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相似文献
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1.
碳化硅晶须对氧化锆陶瓷材料结构的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文研究了不同晶须含量对可相变增韧的ZrO_2(2mol%Y_2O_3)陶瓷及完全稳定的ZrO_2(6mol%Y_2O_3)陶瓷结构的影响。结果表明:晶须的加入使ZrO_2材料的晶料明显细化,但对该类热压复合材料的致密度影响不大;纯ZrO_2(6mol%Y_2O_3)为单一的C相结构,加入晶须后有少量的t相出现;纯ZrO_2(2mol%Y_2O_3)热压材料由t m两相组成,晶须的加入降低了基体中m相的相对含量,但对断裂过程中t→m相交量影响不大。  相似文献   

2.
碳化硅晶须     
林迎 《玻璃纤维》1993,(6):39-43
1.SiC 晶须发展概况晶须是一种单晶纤维,是高度的结晶体,其化学完整性提供了一种与原子间结合力相等的强度,达数了百万英磅/英寸~2,第一批工业生产的晶须是 ThcrmokineticFiber 公司(TKF)在1962年生产的。从1962~1968年,TKF 生产并销售了多种晶须产品,包括针状品须,兰宝石棉和  相似文献   

3.
碳化硅晶须合成工艺的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
给出了一种低成本、规模化生产碳化硅晶须的方法。以炭黑和二氧化硅微粉为原料,对双重加热法合成碳化硅晶须进行了研究。确定了合成工艺的优化参数:二氧化硅与炭黑质量比为1.5:1,以三氧化二铁为催化剂,用量为二氧化硅原料总质量的2%,合成温度为1250℃,合成时间为1.5h。该工艺条件下可以得到平均直径为0.6μm、平均长度为30μm、生成率达80%的碳化硅晶须。与常规加热相比,双重加热技术具有节能、省时、生成率高的优点。  相似文献   

4.
以硅溶胶和炭黑为原料,金属硅、三氧化二铁和硅铁合金为催化剂,采用碳热还原法合成碳化硅晶须,通过XRD及SEM对合成产物的物相及形貌进行分析,探讨了合成温度、催化剂种类、催化剂加入量对合成碳化硅晶须的影响.结果表明:在原料中加入催化剂,合成碳化硅晶须的最佳温度为1550℃;以Si-Fe合金为催化剂合成碳化硅晶须的效果明显好于以Fe2O3和金属硅为催化剂合成效果;Si-Fe合金加入量(占SiO2质量分数)为1%时,晶须生成率高,成直线形,长度10 ~ 50μm,直径0.1 ~0.3 μm.  相似文献   

5.
莫来石碳化硅晶须复合材料   总被引:2,自引:1,他引:2  
  相似文献   

6.
催化剂对肉桂酸合成的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
运用Perkin反应和Knovengel反应两种方法合成肉桂酸.并探讨了不同催化荆及其不同用量对产率的影响。实验证明.通过Perkin反应合成肉桂酸的最佳催化剂是碳酸钾.当n(苯甲醛):n(碳酸钾)=1:1时.产率最高;通过Knovengel反应合成肉桂酸的最佳催化剂是吡啶.当n(笨甲醛):n(吡啶)=1:1时.产率最高。  相似文献   

7.
本文介绍了近年来国内外费托合成研究现状,综述了近年来铁基催化剂和钴基催化剂的研究进展。  相似文献   

8.
碳化硅晶须增强氧化锆复相陶瓷材料的组织观察   总被引:6,自引:0,他引:6  
王双喜  雷廷权 《中国陶瓷》1998,34(2):9-11,25
本文用TEM,SEM等手段研究了SiCw增强2Y-ZrO2复相陶瓷材料的组织,结果表明,SiCw的加入可以显著细化2Y-ZrO2材料的粒子,并使基本的断裂方式由以沿晶为主的混合型变为以穿晶为主的混合方式,晶须周围的m-ZrO2可显著缓解该复合材料中的热应力。  相似文献   

9.
阿司匹林是一种白色结晶或结晶性粉末,微溶于水,是一种常用的解热镇痛消炎药.阿司匹林的市场需求量大,随着绿色化学的兴起以及环境保护意识的增强,寻求环保、高效的合成路线,广受关注,本文针对当前阿司匹林合成过程中常用催化剂进行了详细的归纳总结,为探索简单、高效、绿色环保的合成新方法、新工艺提供重要参考.  相似文献   

10.
以高岭土、超细碳粉为原料,采用碳热还原方法合成出性能良好的β—SiC晶须,并研究了碳粉加入量、烧成温度对β—SiC晶须产率的影响。结果表明,烧成温度1500~1600℃,碳粉加入量4~10%(wt)为较好的晶须合成条件。该方法制备β—SiC晶须的生长机理为“VS”机理。  相似文献   

11.
碳化硅纳米晶须的制备   总被引:7,自引:2,他引:7  
戴长虹  水丽 《硅酸盐学报》2001,29(3):275-277
以SiO2纳米粉和自制的树脂热解碳作原料,用一种新的加热设备-双重加热炉合成了直径在5-30nm范围内,长径比在50-300之间的碳化硅纳米晶须。用化学分析方法,X射线衍射仪、透射电子显微镜等手段对碳化硅纳米晶须进行了表征。研究结果表明:用双重加热炉合成碳化硅纳米晶须的最佳湿度范围为1250-1300℃,恒温时间为60-75min,碳化硅纳米晶须的产率最高可达82%(质量分数)。  相似文献   

12.
介绍了一种低成本、大批量生产碳化硅晶须的新方法。以炭黑和SiO2微粉为原料、以氯化钴作催化剂、利用粉末电热体加热技术在较低的合成温度1500℃下、较短的合成时间2h内得到了平均直径为0.52μm、平均长度为16μm、生成率达63%(质量分数)的碳化硅晶须。实验结果表明:与常规加热法相比,粉末电热体加热法不但具有设备投资少、制作简单、操作方便的优点,而且碳化硅晶须的合成温度低、时间短、产量大,易于实现规模化生产。  相似文献   

13.
树脂热解炭制备碳化硅晶须   总被引:5,自引:1,他引:5  
用自制的配合醛树脂热解和炭源,用SIO2超细汾作原,根据碳热还原原理,利用常规加热和微波加热两种方式,分别制备了直径在纳米级的SiC晶须,X射线衍射、透射电检测结果表明:制备工艺和条件对SiC晶须的性质有较大的影响。  相似文献   

14.
研究碳化硅部分替代补强炭黑在轮胎胎面胶中的应用.结果表明,轿车和载重轮胎胎面胶主要性能变化趋势一致,即随着碳化硅用量增大,胎面胶的物理性能有所降低,压缩疲劳温升和滚动阻力明显降低,抗湿滑性能提高,耐磨性能变差.碳化硅用量小于16份可以获得综合性能较好的胎面胶.  相似文献   

15.
研究了在1500℃空气中的高温氧化对再结晶碳化硅(recrystallized silicon carbide,RSiC)陶瓷断裂强度的影响。用X射线衍射仪、扫描电镜分析了RSiC样品氧化后表面的物相组成及显微结构。结果表明:在1500℃下RSiC陶瓷的氧化质量增加遵循抛物线规律,氧化速率常数为3.77×10-5g2/(cm4·h1),其线性相关系数r2为0.998。RSiC陶瓷的室温抗弯强度随氧化时间增加呈现出先升后降的变化趋势,当氧化21h时,材料的室温抗弯强度最高,达到87MPa。氧化初期由于样品表面生成致密的非晶态SiO2,对样品表面的缺陷起到了钝化作用,导致材料室温断裂强度升高;氧化后期由于非晶态SiO2膜的析晶而产生裂纹以及循环氧化导致裂纹扩展,从而使材料的断裂强度降低。  相似文献   

16.
铁矿石尾矿合成碳化硅粉末   总被引:6,自引:0,他引:6  
以铁矿石尾矿和碳黑为原料,采用碳热还原法合成了SiC粉末.用X射线衍射法测定了产物相组成及相对含量.研究了合成温度和恒温时间对反应过程的影响.结果表明:合成温度对SiC粉末的合成过程影响显著,随着合成温度的升高,产物中SiC含量增大,1 480 ℃时,SiC的相对含量达到最大值(82%左右).较长的恒温时间可使还原反应进行得更充分,恒温8 h的样品中SiC的相对含量最高(85%左右).  相似文献   

17.
焊料特性对反应烧结碳化硅陶瓷焊接的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
以石油焦和碳化硅为主要原料,按照焊料碳密度的理论计算公式设计焊料碳含量,运用反应成型连接法焊接反应烧结碳化硅陶瓷.探讨了焊料的固相体积含量、碳密度对焊缝显微结构与性能的影响.通过对焊缝金相显微结构的分析,结合计算机图形处理软件计算出焊缝的烧结密度.研究表明:碳密度为0.85~0.88 g/cm3,固相体积含量达到53%以上,流动性好的焊料焊接时焊缝干燥收缩率低,烧结后焊接性能好.焊缝最高强度可达(465±10)MPa以上,超过基体强度,断裂发生在基体处,对应焊缝的计算烧结密度为(3.11±0.01)g/cm3.  相似文献   

18.
添加几种烧结助剂如硅溶胶、氧化铝、黏土、苏州土和石英的不同组合,研究了烧结助剂对碳化硅泡沫陶瓷中莫来石相生成的影响.实验结果表明:在1 400℃烧结1 h的过程中,氧化铝、黏土和硅溶胶的组合会显著促进莫来石的生成,从而提高碳化硅泡沫陶瓷的高温强度和耐火度.莫来石相在较低温度下的大量生成主要归功于黏土产生液相,以及硅溶胶中非晶态氧化硅对氧化铝颗粒的包裹作用,从而降低了扩散距离.  相似文献   

19.
渗硅碳化硅材料结构与性能关系的研究   总被引:6,自引:1,他引:6  
采用低廉石油焦碳分为原料制造全碳粉生坯,通过有机添加剂来调配生坯中碳的比例,以控制烧结体中游离硅(fsi)、游离碳(fC)含量(其中fs,fc为烧结中未反应的硅和碳),研究了全碳粉反应硅碳化硅(PCRSC)材料的结构与力学性能的关系,分析了渗硅碳化硅材料中游离硅、游了碳含量对抗弯强度的影响。结果表明:渗硅碳化硅材料中随游离硅含量的增加,其抗弯速度下降,并且二者呈直线关系,符合线性复合规则,另一方面,游离碳含量较高的渗硅碳化硅材料,尽管游离硅含量低,但其抗弯强度低于等量或较多游了硅含量的渗硅碳化硅材料的抗弯强度。  相似文献   

20.
采用包混工艺将酚醛树脂和硅粉制备成粉体先驱体,然后经碳化和煅烧,制备出球形度好、粒径分布窄且均匀的亚微米碳化硅粉体,其平均粒径约为0.1μm.亚微米碳化硅粉体的生成过程为:硅-酚醛树脂核壳粉体先驱体经过800℃碳化处理生成硅-碳核壳粉料;在1 500℃烧结,液态硅与碳壳内层反应生成碳化硅层;在热应力和液态硅的冲击下碳化硅壳破碎,形成的亚微米碳化硅颗粒进入液态硅中,通过碳化硅生成、破碎的不断循环,新的碳化硅层不断向碳层推进直至完全生成亚微米碳化硅球形粉体.  相似文献   

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