMOS)”的工艺有望造就一类新型高性能模拟元件,     

ADI公司发布创新的制造工艺并且推出一批适合工业应用的高电压模拟IC

ADI公司日前发布了一种创新的半导体制造工艺，它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS(互补金属氧化物半导体)和互补双极型工艺相结合，从而证实了ADI公司对工业和仪表电子行业的贡献。ADI公司为iCMOS^TM(工业CMOS)工业制造工艺投入了最大的研发力量，它使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。     

iCMOS——工业电子产业的新突破

ADI公司在慕尼黑近期举办的E1ectronica展览会上宣布的iCMOS模块化工艺，引起了人们的重视。它标志着模拟技术在整个微电子技术中的作用越来越大，影响也越来越大。过去，数字式电路（包括存储器，CPU，MCU，以及逻辑电路）一直是推动集成电路工艺加工技术发展进步的主要动力；模拟电路的制造一般比最先进的工艺要落后一两代。而iCMOS模块化工艺则是将主流的亚微米加工工艺和模拟集成电路所特别需要的加工工艺融合在一起了。这是半导体产业界的工艺与器件研究开发人员经过多年努力获得的成果。除了ADI公司以外，其它的一些IDM公司，以及代工企业在这个方面也已经获得成果。除了在工业电子方面连接传感器，驱动执行装置以外；在照明工程，光电技术产品，以及能量变换等方面也有广泛应用。例如，位于奥地利维也纳的Austriamicrosystems公司，既自主开发自有的产品，也作为代工厂为其它设计公司加工集成电路。它所掌握的H35工艺，是以350nm标准的CMOS工艺技术为基础，开发成功的高压BiCMOS工艺，可以涵盖20和50VMOS器件，双极型器件，和高精度电阻和电容。并且计划将高压器件扩展到120V。值得设计公司注意的是它接受大学，研究所和工厂的委托加工。并且开展MPW加工，我国也有大学委托加工所设计的芯片。据了解，它的H35工艺已经经过汽车电子的可靠性鉴定。能够具有类似指标产品的其它公司还有：位于加拿大，魁白克的Goal Semiconductor公司，它所生产的HVDAC200，是一件9-位DAC。电压可达200V。可以提供电压达到40V以上的模拟集成电路的公司有；位于美国阿利桑拿州Tucson的Apex Microtechnology公司；以及松下移动通信公司；National Semiconductor公司等。这一动向值得我们关注。     

ST推出世界最小的高集成度8通道超声波脉冲发生器

正意法半导体推出的STHV800 8通道超声波发生器将会降低超声波影像机的成本和尺寸。意法半导体独有的SOI-BCD6制造工艺可在同一颗芯片上集成低压CMOS逻辑电路、精确模拟电路和稳健的功率级,实现前所未有的集成度。这款单片高压高速脉冲发生器具有8条独立通道,每条通道都集成控制器逻辑     

ADI工业模拟产品性能获突破

当今最先进的集成电路(IC)制造工艺正在重新开拓工业市场。迄今为止,在电噪声环境中高电压工作的数据转换器、放大器、开关、多路复用器和其它器件一直沿着减小制造工艺尺寸的发展路线不懈地努力。ADI公司的iCMOS工艺在技术进步道路上迈出了可喜的一步,按照这种iCMOS工艺制造生产的模拟IC能承受高达30V的电源电压,同时能提供突破的集成度,降低系统设计成本,而且降低85%的功耗和减小30%的封装尺寸。iCMOS的关键是增加栅极氧化层厚度的制造工艺的开发,它能使单元电路与底层之间或单元电路与单元电路之间完全隔离。这就意味着通过对同…     

WiSpry将首批RF专利产品发送给手机制造商

无线产业用的可编程RF半导体产品的领先制造商WiSpry有限公司，宣布已成功地将首批包含WiSpry可编程RF专利技术的定制产品发送给了世界上最大的手机制造商。该定制解决方案在真正的单芯片上（不含有外部元件）综合了WiSpry采用RF CMOS制造工艺的RFMEMS数字电容器专利技术与先进的模拟和数字支持电路。WiSpry推出了初始的标准产品WSC0805，该产品以2008年第四季度的数字可调谐电容器为特征。     

低成本CMOS图像传感器推动医学技术向前发展

医学技术一直是CCD（电荷耦合设备）图像传感器的重要应用领域之一。现在，CMOS传感器已进入高速发展时期。究其原因，首先，CMOS图像质量可与CCS图像相媲美。其次，利用标准半导体制造工艺，CMOS传感器在价格方面占据很大优势。第三，CMOS传感器在电路集成方面的无限潜力可以减少输入输出接口数量。     

离子注入工艺简介

在过去的三十多年中，CMOS工艺的发展极大地推动了离子注入工艺的发展。反言之，离子注入工艺的不断成熟进一步改善了半导体产品的质量，尤其是CMOS产品的性能，当线宽进入亚微米后，离子注入在整个半导体生产中更成了不可或缺的一部分。     

ST通过CMP为科研机构和设计公司提供先进半导体制造工艺

意法半导体（ST）和CMP（Circuits Multi Projects）宣布，通过CMP提供的硅中介服务，大学、科研院所和公司可以使用意法半导体的45nm CMOS制造工艺进行原型设计。这项消息在巴黎举行的CMP用户年会上发布，会中集结了采用CMP多项目晶片服务的大学院校、科研机构或私营企业的代表。通过CMP的服务，他们可以委托芯片厂商小批量制造几十个到几千个的先进集成电路。     

英飞凌和博世签订功率半导体合作协议

2009年3月27日，德国Neubiberg和斯图加特讯——英飞凌科技股份公司（FSE／NYSE：IFX）和博世集团将双方的合作范畴扩展至功率半导体。此次合作有两个重要内容：首先，博世将从英飞凌获得功率半导体制造工艺的许可——尤其是低压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）以及必要的制造工艺。其次，双方的合同还包括一个第二货源协议。目前，博世在罗伊特林根已拥有自己的半导体工厂，英飞凌也将采用该厂的工艺为博世生产和供应元件。     

基于传统的CMOS工艺延伸漏极NMOS功率管研究

延伸漏极N型MOS（EDNMOS）是基于传统低成本CMOS工艺设计制造,用N-well作为NMOS漏极漂移区,以提高其击穿电压。用二维器件模拟软件Medicici对该器件进行模拟分析,结果表明有效地提高了NMOS管击穿电压。实验结果表明采用这种结构能使低压CMOS工艺输出功率管耐压提高到电源电压的2．5倍,样管在5V栅压下输出的电流可达到750mA。作为开关管工作,对于1000pF容性负载,其工作电流在550mA时,工作频率可达500KHz。     

电子封装研究综述——从工业生产角度剖析电子封装技术的动向及未来…

以半导体工业学会为半导体工业制定的标准作为依据，描述了当前集成电路封装研究的现状。涉及到以下关键范围：设计、分析和模拟、降低供电电压，强化散热、区域阵列互连，芯片筛选，低成本高密度基极以及小型化的单片封装，除了以上这些范围，着重研究了设计，制造以及可靠性分析中有关的问题。     

基于90 nm工艺节点的MOSFET版图失配研究

研究了CMOS模拟集成电路的不同版图结构对电路性能的影响规律,探讨了不同版图结构对工艺波动的抑制作用.通过采用90 nm CMOS工艺设计了8种不同宽长比(W/L)的数模转换器(DAC),分别利用单栅与多指栅结构实现该DAC电流源输出驱动管阵列,并将其作为研究对象进行了分析.通过分析金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)阈值电压VTH和DAC输出电压Vout的实测数据,对CMOS模拟集成电路的最优版图设计方案进行了探讨.最后,利用本研究结果设计了一款90 nm工艺的低功耗CMOS运算放大器,相比传统版图结构,该放大器的工艺波动抑制能力提高了5.87％.     

21世纪的半导体材料与工艺

２１世纪的半导体材料与工艺东立编译在１９９５年ＩＥＥＥ国际电子器件会议（ＩＥＤＭ）的专家讨论会上，２００多位专家学者共同探讨了ＩＣ半导体材料和工艺将来的发展。大家一致认为，硅作为制造集成电路的主要材料还会有相当大的发展潜力，而其它一些半导体材料，如Ｓ...     

英飞凌和博世签订功率半导体合作协议

英飞凌科技股份公司和博世集团将双方的合作范畴扩展至功率半导体。 此次合作有两个重要内容：首先，博世将从英飞凌获得功率半导体制造工艺的许可——尤其是低压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）以及必要的制造工艺。其次，双方的合同还包括一个第二货源协议。目前，博世在罗伊特林根已拥有自己的半导体工厂，