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α-Fe2O3厚膜的成型与玻璃实的选取及玻璃料含量有很大关系,α-Fe2O3厚膜的敏感特性与Sn^4+的掺入量以及烧成温度有很大关系,找到了最佳的配方及烧成温度。 相似文献
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α—Fe2O3薄膜的制备,结构和气敏特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用等离子增强化学气相淀积工艺(PECVD)制备出了Fe2O3薄膜,用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的结构、表面形貌和粒度,研究了薄膜对乙醇、液化石油气、煤倔和氢气的敏感特性。结果表明所研制的薄膜对乙醇有较高灵敏度,共检测下限可达1ppm,而对液化石油气、煤气和氢气不太敏感,具有优良的选择性。 相似文献
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SO4^2—掺杂对YFeO3电导和气敏性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
用浸泡震荡分散法制备了YFeO3掺SO4^2-半导体气敏材料,并对其电志和气敏性能进行了研究。结果表明:SO4^2-的掺入改变了p型YFeO3,半遐体材料的导电性能;少量SO4^2-(≈1%)的存在,能提高材料的比表面积和表面吸附氧O2^n-数量,257℃下对乙醇有较好的选择性和灵敏度。有望开发为一类新型酒敏元件。 相似文献
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Fe2O3:SnO2薄膜的气敏透射光学特性 总被引:1,自引:0,他引:1
用溶胶--凝胶法制备Fe2O3:SnO2薄膜,研究了它的气敏透射光学特性,分析了实验结果,并解析了气敏光学透射机理。 相似文献
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α—(SbxFe1—x)2O3半导体的固溶与导电机制的相关性 总被引:1,自引:0,他引:1
用化学共沉淀法,经热处理制得n型半导体α-(SbxFe1-x)2O3。XRD分析确证0≤x≤0.2是固溶体。实验发现在x≤0.03区间内材料电阻降低幅度很大,而在x=0.03 ̄0.2区间的电阻却缓慢上升,根据体系中存在SbFe^x→SbFe^-+2e缺陷平衡,讨论其原因和导电机制;相应於此缺陷平衡的Sb^3+和Sb^5+的含量由XPS分析予以证实。 相似文献
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以SnCl4·5H2O,FeCl3·6H2O及无水乙醇为主要原料,采用溶胶 凝胶法制备了SnO2:Fe2O3混合薄膜,测量并研究了其在可见光区附近的丙酮气敏反射光谱. 相似文献
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陶瓷添加剂MnO2,Fe2O3,Li2CO3的热分析 总被引:6,自引:0,他引:6
陶瓷添加剂能使陶瓷材料具有良好的烧结状态和最佳的压电性能。本文作者采用Dupont—2000型热分析仪对常用添加剂MnO2、Fe2O3、Li2CO3进行了DTA、TGA分析,研究了几种物质在烧结过程中的物理、化学变化。 相似文献
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王喆 《电子材料与电子技术》2008,(4)
采用溶胶-凝胶法合成掺杂Ia的六角晶系Z型钡铁氧体Ba3-xLaxCo2Fe24O41,并对其吸波性能进行研究。实验结果表明,镧的最大添加量为x=0.3,此时Ba3-xLaxCo2Fe24O41可以形成完整的物相结构,对其吸波性能研究分析表明,适量的掺杂镧可以提高Z型钡铁氧体的吸波特性,最大衰减量为-26.5dB,有效带宽为5GHz。Z型钡铁氧体最佳成相热处理条件是1250℃~1275℃/5h;测试不同烧结温度下的材料吸波特性,1275℃/5h工艺下完成的样品的吸波性能最好,最大衰减量为-19dB,有效带宽为10.5GHz,吸收峰向高频方向移动。 相似文献
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运用Bi2O3-Nb2O5复合掺杂的陶瓷工艺,制备了NiCuZn铁氧体。从其微观结构出发,采用SEM分析手段,研究了Bi2O3-Nb2O5复合掺杂对NiCuZn铁氧体性能的影响。结果表明:适量的Bi2O3-Nb2O5复合掺杂,既有利于细化晶粒、促进晶粒均匀致密,又提高了品质因数Q,其磁性能明显优于单独掺杂。在掺杂总量的质量分数为0.5%、烧结温度为900℃、ζ(Bi2O3:Nb2O5)为7:3时,铁氧体的密度ρ为5.15g/cm3、起始磁导率μi为820.9、Q值可达110.5。 相似文献
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本文介绍了Y2O3-Ir阴极的涂层(Y2O3)基金属(Ir)及其界面的形貌及成分,讨论了观察结果,并对Y2O3-Ir阴极的某些特性进行了探讨。 相似文献