大功率“达林顿”晶体管

一、前言 为了克服单个晶体管在大电流时α和β的下降现象,采用两个或更多个晶体管串接的所谓“达林顿”(Darlington)晶体管,可达到很高的电流增益。与普通晶体管比较,它的输入阻抗高,电流放大系数大,并具有低的基极驱动和相当高的温度稳定性,可以说是互变逻辑和电机控制系统的理想器件。其应用相当广泛,愈来愈受人们的重视。特别是功率达林顿管显示出了新的方向,它揭开了功率器件向功率集成和组件化发展的序幕。1975年就已研制     

延时回路

本发明是晶体管延时回路的改进。如图1,当信号输入端(3)为“0”时,电容(9)通过电阻(4)、二极管(7)充电到电压V_C(V_C为直流电源电压V_B与二极管(7)正向压降V_d之差)。此时,晶体管(11)、(7)中无基极电流通过,晶体管(20)则通过电流i_(ce),输出信号端为“0"。在时间t_1,如果信号输入端(3)为“1”,如图2所示;从时间t_1起电容     

一种低噪声、高增益、宽频带放大器

图示电路由电流增益大约为4、具有很低的上升时间(1.25ns)和低噪声值的晶体管输入级组成。因为晶体管本已作电流放大器使用,而在主通道中几乎没有电压信号出现,所以可能得到宽频带。在反馈通道中出现电压信     

利用GCF-2高频磁放大器作调节器的试验小结

通常,在可控硅控制的传动装置中,为实现电压、电流、速度等控制,广泛采用了晶体管调节器。由于晶体管调节器是低压弱电元件,它不能直接与50伏以上的强电回路联接,需要隔离。为此设计了直流电压检测、电流检测、高频磁放大器等检测单元,输出与主回路隔离的电压、电流、速度等信号,供晶体管调节器使用。图1示出了我所设计的GCF—2高频磁放大器原理图(图号0L97—01、02、03YT)。     

HC霍尔电流检出器说明书

HC 霍尔电流检出器是一种能够绝缘主电流回路和电子控制回路的界面器件。输出电压忠实地反映了被测电流,可用于检测直流、交流和脉冲电流(OHF—10KHF)。具有测量精度高,温漂小、反应快、线性范围宽、体积小、成本低等优点。可方便地用于电流检测和功率器件(包括巨功率晶体管、可控硅等)的快速保护,广泛用于电力输变电、冶金、电     

用频谱分析仪测量噪声参数

设计低噪声放大器(LNAs)时,需要熟悉晶体管噪声参数。而用于高频洲量的主要工具——频谱分析仪——与Focus Microwaves公司生产的可编程阻抗调谐器结合使用,即可有效、精确地测量微波与射频(RF)晶体管的四个噪声参数。     

应用场效应晶体管作模拟开关

在各种工业监视和控制系统中,晶体管被用作固体数字控制开关。不同类型的这种开关都可使用。对于一些特殊应用,提供若干特性数值和综合方法供考虑。场效应晶体管(FET)是最普通的固体开关。这种器件的电阻在加以适当的控制电压时能在很宽范围内变化。低阻相应于导通或闭合状态,高阻为断开或打开状态。当开关为导通和断开时,分别存在有小的电压降和漏泄电流,这是由于开关具有有限电阻。但是,在多     

直流电动机的脉宽调制功放电路

由晶体管组成的线性功率放大器有很多优点,但它有一个最大的缺点就是效率底,特别是在电动机低转速、大转矩运行时,需要的是低电压,大电流,效率低这个缺点表现得更为明显。而采用分立元件组成的脉宽调制型(PWM)功率放大器使用的元件较多,调试比较麻烦。笔者采用集成电路组成PWM功率放大器,加40V电压可长期输出3A电流。该电路的特点是结构简单、调试方便、具有电流负反馈线路和可靠的限流保护措施。该电路     

浅谈大功率晶体管的损坏、保护及正确使用方法

在电子设备中,最常见、最易损坏的是功率放大电路、开关电路、行输出电路部分的晶体管,这是由于晶体管工作时要承受的电压较高,通过的电流也较大、损坏的次数也较多。本文就大功率晶体管的损坏、保护及正确使用方法谈点体会。     

大功率晶体管(GTR)的并联技术

本文在分析大功率晶体管(GTR)并联运行时产生电流不均衡原因的基础上,提出了消除电流不均衡的各种措施,经试验验证,取得了良好的效果。     

一种新型IGBT多阶段驱动电路

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在各种中大功率电力电子装置中得到广泛应用,但IGBT在开关瞬态产生的电压电流过冲,不但会增加电路电磁干扰(EMI),甚至会损坏器件。所以在设计IGBT驱动电路时就需要考虑减小IGBT在开关瞬态中的电压电流过冲。提出了一种新型的IGBT驱动电路,可减小IGBT的电压电流过冲,相比于传统的方法,可缩短开关时间,降低开关损耗。     

高频开关型电源

金属氧化物半导体场效应晶体管在功率损耗中,较那些等效二极晶体管在频率20至60千赫时损耗小,并在低电压的阻力上场效应晶体管对反向的情况大致相等,此外,*参阅理查德·布莱拜奇(Ruchard Blanchard)和彼得·伯杰(Petor Berger)资料,场效应晶体管在开关式电源状态中,显示更容易经得起高电压尖脉冲(峰值电压普遍地超过最大调整输入电压1(1/2)到3倍)。结果在低电压中功率场效应晶体管能够使用于如开关元件,在通常较高频率时,开关型功率场效应晶体管较那些二极管的经济,如果频率增加,电容器和变压器尺     

电流驱动电流检测电路

正在此介绍的基于运放的电流检测电路并不新鲜,它的应用已有些时日,但很少有关于电路本身的讨论。在相关应用中它被非正式地命名为"电流驱动"电路,所以我们现在也这样说。让我们首先探究其基本概念,它是一个运算放大器和MOSFET电流源(注意,如果您不介意基极电流会导致1%左右的误差,也可以使用双极晶体管)。图1A显示     

IGBT产生过电流的原因及各保护方法

绝缘栅双极晶体管IGBT兼有功率三极管和场效应管的优点，在电子技术、电气传动、开关电源等场合有着广泛的应用。IGBT模块内部没有过电流限制电路，实际使用时，由于装置的设计和应用时的意外原因，可能发生短路，急剧增大的集电极电流将造成器件永久性破坏，所以使用IGBT时必须设过电流保护。     

简单的电子万用表

利用高增益的硅平面晶体管能构成稳定的电流倍增电路,这种电路的工作电源电压和电流很低,而且又可以显著地改善普通的动圈式“万用表”的灵敏度,特别是在交流各档上。使用在这种仪表中的直流和交流方式的基本线路如图1(a)和(b)所示。其中,直流系统是一个普通的运算放大器式电压比较器用作电流倍增器,在从放大器输出到反馈电阻R_(fb)的电路中,有一动圈式微安表。在交流系统中,使用由Waddington改进的极好的交流毫伏表线路。乘积I_(输出)·R_(fb)再一次和E_(输入)     

采用Saber模型研究IGBT工作极限特性

研究了绝缘门双极晶体管 (IGBT)的结温及工作电流对其开关波形的影响 ,并应用IGBT关断时集电极电流、集电极与源极电压变化对应于结温和工作电流变化的关系 ,与实验结果进行了比较 ,提出了一种验证通用仿真软件中所给专用模型有效性的途径。以功能强大的Saber软件为例 ,应用Saber模型 ,讨论了IGBT的工作极限特性 ,并且探讨了Saber中IGBT专用模型可改进的方面。     

电力晶体管的一种驱动和保护电路

电力晶体管(GTR)直流PWM调速装置在中、小功率直流调速系统中,应用日益广泛。基极驱动电路性能的优劣和功能完善的程度不仅对电力晶体管本身的工作性能和可靠性有直接关系,而且对整个系统的性能和安全可靠也有很大的影响。晶体管是具有自关断能力的半导体器件,可以很容易地随的时关断。但它与晶闸管相比,过载能力低,短路保护困难。当大功率电力变换装置的开关晶体管发生短路故障时,在几百微秒的极短时间内就将被烧毁。由于时间极短,不能采用快速熔断器保护。因此,线路设计者必须熟悉晶体管的过载特性,采取相应措施,确保将故障电流限制在晶体管的安全工作区以内外,研制出性能优良的特别是具有过载和短路保护功能的驱动电路便成为亟待解决和普遍关心的问题。     

晶体管测功器(乘法器)

直流发电机的功率P等于其电压U_f与电枢电流I_f的乘积,因此功率的測量可用乘法器实現。当要求不十分精确时,可采用下述晶体管乘法器。晶体管乘法器的原理图如图1所示。     

几种类型变频器在同一电机负载下输出电流相对于频率的特性差异分析报告

本文对目前使用的晶闸管变频器，大功率晶体管变频器及新近的绝缘栅双极型晶体管变频器在同一电动机负载下所测得的输出电流相对于频率的特性差异作了分析比较。并提出了可供选购，使用变频器时参考的有效结论。     

新型碳化硅双极结型晶体管自适应驱动电路

将几种典型的传统双极结型晶体管(BJT)驱动应用于碳化硅(SiC)BJT,并对其功耗、开关速度进行比较,在此基础上对其参数进行优化,最后提出了一种SiC BJT的新型自适应驱动,通过建立从集电极电流到基极电流的正反馈,基极电流能等比例地跟随集电极电流,使得电流增益系数保持稳定,简化了驱动电路并提高了电路的响应速度,同时大大降低了轻载时基极稳态驱动功耗。通过斩波电路的实验结果表明,自适应驱动方式稳态功耗仅为恒定基极电流驱动方式稳态功耗的30%左右。