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CH3I在532nm及455.5nm激光作用下多光子电离研究 总被引:3,自引:2,他引:3
本文利用飞行时间质谱仪研究了532nm和455.5nm激光作用下CH3I分子的多光子电离解离(MPID)。在532nm激光作用下,CH3I分子由双光子激发到A带的A2态,它的MPID属母体离子阶梯模式;在455.5nm激光作用下,CH3I分子由双光子激发到A带的3E态,它的MPID属中性碎片光电离模式。 相似文献
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利用飞行时间质谱仪在超声射流冷却条件下研究了CH3I分子在355 nm激光作用下的多光子电离解离机制.得到了分子的飞行时间质谱,质谱中有较强的H 、CH 3和I 信号,较弱的C ,CH 、CH 2和母体离子CH3I 信号,CH3I 的出现表明CH3I分子的多光子电离解离(MPID)属母体离子阶梯模式:CH3I分子由双光子共振激发到里德堡C态,处于该激发态的母体分子继续吸收光子上泵浦至电离态形成母体离子CH3I ,碎片离子可由母体离子解离形成.同时结合母体离子及碎片离子的出现势对CH3I分子的多光子电离解离通道进行分析,提出了可能的解离电离通道. 相似文献
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利用355nm激光作为光源对间甲苯酚分子进行了多光子电离解离研究,得到了间甲苯酚分子的多光子电离飞行时间质谱图,实验中没有观测到母体离子信号。对其中的部分产物离子进行分析,得出了该波长下主要的解离电离通道。应用从头计算理论,在B3LYP/6-311++G(d,p)基组水平上对质荷比为109(C7H8OH+)离子及C7H8O的可能构型进行优化,得到了其稳定构型。对C7H8OH+离子势能面的研究得到,C7H8OH+离子的形成是一个无势垒的反应过程。 相似文献
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本文在443nm,478nm和532nm处,获得了不同激光强度下丙胺分子多光子电离飞行时间-质谱。 相似文献
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在390.60nm的紫外激光作用下,利用超声分子束技术与飞行时间(TOF)质谱仪相结合的方法研究了气相四甲基硅分子多光子电离(MPI)的TOF质谱,在较低能量的激光作用下主要检测到了Si(CH3)^ 、Si^ 、C2^ 等离子的信号,有时甚至只检测到了Si^ 离子的信号:在较高能量的激光作用下主要检测到Si(CH3)^ n(n=1,2,3,4)、Si^ 、C2^ 甚至还有SiC3^ ,SiC2^ 等离子的信号。据此并结合以前得到的结论,讨论了四甲基硅分子可能的MPI过程。得出了Si^ 主要来自于Si(CH3)4的多光子解离-Si原子的(1+1)电离、Si(CH3)n^ (n=1,2,3)的(3+1)电离、Si(CH3)^ 4来自于Si(CH3)4的(3+1)电离的结论。 相似文献
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355nm激光作用下Si(CH3)4分子的MPI质谱研究 总被引:3,自引:1,他引:3
在 35 5nm的激光作用下 ,利用扩散分子束技术和四极质谱装置相结合研究了气相Si(CH3 ) 4分子多光子电离 (MPI)质谱分布。测量了Si(CH3 ) + 4,Si(CH3 ) + 3 ,Si(CH3 ) + 2 ,Si(CH3 ) + 及Si+ 离子的激光光强指数 ,检测了这 5种碎片离子的信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系。据此 ,讨论了该分子MPI过程可能经历的通道 ,得到了Si+ 主要来自于母体分子的多光子解离—硅原子的电离 ,Si(CH3 ) + n(n =1,2 ,3)主要来自于中性碎片Si(CH3 ) n(n =1,2 ,3)的自电离 ,Si(CH3 ) + 4来自于母体分子的 (3+1)电离的结论 相似文献
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利用多光子电离技术和飞行时间质谱仪实验研究了醇/水混合团簇的光电离质谱。在脉冲激光波长为355nm条件下,观测到以质子化(ROH)n(H2O)H+ 混合团簇离子和(ROH)nH+团簇离子为主的电离产物。醇水混合团簇电离后团簇离子发生内部质子化转移反应是形成质子化团簇离子的主要原因。应用量化计算,构造了质量数较小的几个团簇离子的可能的空间几何构型,发现二元团簇离子(CH3OH)n(H2O)H+是以(CH3OH)H+作为内核离子,再通过氢键与其它分子组合而构成团簇离子。 相似文献
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用多光子电离技术结合飞行时间质谱仪对氨/醇混合团簇进行了研究。在脉冲激光波长为355nm条件下观测到团簇离子。主要的电离产物为质子化的(ROH)n(NH3)mH+(n=1~6,m=0~4)混合团簇离子,且各个序列的离子强度随m的增大而减小。经分析,氨与醇混合团簇电离后团簇离子发生内部质子化转移反应是形成质子化团簇离子的主要原因。比较分析质谱图可知,当团簇离子比较小的时候二元团簇解离以失去醇类分子为主,随着团簇离子的增大,解离由失去醇分子为主逐渐变为失去氨分子为主。 相似文献