溶胶－凝胶法研制SnO_2微粉及其CO气敏特性

应用溶胶－凝胶方法，以非醇盐为起始原料，研制了ＳｎＯ２微粉，通过ＢＥＴ比表面测定、晶粒尺寸测算、ＸＲＤ，ＤＴＡ差示热分析、ＴＥＭ电镜观察、以及ＣＯ气敏元件的特性测试等手段，对所研制的ＳｎＯ２微粉进行了结构、性能表征．     

碱土金属掺杂SnO_2薄膜气体传感器

经过真空镀锡膜、氧化和化学浸渍，制作了碱土金属掺杂ＳｎＯ２薄膜气敏元件，并测试了元件的气敏特性．结果表明，元件对乙醇和丙酮气体灵敏度和选择性得到提高、而对苯、丁烷、液化石油气、氨气、氢气和煤气不敏感．     

WO3-SnO2薄膜的溶胶-凝胶制备及其气敏特性研究

以无机盐ＳnCl2.2H2O为主体原料、Ｈ２ＷＯ４为掺杂剂、无水乙醇为溶剂,采用溶胶－凝胶工艺制备了nw:nsn=1:1000的ＷＯ３－ＳnO2薄膜,并对共气敏性能进行了研究,实验表明,掺杂量为１％的ＷＯ３－ＳnO2薄膜在常温下对Ｈ２Ｓ,ＮＯx气体具有较好的气敏性能,对Ｈ２Ｓ气体的敏感温度为１００℃,对ＮＯx气体的最佳敏感温度为７０℃。     

溶胶-凝胶法制备的SnO2薄膜气敏特性研究

以SnCl4·5H2O为原料、用Sol-gel法制备出了SnO2薄膜,并对该薄膜的气敏特性进行了测试.结果表明,SnO2薄膜低温下对乙醇气体有较高的灵敏度和较快的响应恢复时间,且长期稳定性较好.     

溶胶-凝胶法在玻璃纤维表面制备锑掺杂二氧化锡薄膜的工艺

在热处理条件和掺锑的质量比例不同的情况下,对玻璃纤维的表面进行锑掺杂二氧化锡（ATO）镀膜处理,进而测得纤维比电阻值。采用田口实验法对实验数据进行优化分析,并探讨了初始SnCl4浓度、热处理温度、处理时间、掺杂比例对实验结果的影响程度。使用扫描式电子显微镜（SEM）对比观察了玻璃纤维表面结构在处理前后的差异。实验表明：ATO镀膜处理后的玻璃纤维,导电性能明显增强;最优工艺条件是热处理温度50℃,掺杂比例0.9%,热处理时间1.5h,初始SnCl4浓度0.8mol/L,且因子影响程度依次递减。     

溶胶—凝胶法制备铁酸镧LaFeO_3薄膜

铁酸镧(LaFeO3,LFO)薄膜是一类重要的介电薄膜材料,是目前国内外研究的前沿和热点之一。综述了用溶胶-凝胶法制备LaFeO3薄膜的基本原理、工艺过程及其特点。     

热处理温度对溶胶-凝胶法制备的TiO2薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶法在普通载波片上制备了TiO2薄膜,用AFM、XRD、UV-VIS分光光度计、润湿角测量仪研究了薄膜的表面形貌和热处理温度对薄膜各种性能的影响.结果表明:TiO2薄膜由大量的球形纳米颗粒构成,颗粒大小均匀;随着热处理温度的升高,TiO2薄膜晶粒尺寸不断长大,亲水性和光催化性能提高;600℃时部分TiO2由锐钛矿转变为金红石相,使紫外光吸收线“红移”.     

超声辐射溶胶-凝胶法制备纳米In2O3气敏材料

以无机盐为原料,采用溶胶-凝胶法与超声技术相结合的手段制备颗粒均匀的纳米氧化铟.运用XRD和TEM等分析手段对合成产品的结构、形貌等进行了表征,用静态配气法初步测试了合成材料的气敏性能.结果表明,溶胶-凝胶法与超声技术相结合是合成高性能纳米材料较有前途的一种方法,并且该法制备的纳米氧化铟材料有较好的气敏性能.     

用PECVD制备的SnO_2薄膜气敏特性研究

ＳｎＯ２薄膜制备及其应用日益受到人们的重视。本文阐述了用低温等离子体化学气相沉积法制备ＳｎＯ２薄膜的工艺，并研究了所制得的纯净及掺杂Ａｇ，Ｐｄ的ＳｎＯ２薄膜的气敏特性。此法制得的元件对还原性气体，尤其是低浓度Ｈ２Ｓ，Ｃ２Ｈ５ＯＨ具有很高的灵敏度及快速的响应．     

淀积和掺杂方法对氧化锡薄膜气体灵敏度的影响

采用蒸发法、反应离子溅射法和等离子增强淀积法３种方法，在ＳｉＯ＿２－Ｓｉ衬底上淀积一层ＳｎＯ＿２薄膜，在这层薄膜内用反应离子溅射或蒸发法掺人微量Ａｌ．比较这些掺杂和未掺杂样品对氢气响应灵敏度的差别，研究了响应灵敏度差别与薄膜的微观结构和表面原子价态之间的关系．     

烧结型SnO_2可燃气体敏感元件研究

采用化学沉淀法与浸渍法结合制备的Ａｇ－ＳｎＯ＿２粉料，金属银无规则地分布于ＳｎＯ＿２的表面，当Ａｇ的掺杂量为２ｗｔ％左右、工作温度在２６０℃左右时，可获得气敏性能良好的可燃气体敏感元件。     

Au-SnO2高温CO气敏元件的研制

在 Ｓｎ Ｏ２ 基体材料中掺杂 Ｔｈ Ｏ２ 及 Ａｕ, Ｐｄ 等贵金属催化剂,获得了２７０ ℃高温区域对 Ｃ Ｏ 具有高灵敏度的气敏元件．通过活性碳过滤技术,改善了该元件的选择性．测试结果表明,该元件具有良好的稳定性,是一种实用化的 Ｃ Ｏ气敏元件．     

掺吲哚CuPc薄膜对NO_2气敏的影响

吲哚是一种化学稳定剂，为探讨吲哚掺入ＣｕＰｃ薄膜对ＮＯ＿２气敏特性的影响，用共沉积的方法在ＣｕＰｃ薄膜中掺入吲哚，从制备的ＣｕＰｃ夹层光电池测试中，探讨了吲哚对ＣｕＰｃ薄膜的光电导的影响；由Ｘ－线衍射分析了吲哚对ＣｕＰｃ薄膜的结构的影响，测试了掺杂对ＮＯ＿２敏感特性的影响，结果表明，掺入吲哚可抑制ＣｕＰｃ的光电导，提高其气敏的稳定性；同时使得ＣｕＰｃ分子在基片上的排列趋向单一有序，对改善ＣｕＰｃ薄膜气敏的灵敏度和时间特性具有积极意义。     

新型常温半导体气敏元件的研制及其特性研究

采用高活性的ＳｎＯ２为基体材料，选择适宜的掺杂剂，制成了性能独特的常温气敏元件．对其特性进行研究发现，其对ＣＯ，Ｈ２，Ｃ４Ｈ１０及混合气体具有不同的响应特征．     

粉末溅射SnO2/CeO2薄膜气敏元件的性能

通过对粉末溅射SnO2/CeO2薄膜气敏元件性能的测试和探讨,总结出反应升温△trea与气体浓度C存在关系△trea=(ACn)/(1+BCm)(其中A,B＞0,n＞m＞0),同时发现湿度对灵敏度的影响很大而对相对灵敏度影响不大;为确保测量的可靠性应避免用于测量高浓度气体,同时注意稳定测试电压,如用相对灵敏度进行测量,则可以减小湿度对测量结果(测量值)的干扰.     

SnO_2－SiO_2双层薄膜氢敏元件的特性研究

采用溶液－凝胶浸渍涂布工艺在Ａｌ＿２Ｏ＿３陶瓷管上制备了掺杂ＳｎＯ＿２气敏薄膜；利用高温热解法在ＳｎＯ＿２薄膜表面覆盖ＳｉＯ＿２气体分离膜后制得双层薄膜气敏元件。分别测试并比较单层和双层薄膜元件的气敏特性，结果表明：单层薄膜元件对可燃性气体无选择性、响应和恢复时间短；而双层薄膜元件对氢气表现出极高的灵敏度和优越的选择性，其响应和恢复时间都比单层薄膜元件有所延长，结合实验结果，从理论上阐述了双层薄膜元件对氢气的敏感机理。