直热式钡钨阴极

本文介绍一种可用于Ar~+、Kr~+激光管、工艺比间热式浸渍钡钨阴极简单的直热式螺旋型钡钨阴极。它是在含Re3％的铼钨丝上,涂敷低逸出功电子发射材料铝酸盐和钨粉的混合物,并通过高温烧结而制成的。这种阴极的特点是:预热时间短、激活快、析出的气体少、寿命长。     

交流型等离子体显示器

PDP是利用气体辉光放电而发光的平板显示器件的总称。它属于冷阴极辉光放电器件，利用加在阴极和阳极间一定的交流电压，使气体产生辉光放电。ACPDP的特点是电极表面覆盖有介质层，使其与气体相隔离，这是与采用电极与气体直接接触的DCPDP的主要区别。     

微波炉磁控管故障检测

磁控管是微波炉的重要电子器件, 管内有一个圆筒形阴极,在阴极外面包有一个阳极,在阴极与阳极之间有一个轴向磁场,磁场由外置的永久磁铁提供。磁控管的内电路由灯丝、阴极(直热式、旁热式)、阳极组成。磁控管在工作时,高压电源变压器经倍压整流后,加至磁控管阴极上的直流(峰值) 电压高达-3600V左右,所以发生的故障也较多,常见故障如下:     

20 nm金属氧化物半导体场效应晶体管的噪声特性分析北大核心CSCD

传统短沟道的纳米MOSFET噪声主要为受抑制的散粒噪声,其次为热噪声;在建立器件的噪声模型时,并没有考虑栅极噪声源与源极噪声源二者之间的电荷耦合,其耦合效应会形成互相关噪声。实验测试了20 nm MOSFET的噪声,结果分析得到短沟道MOSFET的噪声主要为散粒噪声、热噪声和互相关噪声。其次,根据MOSFET的器件物理结构及特性推导了纳米MOSFET的互相关噪声公式。在此基础上,比较受抑制的散粒噪声、热噪声和互相关噪声随沟道长度、温度、源漏电压和栅极电压的变化关系,所得结论有助于提高MOSFET器件的工作效率、可靠性及寿命。     

氧化物阴极改型的准确处理方法

本文基于对氧化物阴极热平衡关系的分析，提出了实现氧化物阴极迅捷准确改型的方法。文中以热子改型一次成功的实例，说明改型时的计算设计和相应的工艺处理所必须遵循的原则，该原则对间热式氧化物阴极和直热式氧化物阴极的改型乃至重新设计都同样适用。     

第六章 电子束显示器件的寿命因素

严格地说,器件的寿命应分为阴极寿命和整管寿命两种。它们是两个既密切相联,又互不相同的两个概念。阴极寿命只是阴极本身所能正常工作的期限,而整管寿命是指整个管子本身能完成规定使命的期限。因为即使阴极发射良好,由于极间的跳火,电极的落脱以及玻壳的漏气、荧光粉衰老等原因,均可引起管子的寿命终了。 当然,在各种寿命因素中,必然存在着主次或因果关系。生产和使用告诉我们,如果管子处于良好的真空条件,整管寿     

束导偏转系统阴极荧光扁平显示器

介绍一种单线阴极以平行网状束导电极来发射、获取、偏转电子束的ＶＦＤ显示器的特性，制成的３０×６０ｍｍ２的显示器件，研究了用于大平面扁平显示的间热式氧化物涂层阴极的电子发射源。     

智能离子源弧流稳定系统

在离子源使用中都有弧流稳定问题。一般的离子源有直热式和间热式两种,两种状态的弧流稳定所控制对象是不同的,而且弧流是在高电压状态下的参量,这给控制回路的设计制造带来很多困难。为此,很多离子源没有弧流稳定装置。我们新近研制的使用单片微机的离子源稳流系统使用一套弧流控制电路,能同时适用于直热式和间热式两种离子源,它的控制器处在低压侧(即地电位),便     

氦氖激光器长寿命阴极的临界值

合理的结构设计是制造长寿命阴极的前提,而没有长寿命的阴极就没有长寿命的激光管。气体电子学文献早已给出许多种气体与平板形电极的正常辉光放电参数,但是没有氦氖混合气与圆筒形铝阴极的数据。不少气体激光器文献论述了阴极结构设计的重要性,有人给出了一定气压和电流适用的长寿命阴极的尺寸。氦氖激光器研制工作需要为     

一种直热式氧化物阴极的基金属镍钴钨合金

正 一、引言 长期以来,氧化物阴极基金属一般都采用镍镁、镍硅等镍合金。但用它们作直热式阴极时,在强度和热变形等方面都不能很好满足要求,如用在直热式发射管FD-422中,就常出现阴极断裂、高压跳火,掉粉等问题。为了解决这一问题,我们研制出一种Ni-Co-W合金。用杯卣热式发射管FD-422中,得到较好效果     

锆铝吸气剂在内腔式He-Ne激光器中的应用

吸气剂在真空技术中是相当重要的。它可以吸收电真空器件在封离后内部构件放出的残余气体以及微小漏孔渗进的外部杂气,维持器件的真空度,提高器件的寿命。 吸气剂有蒸散型(如钡类吸气剂)和非蒸散型两种。武汉地震大队等单位曾在He-Ne管中使用过蒸散型的钡类吸气剂。钡类吸气剂的缺点是钡膜常在激光管内升华和爬迁,容易引起极间漏电、污染阴极和膜片,对外观也有影响。     

低功率高可靠热子

前言在电真空器件中,热子是一个发热元件,通过辐射或传导,使阴极达到额定工作温度。在间热式阴极中,长期采用辐射传热的方式,从而阴极和热丝之间的温度差很大。在高温下工作的热丝由于绝缘层遭到破坏,导致寿命很快终结。尤其在钡钨阴极中,热丝工作温度更高,(1800K～1900K),寿命更短,只有200小时左右。为了延长热丝寿命,必须大幅度地降低热丝的工作温度。达到这个目的的方法很多,其中最有效的措施是改变传热方式,利用热传导来加热阴极,也就是本文所介绍的阴极—热子组合件。     

气体激光器中放电净化气体的实验研究

高频气体放电、冷阴极或热阴极气体放电均产生气体的电吸收。文中在分析杂质气体对激光增益、功率稳定性以及对器件储存寿命影响的基础上,提出了放电“净化”激光管中工作气体的新工艺。 作者收集了使用愈期,激光输出甚微,以及存放二年以上而无激光输出的11支国产He-Ne管,做了光谱分析、大电流放电净化处理和解吸气体实验,证实了这一工艺的可行性。其中有8支样管的激光功率恢复到或接近于原先的水平,二支因腔镜污染无激光输出,但光谱分析     

四机部电子管长寿命技术攻关经验交流会专集目录预告

{改进EY一501行波管寿命的初步工作提高CKM一99磁控管寿命及可靠性的几点体会宽频带连续波速调管KF一115试制情况BB一1110型返波管的研制关于FU一1 042寿命终了电子管的解剖和提高寿命的一些措施长寿命、高可靠的可控高压整流管—ZGI一35/20型汞气闸流管利用充汞提高平面型辉光放电多位数码管的寿命等离子体显示器件关于延长彩色显象管寿命的情况汇报9”黑白显象管寿命试验的分析与研究电子束管加速寿命试验小结寿命试验的数据处理问题{巫三亚{长寿命阴极与长寿命电子管粉敷镍阴极在显象管中的应用影响阴极寿命的因素及长寿命阴极的测…     

热阴极的加速寿命试验

电真空器件的长寿命要求愈来愈迫切,尤其是随着空间技术的发展,对器件的高可靠、长寿命尤为重视。器件的寿命很大程度上决定于阴极,目前制造工艺技术与真空技术的进展,是如此。据统计,电子管的损坏,有百分之五十以上是由于阴极衰老(发射低落)引起的。日本电气通信研究所通过衬人行波管寿命因素的调查之后,发现阴极损坏而寿命终了的情况占总失效的70～90％。卫星通讯行波管的寿命更取决于阴极。所以制造长寿命阴极是获得长寿命电真空器件的先决条件。     

低功耗烧结型半导体气敏器件的研制

以化合物半导体SnO_2为基体的烧结型气敏器件,是较早实现商品化的一种器件.这类器件通常需要加热到一定的温度才能正常工作,才具有较好的气敏特性.一般采用电加热方式,根据加热器是否直接与敏感材料接触而分为直热式和旁热式两种.这类型器件具有灵敏度高,输出信号大等优点;但也具有体积较     

微空心阴极放电试验用软开关电源的研究

微空心阴极放电（MHCD）是在普通空心阴极放电的基础上提出的一种高气压下亚毫米级微放电技术.将MHCD作为大体积辉光放电的外部电离源（即等离子体源）,可以解决高气压下大体积辉光放电不稳定的问题.在MHCD实验的基础上,研制出可对MHCD气体放电模式（连续/脉冲）和输出功率进行调控的开关电源.这种开关电源可以与单片机、微机等其他外部控制设备相连.该电源采用全桥软开关技术,串联谐振并联输出,4个MOSFET管为主控制元件,实现了高频工作,响应快速.脉冲模式工作时避免了开关管的硬开关,减小了高次谐波对电网干扰;无需镇流电阻也可实现气体稳定放电.     

等离子体阴极电子枪的实验研究

填充等离子体高功率微波器件具有独特的性能.然而等离子体正离子对电子枪的轰击通常会破坏材料阴极表面并降低其电子发射能力.解决此问题的一种新方案是采用等离子体阴极电子枪.本文设计制作了等离子体阴极电子枪,采用氦气馈气系统和脉冲调制器进行实验研究,得到电子枪放电电流与气体压强、调制器电压等的关系.实验表明,等离子体阴极可取代材料阴极作为大电流、长脉冲电子注源.     

利用充汞提高平面型辉光放电多位数码管的寿命

Ⅰ.前言导致平面型辉光放电多位数码管寿命终了的一个很基本的因素是阴极溅散。在正离子轰击下,阴极表面物质会溅散到其他地方,导致绝缘破坏,这个问题在辉光放电多位数码管中尤为严重,是影响寿命的最重要的因素。     

电子管管内真空度的测量

前言电子管必须在一定的真空环境和适宜的气体成分中工作。这是因为由电子管阴极发射出的电子必须在电极间无碰撞地运动才能使电子管正常工作。管内真空度不高,电子在运动过程中将与管内残余气体分子碰撞,这样会出现离子噪声增加、极间耐压降低等问题。对于大多数采用氧化物阴极和原子膜阴极的电子管,真空度不高会使阴极寿命缩短,甚至中毒失去发射能力。