半导体光电子器件的应用

半导体光电子器件大致分为两类:一类是将电能转变为光能的发光器件;一类是把光能转变为电能的光敏元器件.这些光电器件在工业自动控制、家用电器、少年科技模型和儿童玩具、现代通讯技术、报警以及医学和农业等诸方面均有极其广泛的应用.本文在简述光电器件工作原理的基础上,着重介绍其报警方面的应用实例.光电元器件的工作原理发光器件主要有发光二极管、发光三极管和半导体激光器件等.这些器件都是将电讯号转变成光讯号的器件,它们的基本结构是pn结,如图1所示.发光方式有多种,但用得最多的是利用pn结正向注入的少子,通过直接或间接复合而产生光的辐射,对于直接跃迁的半导体,辐射光的波长由材料的禁带宽度确定,其关系式为     

进入新世纪的半导体光电子技术

受计算机和互联网推动的信息技术,以及医学的进展,使光电子市场进一步繁荣。繁荣的市场又使CMOS摄像机和CCD迅速发展,并会很快广泛采用微光电机系统。大功率半导体激光器在军事和民用领域都有重要的用途,功率最大的多条组件总功率已超过30kW,其发展将使材料处理领域发生一场革命。室温CW输出功率为5mW的GaN基蓝光半导体激光器的工作寿命已达1万小时,达到了商品化水平。在红外探测器领域,大量的非致冷铁电320×240像素微测辐射热计成像系统     

韩国光电子集成回路的研究

韩国光电子集成回路的研究１．引言韩国Ⅲ－Ⅴ族半导体的研究开始于７０年代中期，仅在几个大学进行。８０年代初，有较多大学、政府和工业实验室认识到这种半导体的潜力，也开始加入Ⅲ－Ⅴ族半导体器件研究的行列，包括光器件和电子器件的研究。随着光器件、电器件和光电...     

半导体超晶格材料和光电子器件的研究和发展

半导体超晶格材料和以这些材料为基础的光电子器件是半导体科学和技术的一个新生长点。 超晶格材料是新一代半导体材料,它为新一代光电子器件奠定了基础。而这些新一代光电子器件正是廿一世纪光电子产业的核心。 半导体超晶格材料的研究和发展,把半导体光电子器件的研究和发展推进到一个崭新的阶段。可以预言,正如廿世纪是电子产业的时代一样,廿一世纪必定是光电子产业的时代。     

量子点光电子器件及其研究进展

作为未来新型光电子器件的有源区材料,采用能带工程形成的各种半导体量子点,以其所具有的许多独特光电特性而日益显示出潜在的重要应用。着重评述了量子点激光器、量子点红外光探测器和量子点单光子发射器件在近3至5年内取得的最新进展,并对存在的问题进行了分析和讨论。最后,提出了进一步改善器件性能的几种可能途径。     

半导体材料与器件九十年代最新进展

本文分别从单晶的尺寸、质量、新型器件、微加工及其集成度和性能几方面报导半导体材料与器件九十年代的世界水平。     

两段式双稳半导体激光器下跳阈值点的确定

对Ｋｕｚｎｅｔｓｏｖ采用的速率方程加以修正，考虑了俄歇效应的影响，我们流子寿命不再作为常数处理，而写成载流子浓度的函数。由此导出了两段式双稳半导体激光器下跳阈值点载流子浓度所满足的隐函数解析表达式。通过该解析表达式确定出了器件存在双稳的必要条件。进而讨论了俄歇复合系数、吸收区偏置电流和长度等对双稳特性的影响。     

半导体激光器件应用浅析

本简要介绍了目前半导体激光器的水平、应用领域及市场动态。     

宽禁带半导体材料及器件

以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展,然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射、耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围等都不能满足现代电子技术发展对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射、能发射蓝光等提出的新要求。而以SiC、GaN、金刚石为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电压高、     

光神经网络中的半导体光电器件

叙述了光神经网络的基本概念，并介绍了光神经网络中使用中的半导体光电器件， 体可调制光电检测器（ＶＳＰＤ），具有内存贮光神经芯片，人工视网膜芯片，以及不对称的Ｆａｂｒｙ－Ｐｅｒｏｔ调制器（ＡＦＰＭ）的最新研究结果。     

1.3μm wide bandwidth semiconductor laser module

We have fabricated high speed 1.3цm InGaAsP/InP laser module with a CW 3-dB modulation bandwidth of 4 GHz under direct modulation and a threshold current less than 40 mA at room temperature.In this paper ,the design,fabrication techniques and microwave package of module are descuibed in detail,and the microwave and optoelectronic performances are discussed.     

微波半导体器件国内外发展动态及应用（一）

本文主要介绍微波半导体器件的低噪声接收器件、微波发射器件、微波控制器件和新型微波器件等研究与应用状况,并对这些器件的发展作一概略展望.     

微波半导体器件国内外发展动态及应用(二)

本文主要介绍微波半导体器件的低噪声接收器件、微波发射器件、微波控制器件和新型微波器件等研究与应用状况,并对这些器件的发展作一概略展望.     

发光二极管的研究现状与发展趋势

Ⅱ－Ⅵ族，Ⅲ－Ⅴ族化全物半导体是制作显示器件的重要材料，随着制作工艺日趋成熟，发光二极管已广泛地应用于 民经济各部门。要方要介绍了国内外发光二有管的研究两头和发展趋势。     

Recent advances in flexible and wearable organic optoelectronic devices

Flexible and wearable optoelectronic devices have been developing to a new stage due to their unique capacity for the possibility of a variety of wearable intelligent electronics,including bendable smartphones,foldable touch screens and antennas,paper-like displays,and curved and flexible solid-state lighting devices.Before extensive commercial applications,some issues still have to be solved for flexible and wearable optoelectronic devices.In this regard,this review concludes the newly emerging flexible substrate materials,transparent conductive electrodes,device architectures and light manipulation methods.Examples of these components applied for various kinds of devices are also summarized.Finally,perspectives about the bright future of flexible and wearable electronic devices are proposed.     

半导体微波二极管国内外动态

本文主要介绍微波二极管的低噪声接收器件、微波发射器件和微波控制器件等研究状况以及它们的应用现状,另外,对这些器件的发展前景也作一概略展望.     

Recent advances in process synthesis for semiconductor devices

Recently, work has been started on a new methodology, called process synthesis, that has the potential to revolutionize integrated circuit (IC) process design in the same way that ASIC and microelectronics manufacturing science and technology (MMST) revolutionized circuit design and factory operation. This paper provides an overview of process synthesis, discusses synthesis methodologies, potential roadblocks to execution of this strategy, and presents recent progress in developing this capability     

High performance superluminescent diodes at 1.3μm wavelength

The design,fabrication and performance of 1.3цm superluminescent diodes are reported.A InP window structure and a passive absorber waveguide in different plane are applied to suppress lasing oscillation.A buried crescent structure similar to a laser diode is introduced to achieve high output power.The output power of about 700цW is coupled into a single-mode fiber at 150mA and 25℃.Spectrum width is more than 30nm.The devices operate in superluminescent state in the range from0℃to 60℃.