多级互连网络有效带宽研究

1.基本假定 大型多处理机系统的处理机——存贮器互连网络往往采用多级网络.文献[1]讨论了当处理机访存请求为均匀分布时,Delta网络的有效存贮器带宽。文献[2]在此基础上分析了当存在偏爱存贮体时的有效带宽。设处理机数为P,存贮体数为M,文献[2]的分析基于如下假定:     

180-CXA型快速磁芯存贮器

<正> 概述 本文介绍一种以8K×18位为基本存贮模块组成的快速磁芯存贮器——180-CXA型磁芯存贮器。 180-CXA型磁芯存贮器是作为180系列计算机主存贮器而研制的。每四个基本存贮模块组成一个32K×18位的存贮体,其组织形式采用了内部总线的连接方式。结构上实现了插件式平面化结构,生产、调试和维护都很方     

785 MOS主存模块的设计

<正> 一、引言在大型计算机及巨型计算机系统中,随着运算速度的日趋提高,对主存贮器的要求越来越高,不但要求容量大,而且要求速度快。785计算机主存容量达200万字,数据传送速率达40M 字/秒。为了达到上述目的,主存系统通常采用多存贮体、多模重迭操作、多总线访问、多字读出等技术。一般说来,多存贮体只能扩充存贮器的容量,只有在存贮体的基础上配上控制电路形成独立的存贮器(即存贮模块)时.才有可能采用多模     

一台紧凑的166,OOO数位的磁膜存贮器

本文介绍一台166,000数位的磁膜存贮系统的原理、设计和工作特性。虽然这台紧凑的存贮系统是专门为航空上的应用而设计的,它是导航和控制计算机的一个主要部份,但该设计也适用于其它的军用控制计算机。这台随机取数、并行读出、字选择法的存贮系统包括一台256字,24位的破坏读出的存贮器和一台6656字,24位的非破坏读出的存贮器。在程序下的循环时间为3.0微秒,取数时间为0.7微秒。这台存贮器被设计成在没有温度补偿,以及冲击和震动都相当严重的条件下还能可靠地工作。磁膜存贮元件所固有的装配技术已经能够制成一个包括选择线路在内的存贮体,其重量是16磅,体积大约是0.2立方呎。线路的装配保证了结构紧凑和维护方便。整个存贮系统包括全部联接线路在内需要的功率为50瓦。     

新型半永久存贮器金属卡片存贮器

日本电气通信研究所为电子交换机的需要,研制了一种采用新原理的随机取数半永久存贮器——金属卡片存贮器。该种存贮器主要构成部分是作为存贮媒介体的金属卡片和由具有为数很多读取线圈的印制线圈板迭成的存贮体。情极信息的记录决定于金属卡片某位置上有无圆孔,信息的读出借助于线圈间的高频电磁耦合。在金属卡片上有孔和无孔的地方电磁耦合差值很大。     

高速MOS存贮器

作为现代电子计算机和电子交换机等信息处理装置的主存贮器和缓冲存贮器,半导体集成电路存贮器正受到注视。本文描述关于采用廉价的MOS集成电路作存贮单元而用双极集成电路作外围电路所构成的超高速缓冲存贮器的可能性的探讨、各个电路的设计、大规模集成(LSI)电路的构成和使用这样LSI电路存贮装置的试制研究结果。LSI是在同一陶瓷基片上把读出线和位线分离的MOS存贮单元和双极外围电路(矩阵、读出放大器)用梁式引线连接起来的多片形式。得到的高性能水平是单个512位LSI的取数时间为6毫微秒,1K字节存贮装置的取数时间为30毫微秒、周期时间为35毫微秒。从存贮装置的特性研究中判明了这次采用的电路形式和LSI的构成方法,对于高速化、高密度化是非常有效的。     

高性能LSI存贮器系统

已设计一种随机存取读/写存贮器系统,以满足高速存贮应用的多种需要。包括存贮器体系中的暂存存贮、控制存贮器和缓冲存贮器。基本产品是一种1024字×9位的存贮器卡片式扦件,取数时间为40nS,周期时间为80nS。它合并所有地址缓冲和译码、输出读放和输出互锁电路构成一个完整的功能存贮部件。特点包含每位6mW的低功耗,每平方英时200位     

磁膜存贮器(上)

铁磁薄膜具有理想的快速存贮特性,作为存贮元件的材料是很有前途的,目前已有磁膜存贮器样机问世。这篇文章将介绍磁性薄膜的一些基本特点,各种存贮方案及已发表的一些存贮器的特性。对使用磁膜制作存贮器中存在的问题进行探讨。并展望未来前景。     

80386DRAM存贮体的设计

一、前言80386 32位微处理器可与静态 RAM(SRAM)、动态 RAM(DRAM)和高速缓冲存贮系统进行接口。由于 DRAM 存贮器在访问和周期刷新之间需要预充时间,所以 DRAM 存贮器的数据传送速度往往要低于 SRAM 存贮器。然而 DRAM 存贮器具有以低价格构成大容量存贮系统的特点,因而得到了广泛的应用。     

磁带存贮器的信息保护

编制计划、统计、物资登记和数据加工都要应用大容量(百万数)的存贮器。为了存贮这样大的容量,采用磁带存贮器做为信息载体最为适合。 磁带存贮器的优点是: a) 存贮量大; b) 计算机与存贮器间交换信息速度高;     

微机存贮器组成选择问题

一、微机存贮系统需求设计微机系统不可避免地要遇到存贮系统的设计问题。在存贮系统(指内存,下同)容量基本确定后,选择存贮器芯片总是围绕成本,使用方便性及灵活性等几个主要标准来考虑,以达成系统的最佳平衡。1.使用方便性:使用方便性主要是指存贮器与系统其它组件的接口复杂性。简化了存贮器与微处理器的接口,对系统设计者来说,方便了设计,     

80386高速缓冲存贮器的设计

Intel 80386微处理器能以每秒处理三、四百万条32位指令的持续速度工作。为发挥386全部潜力,需要一个胜能优越的存贮系统,从而使386能快速存取代码和数据。存贮系统不仅要求速度快,同时为了386能完成在许多大规模应同中存贮程序与数据的需要,存贮量要求很大。这样,系统设计者面临着提供价格合理、大容量高速度存贮器的挑战。微处理器通常使用DRAM.(动态随机存取存贮器),这种存贮器提供了价格合适的存贮,并可在上一代微处理器要求的速度     

MCM6830A MOS N沟硅栅1024×8位唯读存贮器

MCM 6830A是为总线结构系统而设计的掩膜可编程序字节结构存贮器。采用 N 沟硅栅工艺制造。为便于使用,器件从单电流工作,并能与 TTL 及 DTL 兼容,由于静态操作,故不需时钟或刷新。谈存贮器可与 M6800微计算机系列相容,并以字节增量形式提供唯读存贮。存贮器扩展可通过多级片选输入来实现。片选输入的有效电平和存贮容量可由用户确定。     

大容量全息照相光存贮器

随着现代计算机的规模和复杂性的发展,要求它的存贮器的容量和速度急激地增加。在电子交换系统方面情况也是这样。目前,大量信息的大容量存贮采用此较便宜而信息存取速度也比较慢的存贮器。用这类存贮器作为程序存贮降低了程序任务执行的速度。很清楚,高     

大容量半导体存贮器

本文对采用双极晶体管技术的集成电路存贮器与采用各种绝缘门场效应晶体管(IGFET)存贮器进行了比较。P沟道IGFET存贮单元与双极晶体管存取电路结合,似乎能提供所希望的一些特性。文章考虑了存贮机构、单片设计、封装及互连等问题。在半导体存贮器中,梁式引线密封结工艺比其它封装和互连工艺有更大的优越性。 作者考察了兆位计算机存贮器设计中的某些问题,着重考察了有关功耗,互连、可靠性、维修、造价等问题。最后对基于现有技术的兆位半导体存贮器可能具有的特性与磁芯存贮器,平面薄膜存贮器和磁环线存贮器的特性进行了比较。从这些调查研究中得出结论:半导体存贮器不管在小容量或在大容量存贮器应用中都大有前途。     

一种新型无冲突访问存贮系统的分析

本文叙述了一种新型存贮系统的特点,分析了交叉访问存贮系统无冲突成组访问的过程,讨论了影响存贮器带宽和访问速度的因素。计算确定了AP-601计算机存贮器所采用的素数模块的个数,导出了地址变换公式并设计了相应的逻辑网络。     

一种高效的存贮信息保持系统

半导体随机存取存贮器RAM断电后,信息即消失.在工业控制机中为了将有用信息能够可靠地保存在存贮器RAM中,可采用后备电池作为存贮系统的备用电源,以维持存贮器中原有的信息.本文介绍一种适用于插件板并能终身免维护、体积小、成本低、性能可靠的存贮信息保持系统.该系统包括镍镉充电电池、电源充放电线路及存贮芯片.     

大容量随机存取磁环线存贮器的工程设计

在新存贮元件中,磁环綫看来已成为航空和中心存贮应用方面的重要竞争者。本文叙述一个由罗姆航空发展中心(Rome Air Deve-lopment Center)进行研制设计的存贮器,目的在于使磁环綫扩展到大容量存贮器领域的应用中。 基本存贮模型具有10~7位;机械封装能包     

变感元件存贮器

前言双频存贮方式构成的磁心存贮器是在目前变感组件计算机中采用的一种存贮方式。这种存贮方式能够随机存取和不破坏读出,可以采用误差自动校正码的地址选择方式,能够与变感组件直接连接,但其速度较慢。本文一般地介绍这种存贮器。     

英国新型磁薄膜存贮器

EMI电子公司已经把第一批新型磁薄膜存贮系统递交给英国原子能研究所。该系统准备用作高速数据纪录中的通用缓冲存贮器。 高速度——采用了128个字,每个字有16位;读写周期时间是1/3微秒——保证“死寂时间”要比普通存贮器短。由于存贮器忙于处理以前所得的信息而不能收集任何新来的数据时,会出现“死寂时间”。由于缩短了这个时间,EMI新型存贮系统方使昂贵的核装备更有效地工作。 存贮元件是在磁场中将镍-铁合金真空蒸发在玻璃板上而制成的。整个存贮器是用专门的印制电路采用专门的焊接技术装成的。该存贮器约有64块字板,每一个字有50位。目前存贮容量达128至1024个字。普通印制电路板用于装在19吋机架内的驱动和读出电子设备中。