微波集成电路用铁氧体器件综述

本文就国外发表的部份有关资料,综述了铁氧体器件在微波混合集成电路中的应用,主要是环行器、相移器、滤波器以及关于在磁性基片上的集成电路问题。最后提出了今后有关工作重点。由于航天技术的发展,星际通讯技术的要求,微波设备体积和重量受到极大限制。微波集成和微带技术开始受到重视。1965年前后发展起来的微波集成电路所具有的高可靠性、性能好、体积小、重量轻等特点,已广泛用于宇宙航行、卫星通讯、导弹、遥测等电子系统中,铁氧体器件在这种电路中起到重要的作用。铁氧体器件作为无源的互(?)和非互(?)元件用于微波混合集成电路中。铁氧体磁性物质在恒磁场作用下或处于剩磁状态时,当它受到交变场作用其导磁率呈现张量形式,材料现出各向异性,这是制造非互(?)器件的理论依据。目前的微波混合集成电路基片上都采取微带形式,故这里只叙述微带铁氧体器件。     

微波铁氧体的最近进展

最近二十年来铁氧体大量地用于微波技术,从原始雷达和通讯到工业加热仪器仪表,近来甚至用到家庭中如微波炉和报警器。铁氧体元件不仅包括大家所熟知的非互易性器件如隔离器、环行器、相移器、衰减器、开关、功率限幅器等,新近还有应用光刻技术把微波集成电路做在铁氧体基片上的整个部件。最早应用的是简单的隔离器和环行器,用它来吸收元件或天线失配反射回来的功     

全铁氧体基片高方向性微带定向耦合器设计

本文叙述了用微波铁氧体基片设计高方向性微带定向耦合器的方法.总结出了一套既精确又能快速计算的完整程序,此程序适用于陶瓷基片上设计高方向性定向耦合器,经引入有效导磁率μ_(deff)后又可用于铁氧体基片上设计同类器件,这套公式比较直观,便于用小型计算器计算,也适于用计算机辅助设计(CAD),我们用铁氧体基片研究出了耦合度C=-6~-20dB之间不同波段上高方向性微带耦合器组合件,正式用于雷达,卫星地面站等各微波系统.     

微波集成电路铁氧体基片的温度稳定性

引言随着铁氧体基片在微波集成电路中使用的不断增长,测定铁氧体未磁化的导磁率μ和介电常数ε的有效值的温度稳定性就显得重要了。本文报导对几种铁氧体进行测量的结果。制造商给出的几种铁氧体成份和性能列于表一。测试样品是2×0.5×0.032的薄片。首先测定的内禀值μ、ε及其温度系     

微波铁氧体器件的新近发展

综述了近年来美日欧等国在微波铁氧体技术上的发展,重点放在环行器／隔离器、相移器析理论,着重介绍了新的ＹＩＧ单晶薄膜器件及薄（厚）膜铁氧体器件与半导体基片相共存的单片组件。军用需求正朝着超小型化、高性能和超宽带铁氧体器件发展,民用需求是尺寸紧凑、重量轻、价格低并能大批量生产。     

S波段中功率铁氧体隔离器设计

为满足微波集成电路的需求,设计了S波段中功率铁氧体隔离器.简单介绍了器件的工作原理和结构,论述了铁氧体基片材料的选取、外加磁场的确定及电路设计.在-55～ 85℃的工作温度范围内,器件的技术指标为,工作带宽:400MHz, 正向损耗( ≤0.5dB, 反向损耗(-≥20dB, 电压驻波比VSWR≤1.25;平均承受功率10W;外形尺寸为10mm×18mm×10mm(max).     

全铁氧体基片微带组件的研制与应用

本文从铁氧体微带隔离器和功率分配器的设计、应用出发,论述了将三个微带隔离器、两个功分器等多个器件有效地制作在一块铁氧体基片上,构成微带组合件,成功地替代了陶瓷基片衬底及分离元件,在-10～+55℃的环境温度下,达到功率分配和功耗要求,提高了整机的可靠性并大大缩小其体积,得到整机使用验证的过程。文章还对陶瓷基片如何过渡到铁氧体基片等技术问题进行了探讨。     

微波铁氧体集成组件及其应用

综述了微波铁氧体组件的种类特点及其发展，介绍了几种典型的微波铁氧体集成组件的应用，从而展示了这类组件在现代电子技术与设备中的重要地位和作用。     

新型微波铁氧体器件的开发和应用

叙述了南京电子技术研究所研制开发的一些新型的微波铁氧体组件或复合件及其应用前景。     

外文资料索引

一、微波器件 1.毫米波技术评论——新的铁氧体使滤波器和振荡器容易实现电调Microwaves 18(8),34,1979. 2.毫米波元件集成的可能性(德文)NTZ 31(10),752—7,1978. 3.实验室中的毫米波集成电路     

低损耗宽频带的铁氧体微带移相器

一、引言随着微波集成电路技术的迅速发展,固体化相控阵天线的设想,引起了人们的兴趣。为了适应这种需要,60年代初,人们开始探索小型化快速扫描元件,从而推动了对半导体PIN二极管移相器和铁氧体微带移相器的研制。至今,已经有许多作者报道了     

有耗宽带匹配网络的实频直接优化方法

提高微波集成电路的设计精度是一重要课题.本文基于以散射参数表示的多级级联网络传输增益表达式,提出微波多级 FET 宽带放大器的实频直接优化方法.其匹配网络可以计及元件的损耗,且元件的损耗可以是任意非均匀的和频率依变的.设计结果能够更加接近于实际性能,有利于微波集成电路投片合格率的提高.     

五公分铁氧体开关组件

一种用于DiCKe型无源微波辐射计的KCD型五公分微波双通道铁氧体开关组件,由一个高性能同辐带线锁式开关和一个完整的电子驱动电路所组成。通过非临界逻辑线路或触发脉冲启动使其快速工作,开关周期性性转换于微波接受机的天线和参考噪声源之间,以实现对被测目标的遥感测量。微波辐射计要求铁氧体开关组件能完成全自动双线包交替工作,输入辐度对称,开关速度快、能量低、重量轻、性能稳定、值量可靠,能适应比较恶劣的工作环境。     

关于“磁性基片上的微带传输”计算中的D''''计算的一些问题

一、引言 Robert A.Pucel等人利用Wheeler等人的介电基片上微带的设计公式和由他们自己推导出来的磁性与介电基片间的对偶关系,得到了设计磁性基片上微带的全部必要公式。但是,这些公式中,有一个计算μ_(eff)时用到的D′计算公式发生了一个重要的遗漏之误。本文对上述漏误进行更正,以利微波铁氧体工程的研究和设计者们的使用。     

《磁性材料及器件》一九七四年(总目录)

1 13 49 79 43 53 3151“肠1 22 1 55 91 83 54742236655895306768199四五 二‘ 尹、七八九十十一十二十三十四十五十六十七十八十九二十二十一二+二二十三二十四‘二十五二十六二十七二十八二+九01 1 150’叭,上OJI上OU心1,备中国古代磁学上的成就3微波集成电路用铁氧体器件1最近的微波铁氧体技术22一4GHZYIG粼淤振摄器(摘裸)「2利用Y Jq制作的带换滤波器和环行器的嘿确非互易电路特性.1在YIG基片上介寮咸生的表面波1日本旋磁材料应用的最近进展3磁稠微带碰懂振摄器3具有窄技克的幼暇饰热压叼盯Y二丑巧榴石龟由高温溶液在籽晶上生长…     

微波铁氧体元件市场预测

微波铁氧体元件市场发展一直比较快,如美国的微波铁氧体元件从1982年的1亿3千3百万美元将增加到1987年的2亿5千1百万美元。产品以21～26％的发展速度增长。环行器和隔离器在1982年占整个铁氧体元件产品的45％,约6千2百万美元。今后以11％年增长率发展,到1987年达1亿1千4百万美元,占40％。由于     

集成电路行业供电可靠性技术探讨

正针对半导体制造企业现状,为保护敏感负荷的运行正常,应当采用分级治理的设计理念。0引言集成电路是一种微型的电子器件,采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件集成在一起,制作在半导体晶片或介质基片上,使电子元件向着微型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。由于集成电路的生产工艺复杂度高,一旦供电系统出     

集成化环流器促进微波集成电路技术发展

微波集成电路不同于其它集成电路,因为微波频率所需某些功能器件简直无法用扩散工艺制成,其中之一便是铁氧体环流器,因此微波集成电路通常很象小型低频混合接头。通用的环流器有某些因素限制着微波集成电路尺寸和性能,通常带状传输线器件限制频率至超高频波段,与电路其余部分比较,其体积也比较大,通常还必须将它外接。当前贝尔电话试騐室研究人员R.H.Knerr研制了一种集成化集中参数环流器,它     

YIG调谐集成器件

把标准的微波元件如振荡器、滤波器、混频器或放大器用集成工艺做成如变频器或接收机前端之类紧凑的组件可以称之为“超元件”。对于整机制造者来说,使用这种超元件代替单个器件有着许多潜在的优点。首先,它可以省去整机设计者为了确保整机在所有的元件同时都处在最坏性能的情况下工作仍然能达到设计指标而对元件提出的过分的性能要求的通常的习惯做法。超元件制造者可以对其中的各种元件的性能进行折衷但仍然满足整个组件的性能要求。其次,由于所有器件共享同一环境,所以全面的性能可以得以改善。第三,这个优点是自然而然的,因为RF组件的大部分体积是由构成这个组件的接头,电缆和机罩占据,而超元件省去了这些不必要的硬件,因此增加了电气性能     

磁性材料和器件新应用的探讨：微波铁氧体组件

叙述了几种新型的微波铁氧体组件,介绍了它们在雷达和通信设备中的应用及其发展前景。