晶体管电路设计(二)

二、晶体管调谐放大器的设计由于晶体管有内部反馈,因此在作为调谐放大器运用时就会引起电路的自激振荡、谐振曲线的畸变以及输入、输出回路调谐时的相互影响.所以设计晶体管调谐放大器时首先就要设法克服这种内部反馈的影响.通常有两种方法.一种是所谓单向化(中和)的方法,就是在外电路中加一反馈电路来抵偿晶体管内部的反馈效应,使得总的电路成为单向化.这种电设计     

晶体管电路设计(四)

四、晶体管变频电路关于晶体管变频特性的分析可以采用分析放大特性一样的方法,直接引进一组变频参数,通过这些参数的测量就可以象计算放大电路一样来计算变频增益等;也可以根据晶体管的非线性特性导出一个变频等效电路,再利用它来进行分析计算;而更为直观一些的方法,则可以把晶体管变频电路的作用分成两步来进行分析.首先求出接收信号和本地振荡信号通过晶体管非线性输入阻抗的混频作用,产生了中频     

晶体管电路设计(三)

三、宽频带放大器放大脉冲和其他非正弦视频信号时都需要采用宽频带放大器.利用晶体管做放大器时在高频段放大倍数的跌落不仅是由于分布电容的影响,还必须考虑到所用晶体管的截止频率.改善放大电路高频响应的方法和电子管电路一样,可以采用补偿和负反馈两种方法,只是由于晶体管的参数较复杂,使电路设计显得繁一些而已.下面我们仅就电感补偿电路的计算作一介绍,关于负反馈电路的设计可参阅有关文献.     

晶体管电路设计(一)

一、阻客耦台放大电路阻容耦合放大电路是最基本的放大电路,常用的电路形式如图1所示,关于这种电路的电流增益、频率响应和温度稳定性等在前一讲座中已有讨论,下面将进一步讨论如何根据实际要求来确定参数和工作状态,从而计算出电路元件的数值.     

晶体管电路设计(六)

晶体管在脉冲电路中应用时总是要利用到它的特性曲线的整个区域——饱和区、工作(放大)区和截止区.这时晶体管就应该看成是一个强非线性的元件,电路中脉冲振荡过程的分析比较复杂,通常我们都采用分区线性化的方法来进行设计和分析.当晶体管外在饱和状态或是截止状态时,它并不具有放大特性     

晶体管电路设计(五)

五、晶体管正弦振荡电路电路中的振荡是一个非线性的过程,它的分析和设计通常都采用近似的方法.线性近似则是最为简单而常用的分析方法,这种方法对于分析振荡过程的起振条件、振荡频率和频率稳定性等都可以获得足够好的结果.但对于电路的振荡强度、工作状态等就无法解决了.因此这种近似方法对于实际电路的设计往往是不够的.下面我们就介绍一种比较实用的同设计     

场效应晶体管与模拟晶体管(静电感应晶体管)

业已指出,普通场效应晶体管之所以表现出饱和特性,其原因是:随着漏电压的增加,在接近夹断电压时由于沟道串联电阻显著增大而提高了负反馈效应,此时表观跨导G′_m=G_m/(1 r_s·G_m)变为G′_m(?)r_s~(-1)。还指出,1950年Watonabe(渡边)和Nishizawa(西泽)发表的模拟真空型晶体管只有在内部负反馈作用小到G′_m(?)G_m时才呈现出不饱和的“立起的”特性。在这种情况下,当沟道尚未夹断时,特性是欧姆型的,晶体管可以作为一个良好的可变电阻;而当沟道已经夹断时,由于漏的静电感应,器件呈现出类似于真空三极管的“立起的”特性。因为这种晶体管的输出特性和输入特性一样,是以静电感应为基础的,它和真空三极管相类似,被称为“静电感应晶体管”。与肖克莱预言的“模拟晶体管”遵循空间电荷导电规律恰好相反,静电感应晶体管具有指数特性。业已确认,这种静电感应晶体管具有低噪声、低失真和大功率能力,并且已经作出大功率晶体管(8兆赫,2千瓦),高频晶体管(超高频几瓦)以及高速可变电阻器,正在制作微波晶体管、超高速集成电路以及可变电阻器。     

单电子晶体管全加器电路设计

基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和二叉判别图数字电路的设计思想,改进了二叉判别图(BDD))单元,得到了一类基本逻辑门电路,进而提出了一种由11个BDD)单元即22个SET构成的全加器电路单元。SPICE宏模型仿真结果验证了设计的正确性。     

铁电晶体管存储器的读出电路设计

通过对铁电晶体管电学特性分析,提出了铁电晶体管的仿真模型,并设计了一种新型单管(1T)结构的读出电路。通过此模型进行了仿真验证,并与传统双管(2T)结构的电流放大读出电路的仿真结果进行对比,结果表明,新型1T结构读出电路在读出速度,可靠性及电路结构大小等方面均有提高。     

常用晶体管电路设计出版预告

本书内容包括:晶体管的基本电路,如晶体管放大器、晶体管振荡器、晶体管电源电路等;应用电路方面如晶体管在晶体管收音机、晶体管电视机、晶体管电子仪器、工业测量仪器等,绝大多数电路都有具体数据.可供刚开始接触晶体管电路设计者、亦可供业余爱好者自学之用.     

电力电子器件知识讲座(七) 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(一)

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以"电力电子器件知识"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

晶体管控制的循环灯简易电路设计

利用几只晶体三极管、发光二极管、电容以及电阻就可构成按照预定的目标、预定的时间进行发光的循环灯简易电路,电路使用简单方便,易于实现,价格便宜。     

三端口S参数用于晶体管电路设计

微波领域中广泛应用的场效应晶体管(FET)、双极型晶体管(BPT)以及近年来正在开发的性能优越的高电子迁移率晶体管(HEMT)均系三端器件。早在1968年文献[1]己指出宜用三端口S参数来表征晶体管特性并进行电路设计。但是由于具体分析计算的复杂性,直至今日一般仍沿用一端接地的两端口S参数来分析这种三端口电路。这样在分析并联反馈或串联反馈的晶体管电路(例如反馈放大器或振荡器等)时必须通过S参数与Y参数或Z参数之间的转换关系     

非晶态发射极晶体管(FFJ)

采用非晶态硅作为双极型微波功率晶体管的发射极材料,利用这种硅层的垂直电阻的镇流作用,能够消除发射极边缘的注入电流集边现象。与通常晶体管相比,FFJ的有效发射极面积对基极面积之比值提高2～3倍,输出功率-阻抗乘积提高5～10倍。 由于FFJ的发射极-基极结电容仅仅取决于它的发射极掺杂情况,因此,可以同时得到较小的基极电阻r_b和较高的发射极截止频率f_(TE)。f_(max)的数值可以比通常的晶体管高3～5倍。     

晶体管电路讲座(二)

二、半导体三极管低频小信号网络特性半导体三极管在电路中使用时可以有三种不同的联接方式即:共基极、共发射极及共收集极.见图14.无论那种电路联接,在正常工作时都必须使发射结处于正向偏压,收集结处于反向偏压.由于电路的联接形式不同,它们的静态特性也略有不同,见图15.从三种联接形式的电路工作情况,不难了解它们的特性.     

晶体管的設計(下)

热性设计 5.热阻的定义及其测量限制晶体管输出功率的因素可分两类:电性的和热性的。前者就是输出功率受发射极和收集极电学特性的限制,后者则是受P—N结的温度不能过高的限制。对锗的P—V结来说,温度一般不能超过100℃,这是因为温度过高时热就会有足够的热能供给满带中原来被     

晶体管的设计(上)

本文主要内容,作者曾在1956年8月北京举办的全国半导体讲习班上。现又改编充实。作者对晶体管的设计和制造,有多年工作经验和试验研究心得,将陆续撰文在本刊发表。——编者     

晶体管电路讲座(五)

六、晶体管在脉冲电路中的应用(一)晶体管的开关特性及瞬态响应图44表示晶体管在共基极连接时收集极的静态特性曲线,可以把它分成三个区域:1.截止区:对应于发射极电流I_g=O的下面部分,在这时发射精、收集枯均处于反向。 2.鲍和区:位于收集极电压>O的那一范圃内,这时要求发射桔、收集桔均处于正向。 3.技性区:位