铁电-铁弹晶体:钼酸钆[Gd_2(MoO_4)_3]

钼酸钆〔Gd_2(MoO_4)_3〕晶体属于种类42mFmm2,它是“铁弹体”,也是“铁电体”.据近期的文献报导试样间的开关时间变化很大,其变化范围为0.1—2毫秒.在本研究中观察到在不低于5千伏/厘米的较高的电场下,形成的单畴之畴壁旁向运动是向着垂直于壁的方向进行的.试样经抛光后,在500℃温度时于试样的     

钢表面激光熔覆钴基合金层的组织和耐磨性的研究

采用CO₂横流激光在40Cr钢表面熔覆不同配比的钴基合金粉末,采用摩擦磨损试验机测试试样的摩擦磨损性能。对摩擦系数以及耐磨性均较高的试样,采用微观分析及力学性能测试手段对熔覆层显微组织、物相、成分进行比较研究。结果表明:在现有实验条件下,激光熔覆层的强化相呈现网络状加弥散分布的颗粒状使裂纹或者缺陷的萌生门槛值增加,裂纹扩展速率减慢,导致钴基合金激光熔覆层的摩擦系数和耐磨性能的协同提高。     

激光诱导击穿光谱对大米中镉元素的检测分析

食品重金属污染日趋严重, 为了证明LIBS快速检测大米中重金属元素含量的可行性, 采用LIBS技术对经实验室含Cd溶液浸泡过的大米中Cd元素进行分析。首先采用LIBS和AAS技术, 获取5个浓度系列的大米中Cd元素的LIBS光谱及真实浓度信息, 再采用一元一次和一元二次定标分析模型, 对Cd元素的特征光谱Cd II 214.4、Cd II 226.5和Cd I 228.8进行定量分析。结果表明, 原子谱线Cd I 228.8具有较高的线性相关性, 并且一元二次回归模型具有较好的预测精度。试验结果表明, LIBS技术用于大米中重金属Cd元素的快速检测在理论和实践上具有可行性。     

用会聚束电子衍射测量循环形变铝中位错胞壁附近的弹性应力

形变金属中的长程内应力与金属中位错的运动、金属的流变应力等有着密切的关系。Essmann和Mughrabi等人运用透射电子显微术测量位错胞壁附近弯曲自由位错的曲率半径,算出相应的切应力值。但使用这种方法,必须将大块试样进行快中子辐照,使得自由位错被锚住,然后再制成电镜试样。本工作试图不经中子辐照,采用     

固相萃取技术在六价铬检测中的应用

欧盟RoHS指令中有害物质包括:Pb、Hg、Cd、Cr6 、PBB和PBDE.而六价铬的检测方法主要有:针对聚合物材料和电子材料的US EPA3060A碱溶提取,采用US EPA7196A比色定量检测.上述方法不能很好地解决深色试样提取液颜色对比色的影响.本文采用固相萃取技术对样品进行处理,从而很好地克服了提取液颜色对比色影响的难题.     

光纤中可控光速减慢技术研究的最新进展

回顾了减慢光速的研究,介绍了近年来光纤中可控光速减慢技术研究的最新进展,着重介绍了利用受激布里渊散射实现光速减慢的物理机理和实验,讨论了光纤中可控慢光技术研究的意义及应用前景。     

CdZnTe衬底沉积相成分分析

采用扫描电子显微镜技术对Cd Zn Te单晶片中的沉积相进行成分分析研究,结果表明通过红外显微系统观察到的Cd Zn Te晶片中常见的"放射状"沉积相和"链状"沉积相Cd含量富集,确认为Cd沉积相;另外,扫描电镜能谱仪对沉积相颗粒分析表明,Cd Zn Te晶体中的杂质元素易在Cd沉积相中富集。     

胞元尺寸对选区激光熔化18Ni300正六边形蜂窝结构轴向压缩性能影响研究

为明确胞元尺寸对正六边形薄壁蜂窝结构的轴向承载与压缩性能的影响，通过选区激光熔化制备了直径10 mm、高度15 mm、壁厚0.1 mm、填充胞元尺寸分别为1.75 mm、2.25 mm、2.75 mm和5 mm的正六边形18Ni300薄壁正六边形蜂窝试样，通过轴向压缩分析了试样的承载能力和缓冲吸能性能。结果表明，胞元尺寸2.25 mm以上的试样压缩时发生叠缩变形，且随着胞元尺寸减小，单位体积承载力和比吸能增加；但当胞元尺寸减小到1.75 mm时，试样压缩时发生外翻撕裂破坏，单位体积承载力和比吸能显著下降。     

Cd1-xZnxTe晶体中由本征缺陷引起的导电类型转变界面研究

在富Te生长条件下,采用垂直布里奇曼法（vertical Bridgman method, VB）生长的部分碲锌镉（Cd_1-xZn_xTe, CZT）晶体内存在导电类型转变界面。为深入探讨碲锌镉晶体导电类型转变界面形成的原因,结合晶体导电类型和红外光谱透过率的测试结果与第一性原理的理论计算进行分析,结果表明,碲锌镉晶体内的导电类型转变界面是晶体生长过程中形成的Cd空位（V_Cd）缺陷与Cd间隙（Cd_i）缺陷导致的。在富Te条件的生长过程中,Cd空位缺陷易于形成,碲锌镉晶体材料中含有大量的Cd空位缺陷,材料的导电型为p型。在晶体生长结束阶段的降温过程中,Cd原子会扩散至碲锌镉晶体中,促进了Cd间隙缺陷的形成,在碲锌镉晶体材料中形成Cd间隙缺陷,导致晶体材料的导电性转变为n型。     

碲锌镉晶体Cd源控制生长技术研究

针对碲锌镉(CdZnTe)晶体中二次相缺陷问题,Cd源控制生长技术是更为有效的缺陷抑制技术。本文结合模拟仿真与实际测温调温,对比了VB法以及VGF法下Cd源处温度的可控性。在实现Cd源处温度控制基础上研究了不同Cd源处温度控制条件对晶体二次相缺陷尺寸及分布的影响。VB法中,Cd源处控制温度快速下降,晶体尾端出现三角形Te夹杂缺陷。VGF法中,在Cd源控制温度达到820～790℃范围内时,虽然晶体头部中心部分二次相缺陷问题改善效果一般,但晶体边缘及尾部二次相缺陷问题能够得到了极大改善。     

半导体CdS簇合物的制备及性能

以苯硫酚为有机配体合成了半导体镉硫蔟合物 ( Me4 N) 2 [Cd4 ( SPh) 10 ]、( Me4 N) 4 [Cd10 S4 ( SPh) 16 ]、 ( Me4 N) 8[Cd2 0 S13( SPh) 2 2 ]和 Cd32 S14 ( SPh) 36 · DMF4 .喇曼光谱研究证明簇合物的结构是以 Cd S为核心 ,有机配体通过 Cd— S键包覆在核的外面 ;吸收光谱中发现了吸收带边蓝移的量子尺寸效应 ,( Me4 N) 8[Cd2 0 S13( SPh) 2 2 ]和 Cd32 S14 ( SPh) 36 · DMF4 出现了激子吸收峰 ;光致发光光谱中看到了发光峰的明显展宽现象 ;改变有机配体如巯基乙醇和二巯基丙醇 ,不影响簇合物的吸收和光致发光光谱性能     

Cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜的制备、性能与光伏应用

用共蒸发法制备了 Cd1 - x Znx Te多晶薄膜 ,薄膜结构属立方晶系空间群 F4 3m.通过透射光谱的测量 ,计算光能隙 ,得到室温时薄膜的光能隙随组分 x值的变化满足二次方关系 .作为对异质结界面的修饰 ,提出了有 Cd1 - x-Znx Te过渡层的 Cd S/ Cd Te/ Cd1 - x Znx Te/ Zn Te∶ Cu电池 .并在相同工艺下制备了 Cd S/ Cd Te/ Cd0 .4 Zn0 .6 Te/ Zn Te∶ Cu与 Cd S/ Cd Te/ Zn Te∶ Cu太阳电池 ,发现前者比后者效率平均增加了 35 .0 % .     

ZnCdTe衬底上HgCdTe分子束外延的位错密度

报道了用 MBE的方法 ,在 Zn Cd Te衬底上制备 Hg Cd Te薄膜的位错密度研究结果。研究发现Hg Cd Te材料的位错密度与 Zn Cd Te衬底的表面晶体损伤、Hg Cd Te生长条件以及材料组分密切相关。通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在 Zn Cd Te衬底上生长的长波 Hg Cd Te材料 EPD平均值达到 4.2× 1 0 5cm- 2 ,标准差为 3 .5× 1 0 5cm- 2 ,接近 Zn Cd Te衬底的位错极限。可重复性良好 ,材料位错合格率为 73 .7%。可以满足高性能Hg Cd Te焦平面探测器对材料位错密度的要求     

n-HgCdTe光导器件的两种表面钝化研究

利用 Ar 束溅射沉积技术实现了 Cd Te薄膜的低温生长 ,利用电化学方法进行了 Hg Cd Te表面自身阳极氧化膜的生长 ,利用生长的 Cd Te介质膜和 Hg Cd Te表面自身阳极氧化膜对 n- Hg Cd Te光导器件进行了表面钝化 .对两种器件的电阻、各项性能指标进行了测量分析 ,实验表明得到的 Cd Te/ Hg Cd Te界面质量已达到器件实用化水平 .     

Cd组分x对非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜暗电导的影响

利用射频溅射方法制备了非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜(x=0,0.22,0.50,0.66,1),在80 K~300 K温度范围内,研究了Cd组分x对暗电导的影响。当温度T>210 K时,随着Cd组分增加,暗电导减小;当温度T<210 K,随着Cd组分增加,则暗电导增大;当温度T=210 K时,暗电导几乎与Cd组分无关。这可能是由于随着Cd组分增加,薄膜中的缺陷增加所致。a-Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0、0.22、0.50、0.66和1)薄膜中存在扩展态电导和局域态电导,Cd组分x越大,两种导电机制的转变温度Tm也越高。在T=300 K时,利用暗电导的激活能估算出了非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜的迁移率隙Eg,随着Cd组分x增加,迁移率隙Eg微弱减小。     

高温氧化钛合金激光清洗机理与工艺

钛合金在高温环境中表面会发生严重氧化,影响后续的加工与使用,采用激光清洗技术去除氧化层,通过高速摄像设备分析氧化层的去除机理,研究激光清洗、机械打磨以及酸洗工艺对试样表面宏观形貌、微观形貌、化学成分、平整性以及显微硬度的影响.结果 表明,氧化层的激光去除机理以烧蚀作用为主,通过选择合适的工艺参数清洗后,试样表面氧化物基本除尽,呈现出银白色金属光泽,相比于原始试样,激光清洗试样表面的氧含量大幅降低,平整性优于机械打磨试样与酸洗试样.此外,受到激光清洗过程中热作用的影响,激光清洗试样表面的显微硬度要显著高于机械打磨试样与酸洗试样.     

改进的垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体中的成分偏离现象

采用多种测试方法,对改进的垂直布里奇曼法生长Cd0.96Zn0.04Te晶体中的成分偏离标准化学计量比现象及其对晶体性能的影响进行了研究.X射线能谱成分测试表明,在晶锭的头部即初始结晶位置,(Cd Zn)/Te比大于1;而在中部及末端,小于1.表明这种方法生长的CZT晶体仍然存在对标准化学计量比的偏离现象,开始结晶是在富Cd熔体中,生长至中后段则是在富Te条件下进行的.PL谱测试表明,富Cd的晶片内存在大量Te空位,严重富Te的晶片内Cd空位及其杂质复合体等引起的缺陷密度显著增加.晶体红外透过率测试结果表明,接近化学计量配比的CZT晶片具有高的红外透过率.     

半导体CdS簇合物的制备及性能

以苯硫酚为有机配体合成了半导体镉硫蔟合物(Me4N)2[Cd4(SPh)10]、(Me4N)4[Cd10S4(SPh)16]、(Me4N)8[Cd20S13(SPh)22]和Cd32S14(SPh)36·DMF4.喇曼光谱研究证明簇合物的结构是以CdS为核心,有机配体通过Cd-S键包覆在核的外面;吸收光谱中发现了吸收带边蓝移的量子尺寸效应,(Me4N)8[Cd20S13(SPh)22]和Cd32S14(SPh)a6·DMF4出现了激子吸收峰;光致发光光谱中看到了发光峰的明显展宽现象;改变有机配体如巯基乙醇和二巯基丙醇,不影响簇合物的吸收和光致发光光谱性能.     

改进的垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体中的成分偏离现象

采用多种测试方法,对改进的垂直布里奇曼法生长Cd0.96Zn0.04Te晶体中的成分偏离标准化学计量比现象及其对晶体性能的影响进行了研究.X射线能谱成分测试表明,在晶锭的头部即初始结晶位置,(Cd+Zn)/Te比大于1;而在中部及末端,小于1.表明这种方法生长的CZT晶体仍然存在对标准化学计量比的偏离现象,开始结晶是在富Cd熔体中,生长至中后段则是在富Te条件下进行的.PL谱测试表明,富Cd的晶片内存在大量Te空位,严重富Te的晶片内Cd空位及其杂质复合体等引起的缺陷密度显著增加.晶体红外透过率测试结果表明,接近化学计量配比的CZT晶片具有高的红外透过率.     

垂直磁化膜微畴结构的SEM观察

随着微磁学的高密度磁存贮技术的迅速发展,人们迫切需要以更高的分辨率观察大块试样表面的微畴结构。通常使用的粉纹图法和磁光法等观察方法已不能满足要求。本文研究了用SEM观察垂直磁化膜微畴结构的方法和观察结果,获得了满意的效果。该法主要分两部分:1.在试样表面制作高质量的粉纹图;2.用高倍率二次电子象观察试样表面磁性粒子的分布,从而可显示出磁畴的精细结构和磁化方向。图1是YIG单品垂直磁化膜在退磁态的磁畴结构象。图中磁性粒子的聚集图案清楚地显示出该薄膜具有片状“迷宫畴”结构,畴宽约1.9μm,饱和磁化失量Ms垂直于膜面,+Ms和-Ms呈周期分布。图2是TbFeCo非晶垂直磁化膜退磁后的磁畴结构象。磁性粒子在畴壁表面漏磁场的作用下聚集在畴