Zr4Co4Ge7晶体结构的高分辨电子显微像观察

Ｚｒ＿４Ｃｏ＿４Ｇｅ＿７晶体结构的高分辨电子显微像观察茅建富，贺连龙，叶恒强，杨德庄，唐之秀（中国科学院固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）（哈尔滨工业大学）Ｖ相是在三元过渡族金属原子硅化物和锗化物中易于形成的一种相。其成分组元中有一种过渡族...     

添加Ni—Fe或Ni—Cr合金对Mo粉末压坯烧结行为的影响

添加少量纯Ｎｉ粉不仅可以降低Ｍｏ的烧结温度,而且也大大地提高烧结密度。例如,添加２％的纯Ｎｉ粉可以使Ｍｏ在相应烧结温度一半时达到９４％的相对密度。烧结Ｍｏ坯的工与烧结温度有很强的关系,其烧结过程中的活化能,与Ｍｏ的体弥散能相比迅速下降,在相当短的时间内即完成整个烧结过程。     

Al10Cu10Fe1相低温变体Ф2相结构的电子显微分析

1939年，Bradley等最早对Al-Cu-Fe三元系统进行了系统研究。他们鉴定出4种热力学上稳定的、结构未确定的三元化合物相，分别是Al5Cu2Fe，称为ψ相；Al7Cu2Fe，称为ω相；Al10Cu10Fe，称为φ相；Al18Cu10Fe，称为χ相。迄今，除了χ相未被进一步确认外，其余三相及其结构都已被确认，尽管φ相的结构还有争论。     

MgO缓冲层对Si衬底上制备Fe3Si薄膜性能的影响

采用磁控溅射方法和热加工工艺在n型Si衬底上溅射不同厚度的MgO层并制备Fe-Si薄膜层,退火后形成Fe3Si/MgO/Si多层膜结构.利用MgO缓冲层对退火时Si衬底扩散原子进行屏蔽,并分析MgO层对Fe3Si薄膜结构和电学性质的影响.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪对Fe3Si薄膜的晶体结构、表面形貌、断面形貌和电阻率进行表征与分析.研究结果表明:当MgO层厚度为20 nm时生成Fe0.9Si0.1薄膜,当厚度为50,100,150和200 nm时都生成了Fe3Si薄膜,生成的Fe3Si和Fe0.9Si0.1薄膜以(110)和(211)取向为主.随MgO缓冲层厚度增加,Si衬底扩散原子对Fe3Si薄膜的影响减小,Fe3 Si薄膜的晶格常数逐渐减小,晶粒大小趋向均匀,平均电阻率呈现先增大后减小趋势.研究结果为后续基于Fe3 Si薄膜的器件设计与制备提供了参考.     

Zr对Ni3Al合金中晶界与位错交互作用的影响

Ｚｒ对Ｎｉ＿３Ａｌ合金中晶界与位错交互作用的影响谷月峰，刘毅，林栋梁，郭建亭，董林（上海交通大学，上海２０００３０）（中国科学院金属研究所）（辽宁省理化测试中心）近来的研究表明：在无硼Ｎｉ＿３Ａｌ合金中加入适量的Ｚｒ可使其具有良好的室温塑性和高温强度...     

用弹道电子显微术研究Co-Ti-Si系统的退火温度对CoSi2/Si势垒不均匀性的影响

通过在硅(100)衬底上淀积的Co(3nm)/Ti(1nm)双金属层在不同退火温度下的固相反应,在硅衬底上制备了超薄外延CoSi2薄膜.在低温下,用弹道电子显微术(BEEM)及其谱线(BEES)测量了CoSi2/Si接触的局域肖特基势垒高度.对于800℃退火的CoSi2/Si接触,势垒高度的空间分布基本符合高斯分布,其峰值在599meV,标准偏差为21meV.而对于700℃退火样品,势垒高度分布很不均匀,局域的势垒高度值分布在152meV到870meV之间,这可归因于CoSi2薄膜本身的不均匀性.     

用弹道电子显微术研究Co-Ti-Si系统的退火温度对CoSi2/Si势垒不均匀性的影响

通过在硅(100)衬底上淀积的Co(3nm)/Ti(1nm)双金属层在不同退火温度下的固相反应,在硅衬底上制备了超薄外延CoSi2薄膜.在低温下,用弹道电子显微术(BEEM)及其谱线(BEES)测量了CoSi2/Si接触的局域肖特基势垒高度.对于800℃退火的CoSi2/Si接触,势垒高度的空间分布基本符合高斯分布,其峰值在599meV,标准偏差为21meV.而对于700℃退火样品,势垒高度分布很不均匀,局域的势垒高度值分布在152meV到870meV之间,这可归因于CoSi2薄膜本身的不均匀性.     

元素S的加入对镍基合金/Si3N4摩擦副的摩擦学性能的影响

一般而言 ,金属 陶瓷摩擦副受其界面作用 (如化学反应、粘着、润湿 )的影响而表现出高的摩擦系数和磨损率 ;在较高速度下由陶瓷引起的二体或三体磨粒磨损也会对磨损有一定的贡献。因此 ,合理地控制金属 陶瓷摩擦界面作用的强度有利于改善其摩擦学性能 ,其中在金属中加入活性元素Ｓ是一种有效的手段[1] 。镍基合金和Ｓｉ3 Ｎ4陶瓷由于其优异的高温性能 ,已成为经常选用的摩擦副材料。因此 ,本文选择Ｎｉ Ｃｒ合金 Ｓｉ3 Ｎ4为摩擦副 ,考察Ｓ的加入对Ｎｉ Ｃｒ合金 Ｓｉ3 Ｎ4摩擦副的摩擦学的影响 ,并运用扫描电镜对磨损表面的形貌进行了…     

Fe、Si杂质含量对电解电容器低压阳极铝箔静电容量的影响

Ｆｅ在高纯铝中的存在状态（固溶状态或Ａｌ３Ｆｅ，ＡｌＦｅＳｉ金属间化合物析出状态）直接影响铝在盐酸溶液中的腐蚀速度，从而对腐蚀箔的静电容量有极大影响。介绍了近年来日本专利中关于防止Ｆｅ、Ｓｉ析出的轧箔工艺，即高温固溶处理后在数分钟内完成热轧，使Ｆｅ、Ｓｉ来不及析出，这样，９９．９８％Ａｌ就其Ｆｅ、Ｓｉ析出量而言，实际可达到９９．９９％以上铝的水平。更进一步，控制Ｆｅ、Ｓｉ析出分布状态（弥散状分布）的轧箔工艺，有可能用９９．９３％～９９．９８％铝得到９９．９８％以上纯度铝同样静电容量水平。     

氧对Sm2（Co，Cu，Fe，Zr）17微观结构及磁性能的影响

Sm2（Co，Fe，Cu，Zr）17永磁体是Sm-Co永磁体中应用最为广泛的一种，主要体现在航空、航天和军工等高技术方面，特别是在工作温度较高的特殊环境及恶劣场合中，具有不可代替（如Nd-Fe-B替代不了）的优点。     

As、Ga掺杂对Mn4Si7电子结构和光学特性的影响

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法研究了四方本征Mn4 Si7、As掺杂及Ga掺杂(同一周期不同主族进行n、p型掺杂)Mn4 Si7模型的电子结构以及光学性质.通过对其能带、态密度及光学性质的分析可以发现,As、Ga掺入后引入了杂质能带,能带曲线向低能级方向移动,导致禁带宽度减小,杂质的引入使得其介电常数、吸收率...