激光加工的现状及发展趋势

1 前言自第一台红宝石激光器问世以来,激光加工就成为一个很有前途的应用领域.与计量、图像技术、信息传递等激光应用领域一样,激光加工技术随着激光器及外围技术的进步而发展起来.本文综述了激光器及加工装置、激光加工技术的发展方向,及今后的研究课题.2 加工装置的生产动向2.1 生产动向图1所示的是近10年来日本激光应用装置的产值变化情况,其中包括激光加工机在内的应用激光的加工装置、医用装置和印刷制版装置.而激光加工装置的市场规模已超过2000亿日元.1994年前后,日本经济潇条,制造业受其影响境况不佳.尽管如此,各种激光加工机在1995年以后并未出现明显     

神光Ⅱ激光装置研制

神光Ⅱ大型固体高功率激光装置是我国激光驱动器发展历史的里程碑,其成功研制使我国高功率固体激光工程与技术、聚变物理与基础物理研究实现了全面且本质的跨越式发展。简要概述了神光Ⅱ激光装置研制中创新发展的大量工程方案与技术手段,举例介绍了神光Ⅱ激光装置在近20年来的高质量运行中取得的众多有国际影响力的研究成果。经多方支持和多年持续发展,已经形成数万焦耳级纳秒激光装置、皮秒拍瓦以及飞秒拍瓦激光装置等,这些装置是我国惯性约束核聚变、强场物理、高能量密度物理等研究领域中重要的物理实验核心平台之一。     

梅斯林干涉装置应用于激光告警的理论研究

本文研究了梅斯林干涉装置在激光告警中的应用,分析了干涉条纹的位置、形状、区域,讨论了用该干涉仪判断来袭激光的方位和波长的方法,与传统的法布里—帕罗干涉仪型激光告警装置和迈克尔逊相干识别型告警装置相比,梅斯林干涉装置应用于激光告警有着较为突出的优点。     

激光告警装置的布设及其评价方法研究

为了提高激光告警装置在激光对抗中的作战效能,研究了激光告警装置的布设及布设效能的评价方法。首先根据激光告警装置的工作原理、设备性能和战术使用原则,将激光告警装置的布设要素分解为警戒区域、警戒空间、基准方位、布设数量和水平状态等5个子项,分析每一子项的布设要求,建立对应的布设效果评分模型;然后采用层次分析法确定各要素的权重,进而得到告警装置布设效果的总体评价模型;最后给出了布设及布设效能评价方法的应用实例。提出的布设效能评价方法能够用于激光告警装置防护效能的自动评估,已应用于激光对抗系统的虚拟训练系统中。     

基于无线激光通信语音传输系统的设计

基于无线激光通信的原理,设计并研制出了一套以激光内调制为工作模式的无线激光通信语音传输系统装置,测量并分析了该系统的频率极限、幅频特性和动态特性,与其他无线激光通信实验装置相比,本装置易于携带、调节,使用更直观、方便。     

激光功率检测自动化装置研制

利用单片机技术,研制了激光功率检测自动化装置,该装置可实现激光功率计检定和激光功率测量自动化。论述了该装置的工作原理、组成结构设计和数据处理程序设计。该装置具有使用方便、成本低、误差小等特点,经实际测量验证,工作稳定可靠,具有较好的实用价值。     

英国的短波长高功率激光装置

英国罗瑟福·阿普耳顿实验室的中心激光装置，最近成功地获得具有世界短波长记录的8.1纳米激光放大和第一台氟化氪打靶装置——Sprite。“中心激光装置”最初的意图是为英国大学提供先进的激光研究装置。预算经费每年约300万英磅。 还热心鼓励国际和工业应用。     

全息图扫描器及其应用

一、前言1960年 Maiman 发明了激光器。激光有普通光源不具备的干涉性、高亮度、单色性等优点。如今,激光的优点得到了发挥,激光已广泛用于信息处理装置、图像输入装置,并且还开拓了新的技术领域。超级市场采用的售货处(POS)条码扫描器是一种实用化的输入装置。激光印刷机是实用化的典型输出装置。前者可用光学方法来读取印刷在商品上的号码。由于采用了激光技术,这种装置使用方便,可靠性好。后者可以很快的速度扫描分辨率高的文字、图片等各种形式的图象,在照相行业中占有重要的位置。这些输入装置要求有快速、高分辨率的偏转激光扫描器。     

激光熔化金刚石

美国康奈尔大学的地质学家发现,世界上最硬的矿物金刚石能被激光熔化。他们试验将石墨变成金刚石时,利用了激光和专含金刚石的装置,这台装置能产生45万个大气压。当激光功率加大到极高程度时,装置上的金刚石表面熔化,形成一个小坑激光熔化金刚石@李玲玲...     

He—Ne激光医疗机上的两种独特装置

本文报导了用于He-Ne激光治疗仪上的两种独特装置:精密多功能光束输出转换装置和激光输出功率监测装置。     

Demonstration and properties of a planar heterojunction bipolartransistor with lateral current flow

The authors present fabrication techniques and device performance for a novel transistor structure, the lateral heterojunction bipolar transistor. The lateral heterojunctions are formed by impurity-induced disordering of a GaAs base layer sandwiched between two AlGaAs layers. These transistor structures exhibit current gains of 14 for base widths of 0.74 μm. Transistor action in this device occurs parallel to the surface of the device structure. The active base region of the structure is completely submerged, resulting in a reduction of surface recombination as a mechanism for gain reduction in the device. Impurity-induced disordering is used to widen the bandgap of the alloy in the emitter and collector, resulting in an improvement of the emitter injection efficiency. Since the device is based entirely on a surface diffusion process, the device is completely planar and has no steps involving etching of the III-V alloy material. These advantages lead this device to be considered as a candidate for optoelectronic integration applications. The transistor device functions as a buried heterostructure laser, with a threshold current as low as 6 mA for a 1.4-μm stripe     

RTD的器件模型和模拟——共振隧穿器件讲座(9)

阐述了电路模拟在设计和研制大规模集成过程中的必要性和重要意义,器件模型在电路模拟中的重要性以及器件模拟与器件模型的关系;在器件模拟通用软件形成过程的基础上重点讨论了RTD的器件模型、器件模拟和电路模拟软件SPICE三个课题;介绍了基于物理参数I-V方程RTD模型和高斯函数、指数函数RTD直流模型;利用ATLAS器件模拟通用软件对RTD进行了器件模拟,得到了势垒和势阱宽度、E区掺杂浓度等对RTDI-V特性的影响;以包含RTD电路的SPICE电路模拟中的文字逻辑门为例,通过电路模拟验证了其逻辑功能,对设计该电路起到指导和参考作用。     

定时输出电源控制装置软件设计

以单片机Mega16芯片为核心,以时钟专用芯片1307为时基,以高压光耦驱动大功率可控硅为执行器件,设计了一种多时段可调定时输出电源控制装置。在阐述了定时输出电源控制装置的整机工作过程的同时,重点分析了定时输出电源控制装置的软件设计。该装置用于定时段运行的大功率设备的电源控制,经实践应用证明,可减少工作量,节能减排,且效果良好。     

高速公路机电设备管理系统的研究设计

为实现对高速公路机电设备运行与维护工作的信息化管理,以河南省、陕西省高速公路机电设备的管理、维护经验为基础,有针对地对高速公路机电设备系统进行定性分析与定量研究,开发出一套以高速公路机电设备为基础数据库,采用免费的开放源代码TocatWeb服务器以及Java技术线路的高速公路机电设备管理系统。通过一年多的运行,不仅使维护管理成本得到了有效的控制,而且规范了管理流程,提高了工作效率。     

Vertical multijunction solar-cell one-dimensional analysis

The vertical multijunction solar cell is a photovoltaic device which may allow conversion efficiencies higher than conventional planar devices. A one-dimensional model of the device is presented here which allows a simple and straightforward analysis of device performance to be conducted. The analysis covers the derivation of device short-circuit current, saturation current, open-circuit voltage, and maximum power as a function of illumination spectra, device geometry, and device material properties.     

典型ESD防护器件失效机理研究

瞬态电压抑制管(TVS)是电子线路设计中常用的静电放电(ESD)防护器件,其可靠性将直接影响整个电路的安全。选取常见的TVS器件PESD5V0U1BA进行研究,通过实验和仿真分析了TVS器件的短路失效机理及其影响。研究表明,当TVS器件注入高压时,器件存在缺陷的SiO2层会发生自愈性击穿。当器件的pn结发生击穿时,器件将失效。如果两个pn结都被击穿,器件的I-V曲线表现为电阻特性。当TVS器件出现损伤后,器件仍具有箝位作用,且其表现的箝位电压更低,但由于器件的漏电流发生较大的增长,将影响被保护电路的正常工作。     

A traveling-wave high electron mobility transistor

A traveling-wave high electron mobility transistor (THEMT) is proposed. The device is unique in that it includes an integral distributed load resistor and uses a HEMT as the active device. A rigorous analysis of the device is carried out, using a small-signal equivalent circuit model for an incremental section of the device. Losses and reflected waves are not neglected, as has been done in other work. Treating the device as a four-port network, closed-form expressions for S-parameters are derived. Theoretical calculations, using equivalent circuit parameter values for a HEMT reported in the literature, show that the proposed device is capable of exponential increase in gain with device width. Power gain of more than 10 dB at 50 GHz and remarkably flat response in the frequency range 10-100 GHz are shown to be achievable for a 1-mm-wide device     

Tradeoff between phase- and intensity modulation in GaAs/AlGaAsdouble heterostructure and multiple quantum well phase-modulatorwaveguides

The wavelength dependence of phase sensitivity (°/mm V) and intensity modulation of a double-heterostructure (DH) device and a multiquantum-well (MQW) device in the GaAs/AlGaAs material system is studied. The results show the tradeoff between phase modulation and intensity modulation and also show that, for the same intensity modulation, the MQW device produces twice as much phase modulation as the DH device. For example, at an intensity modulation of -1 dB the MQW device has a phase sensitivity of 120°/mm V while the DH device gives a value of ≈60°/mm V     

新型低压高效叠层有机白光器件

以Bphen:Li/WO3作为电荷产生层制备了低压、高效有机叠层白光器件. 实验中,首先在器件中引入高导电性的载流子注入和传输层,有效降低了器件的驱动电压,然后通过电荷产生层垂直堆叠两个低压白光器件,获得了低压、高效有机叠层白光器件. 叠层器件性能与单发光单元的器件相比较,其亮度及效率均有大幅提高,叠层器件的最大电流效率达到了17cd/A,在相同的电流密度下,叠层器件的效率约为传统器件的2.3倍,同时由于在叠层结构中引入了高导电性的载流子传输层,有效降低了器件的驱动电压,显著改善了白光器件的流明效率.叠层器件的流明效率相对于单发光单元器件提高了53%.     

离子注入技术现状与发展趋势

离子注入制程已成为器件设计的最前端工作．现在更被视为实现32nm和22nm晶体管制程的推动要素。器件漏电流、浅结面制作，器件尺寸缩小，以及急速增加成本的挑战，正在限制摩尔定律的延伸。针对32nm节点离子注入制程器件的工艺要求．介绍了离子注入设备的发展方向。