首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 546 毫秒
1.
利用高分辨电子显微术结合计算机像模拟技术研究了Zr4Co4Si7的晶体结构。结果表明,Zr4Co4Si7(Zr4Co4Ge7型)结构为体心四方点阵,点阵常数a=1.2935nm,c=0.5090nm,空间群为I4/mmm,用Fe或Ni元素置换Zr4Co4Si7结构中的部分Co原子后,并不改变结构点阵类型及点阵中原子的配位关系,点阵常数变为:Zr4Co4Si7结构中的部分Co原子后,并不改变结构点阵  相似文献   

2.
报道了YBa2Cu3O6.3和PrBa2Cu3O6.3多晶陶瓷c抽取向薄膜中的红外光谱,在PrBa2Cu3O6.3中以9个声子模,对应于5Eu+4A2u振动。在YBa2Cu3O6.3材料中观察到10个声子模,对应于6Eu+4A2u振动,其中Pr的Eu和A2u模分别为位于170cm^-1和198cm^-1,Y和Eu和A2u模分别位于191cm^-1和217cm^-1PrBa2Cu3O6.3和YBa2  相似文献   

3.
Al3Ni2的一个超结构相郝朝斌王蓉(北京科技大学材料物理系,100083)Al3Ni2(τ3)相是一种空位有序相,实验上已观察到由十次准晶向Al3Ni2的五重畴结构的转变[1],然而,Al3Ni2结构并不满足准晶近似相的大单胞特征[2]。已有工作[...  相似文献   

4.
用法国进口的GaAsVPE设备,采用AsCl)3/H_2/Ga体系,以SnCl_4l/AsCl_3为掺杂液,生长了2英寸多层GaAs外延材料,自行设计了反应器的热场分布,在反应器中增加了合适的搅拌器,用以改变反应器中气体流动情况。GaAs外延层的浓度均匀性与厚度均匀性均小于5%。浓度均匀性的最佳值为3.7%,厚度均匀性的最佳值为1.5%,当外延层载流子浓度为1.9×10 ̄(17)cm ̄(-3)时,室温迁移率达到4390cm ̄2/V·s。  相似文献   

5.
红宝石激光晶体零场分裂及其光谱精细结构研究   总被引:4,自引:2,他引:2  
推导了d^3(C^*3v)组态离子的中间场能量矩阵,建立了红宝石(Cr^3+:Al2O3)晶体基态^4A2零场分裂(ZFS)参量D及^2E态分裂△E(^2E)与晶体结构之间的定量关系;假设晶格畸变的基础上,统一地计算了Cr^3+:Al2O3晶体的ZFS参量D、Zeemang因子、精细光谱及^2E态的分裂△E(^2E),计算结果与实验观测十分吻合,定量的研究结果表明:当Cr^3+离子掺入Al2O3晶  相似文献   

6.
LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管   总被引:6,自引:3,他引:3  
利用LP-MOCVD外延生长AlGaInPDH结构橙黄色发光二极管.引入厚层Al0.7Ga0.3As电流扩展层和Al0.5Ga0.5As-AlAs分布布拉格反射器(DBR).20mA工作条件下,工作电压1.9V,发光波长峰值在605nm,峰值半宽为18.3nm,管芯平均亮度达到20mcd,最大29.4mcd,透明封装成视角(2θ1/2)15°的LED灯亮度达到1cd.  相似文献   

7.
GaAs衬底层选择性腐蚀技术   总被引:2,自引:1,他引:1  
本文在GaAsGaAlAs选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀GaAs衬底层获得GaA/GaAlAs外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了C3H4(OH)(COOH)3.H2O-H2O2系选择性腐蚀液和H2SO4-H2O2系腐蚀液,获得了快速,可控制,重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。  相似文献   

8.
MOCVD生长大功率单量子阱激光器   总被引:2,自引:2,他引:0  
本文介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量于阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122,700cm2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡变的界面.激光器的最大光输出功率为4W,平均光功率密度达4MW/cm2,斜率效率为1.2W/A,在1W恒功老化4000小时电流增加小于10%,预计寿命可超过两万小时.  相似文献   

9.
硅基GaAs/GaAlAs平面光波导的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析了金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)GaAs/GaAsAl/GaAs/Si材料结构的性能,用MOCVD法地硅衬底上生长了GaAs/GaAsAl/GaAs材料,并用这种材料制备了平面光波导样品,测定了1.3μm,单模激光的传输损耗小于0.65dB/cm。  相似文献   

10.
GaAs、GaP、InP、InGaAsP、AlGaAs、InAlGaAs的化学腐蚀研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
为研制全集成光开关、微片式激光器等,对GaAs、GaP、InGaAsP、InAIGaAs、AlGaAs等材料的化学腐蚀进行了实验研究。为了研制InAlGaAs/InAlAs/InAlGaAs微片式激光器,开发了H3PO4/H2O2/H2O薄层腐蚀液和HCl/H2O选择性腐蚀液;为了研制InGaAsP/InP/InGaAsPTbar型光波导,开发了HCl/H3PO4/H2O2薄层腐蚀液和HCl/H2O2选择性腐蚀液;为了研制GaP、InGaP光波导,开发了HCl/HNO3/H2O薄层腐蚀液。它们都具有稳定、重复性好、速率可控、腐蚀后表面形貌好等特点。除此之外,蚀刻成的GaP光波导侧壁平滑无波纹起伏。此种结果尚未见报导。  相似文献   

11.
利用低压金属有机化合物汽相淀积方法,以液态CCl4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料,研究了CCl4流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响.采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究.实验制备了空穴浓度高达1.9×1020cm-3的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al0.3Ga0.7As外延层.在材料研究的基础上,我们以碳为P型掺杂剂生长了Ga  相似文献   

12.
本文报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能.这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,除内n型掺杂,具有50个周期.利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(2英寸)均匀(厚度△t_max/≤3%,组分△ x_max/x≤3.4%,掺杂浓度△nmax/n≤3%,椭圆缺陷≤300cm-2)的外延材料.分析了暗电流的成因,通过加厚势垒(Lb≥300)、控制掺杂(n≤1×10 ̄18cm ̄3)、精确设计子带结构,将暗电流降低了几个数量级,同时使电子的输运得到了改善.由此得到了高质量的  相似文献   

13.
本文选用了Co/Si/GaAs结构作为研究对象,经600℃恒温退火及800℃快速退火处理后,分别在GaAs衬底上形成Cosi2/GaAsSchottky接触.采用多种薄膜和界面的测试技术,对CoSi2:/GaAs的薄膜及界面特性进行了细致的研究.结果表明:热退大处理后,Co/Si经化学反应形成了较均匀的CoSi2单相,其薄膜电阻率约为30μΩcm.即使经900℃的快速返火处理后,GaAs界面仍保持相当的完整性,同时薄膜形貌也很理想.此外,采用I-V电学测试法对经750℃恒温退火处理后形成的CoSi2/Ga  相似文献   

14.
本文分析了测试爆炸喷涂获得Al2O3/Cr12MoV界面层的微 性能。试验结果表明Al2O3/Cr12MoV界面层中Fe,Cr,Al等元素呈梯度分布,界面层内存在着海绵状结构。同时,Al2O3/Cr12MoV存在界面反应。  相似文献   

15.
赵卫疆  于俊华 《激光与红外》1999,29(5):283-285,296
基于近年来的工作,并与Ti^3+,Al2O3激光晶体对比,对掺Cr^3+的colquiriite结构氟化物激光晶体的性能进行了分析,论述了此类激光晶体的优势和不足,并提出了一些可能的解决办法。  相似文献   

16.
本讨论了用MIQ-156四极SIMS仪器对AlxGa1-xAs中Si进行定量分析的实验方法,考察了测量结果的重复性及x变化时SiRSF的变化规律,在IMS-4fSIMS仪器上进行了对比测试,用Cs^+源对^29Si的原子检测了限达到了4×10^15cm^-3。  相似文献   

17.
掺Cr^4+饱和吸收体吸收截面和基态恢复时间的测量   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文给出一种测量掺Cr^4+饱和吸收体基态和激光发态吸收截面的方法,并用之测量国产Cr^4+:YAG的两个吸收截面分别为4.3×10^-18cm^2和8.2×10^19cm^2;同时给出一种用泵浦探测法测量可饱和吸收体μs量级基态恢复时间的方法,并用之测得国产Cr^4+:YAG的基态恢复时间为3.2μs。  相似文献   

18.
选用高Tc超导薄膜YBa3Cu3o7-8,引用微加工技术,制出了4*4元面工外探测器,超导膜用湿法工艺光刻成折线结构,总线长约2000μm,可提高敏感元工作电阻率。  相似文献   

19.
用激光加热基座法生长了Er:YAG、(Nd、Er):YAG和Nd:YAG单晶光纤,测试了单晶光纤的透过率谱和Er^3+离子^4I11/2、^4I13/2态,Nd^2+离子^4F3/2态的固有寿命τ0,双掺晶体中这些态的平均寿命τ0。讨论了Nd^3+离子对Er^3+离子的敏化作用。  相似文献   

20.
吴人齐  陈正豪 《激光与红外》1994,24(2):40-42,49
GaAs/AlGaAs多量了阱结构的红外探测器是近几年出现的一种新型红外探测器。本文对基基本原理作了介绍。并报导了最新研制成果;Dλ=1.42×10^11cmHz1/2W^-1=Rλ=2.32×10^6V/W,峰值响应为8.5μm的高性能GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号