ZnO—B2O3—SiO2系统的介电性能研究

对ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２三元系统进行了ＸＲＤ和介电性能研究，提出系统的主晶相为方石英，另外还存在Ｚｎ２ＳｉＯ４相。Ｚｎ２ＳｉＯ４的ε为７．７，ｔｇδ≤５×１０＾－４，αｃ（介电常数温度变化率）为＋９０×１０＾－５／℃。调整各组分，获得一系列αｃ〉０的超低介电常数的介质陶瓷，其中介电性能为：ε≤５，Ｒｉ≥１０＾１３Ω，αｃ＝０±３０×１０＾－５／℃的组分，其烧结温度为１１４０℃，可用来制造高频低     

中温烧结BaO－PbO－Bi_2O_3－Nd_2O_3－TiO_2系统陶瓷的组

研究了ＢａＯ－ＰｂＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－Ｎｄ＿２Ｏ＿３－ＴｉＯ＿２五元系统各成分对系统介电性能的影响。调整各组分及玻璃的含量，获得中温（１１４０℃）烧结的热稳定独石电容器瓷料（ＮＰＯＭＬＣ），其介电系数ε＝９０±５，损耗ｔｇδ≤３×１０￣（－４），绝缘电阻率ρ＿ｖ≥１０￣（１２）Ω·ｃｍ，介电系数的温度系数α＿ε＝０±１５×１０￣（－６）／℃。     

一次低烧SrTiO3基晶界层电容器的研究

研究了以Ｌｉ２ＣＯ３为助烧结剂、Ｓｒ（Ｌｉ１／４Ｎｂ３／４）Ｏ３为施主掺杂剂、Ｂｉ２Ｏ３和ＳｉＯ２为晶界绝缘剂的ＳｒＴｉＯ３基晶界层电容器的一次低温烧成技术。初步探索了Ｔｉ／Ｓｒ比值、施主掺杂剂、绝缘剂对显微结构及介电性能的影响。在１１５０℃烧成温度下，获得了εａｐｐ〉３．５×１０＾４；ｐ〉１．０×１０＾１１Ω·ｃｍ；ｔｇδ〈１．０％；ΔＣ／Ｃ〈±５．０％（－２５￣＋８５℃）的ＳｒＴｉＯ３基晶界层     

四元系统PbO－BaO－SrO－Nb_2O_5介电性能研究

对四元系统ＰｂＯ－ＢａＯ－ＳｒＯ－Ｎｂ＿２Ｏ＿５的介电性能进行了研究。Ｘ射线粉末衍射图谱确证在ＰｂＯ，ＢａＯ，ＳｒＯ，Ｎｂ＿２Ｏ＿５一定配比下，该系统为四方钨青铜铁电陶瓷系统，其主晶相为Ｐｂ＿ｘＢａ＿ｙＳｒ＿ｚＮｂ＿（１０）Ｏ＿（３０）（１．７５≤ｘ≤２，１．２５≤ｙ≤２，１≤ｚ≤１．７５）。在此基础上，通过加入各种添加剂合理的掺杂改性，成功地研制出一种新型中温烧结高ε的Ｘ７Ｒ瓷料，此料适合作ＭＬＣ。这一研究在国内至今为止未见报道，在国外亦属少见。     

Fe_2O_3－SrO－TeO_2系半导体玻璃电导的研究

用准急压冷法制成Ｆｅ_２Ｏ_３－ＳｒＯ－ＴｅＯ_２系半导体玻璃并对其直流电导率进行了测定。玻璃形成范围为（以摩尔计）；０≤Ｆｅ_２Ｏ_３≤２３％；０≤ＳｒＯ≤１８％；７５％≤ＴｅＯ_２＜１００％。通过Ｓｅｅｂｅｃｋ系数的测定确认Ｆｅ_２Ｏ_３－ＳｒＯ－ＴｅＯ_２系玻璃为ｎ型半导体玻璃。２００℃的直流电导率为３．７２×１０￣（－５）～１．８２×１０￣（－６）Ｓ·ｃｍ￣（－１）。直流电导率随着Ｆｅ_２Ｏ_３含量的增加而增加，１６５℃时的载流子迁移率和浓度分别为１．１２×１０￣（－９）～３．６７×１０￣－７ｃｍ￣２·Ｖ￣（－１）·Ｓ￣（－１）和２．１７×１０￣（２１）～８．３３×１０￣１９ｃｍ￣（－３）．讨论的结果表明Ｆｅ_２Ｏ_３－ＳｒＯ－ＴｅＯ_２系玻璃的电导机理符合小极化子跳越理论。     

(Ba0.5Pb0.5)O.La2O3.4TiO2-(Zr0.8Sn0.2)TiO4复合系统的微波介电性能

研究了（Ｂａ０．５Ｐｂ０．５）Ｏ·Ｌａ２Ｏ３·４ＴｉＯ２－（Ｚｒ０．８Ｓｎ０．２）ＴｉＯ４复合系统的微波介电性能、烧结性能和微观结构,发现复合系统由（ＢａＰｂ）６－ｘＬａ８＋２ｘ／３Ｔｉ１８Ｏ５４,Ｌａ４Ｔｉ９Ｏ２４和（Ｚｒ０．８Ｓｎ０．２）ＴｉＯ４３相组成,而（Ｂａ０．５Ｐｂ０．５）Ｏ·Ｌａ２Ｏ３·４ＴｉＯ２除了（ＢａＰｂ）６－ｘＬａ８＋２ｘ／３Ｔｉ１８Ｏ５４和Ｌａ４Ｔｉ９Ｏ２４外还有一未知相,（Ｚｒ０．８Ｓｎ０．２）ＴｉＯ４是单一晶相．复合后,系统的烧结温度比原两系统降低了．复合系统的微波介电常数、频率温度系数、Ｑ因子主要与其中的相组成有关．结果表明未知相很可能具有高介电常数、低频率温度系数、高Ｑ因子．对微波介电性能的测量值和由复合关系导出的计算值进行了比较．     

BaTiO3系陶瓷电压非线性特性研究

对ＢａＴｉＯ３－ＢａＺｒＯ３,ＢａＴｉＯ３－ＢａＳｎＯ３,ＢａＴｉＯ３－ＳｒＴｉＯ３非线性陶瓷材料的介电性能（ε,ｔａｎδ）与外ＢａＺｒ０．１３Ｔｉ０．８７Ｏ３,ＢａＳｎ０．０６Ｔｉ０．９４Ｏ３在直流偏压下ε可变化１．５￣２．７倍;在交流电压下ε可变化２￣２．５倍,且具肮介电常数、较高抗电强度,可用作开关电源ＲＣＤ保护电路的非线性陶瓷电容器和荧光灯无触点起辉器材料,Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３在直流偏     

耐磨Ni－SiC复合电镀及其应用

含ＳｉＣ最高达１１％的Ｎｉ－ＳｉＣ复合镀层的镀液配方及操作条件为：Ｎｉ（ＳＯ_３．ＮＨ_２）_２·４Ｈ_２Ｏ４１０，ＮｉＣｌ_２·６Ｈ_２Ｏ１０，Ｈ_３ＢＯ_３５０，ＯＰ－１００．４及ＳｉＣ（３μｍ）２０－１２０ｇ／Ｌ，ｐＨ４，５５±２℃，５Ａ／ｄｍ￣２，需搅拌．     

CaO-SrO-TiO2-Bi2O3系统介电性能研究

对ＣａＯ－ＳｒＯ－ＴｉＯ２－Ｂｉ２Ｏ３四元系统的介电性能进行了研究。ＳｒＴｉＯ３和ＣａＴｉＯ３的不同配比可合成具有不同介电常数和温度系数的陶瓷材料。Ｂｉ２Ｏ３的添加可改善材料的介电常数和温度系数,添加ＭｎＯ２和ＣｅＯ２可进一步改善资料的性能。通过预先合在ＳｒＴｉＯ３加剂,获得了一系列性能优良的高频高介ＭＬＣ陶瓷材料,其ＭＬＣ适用性良好。     

La3+取代Bi3+的 Bi2O3-ZnO-Nb2O5基陶瓷的结构与介电性能

研究了Ｌａ２Ｏ３取代的Ｂｉ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５（ＢＺＮ）基陶瓷Ｂｉ１．５－ｘＬａｘＺｎ０．５（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７的结构和介电性能。采用固相反应法制备陶瓷样品,用Ｘ射线衍射技术分析样品的相结构,未用Ｌａ２Ｏ３取代的纯ＢＺＮ陶瓷的晶体结构为立方焦绿石单相;当Ｌａ２Ｏ３取代量较少时,样品的结构仍然保持立方焦绿石单相结构,但出现了超晶格衍射线（２１１）;当Ｌａ２Ｏ３取代量继续增加。样品的晶体     

SrTiO_3基高压陶瓷电容器材料的组成与性能

研究了 Ｂｉ２ Ｏ３ ·３ Ｔｉ Ｏ２ 和 Ｐｂ Ｔｉ Ｏ３ 的加入量对 Ｓｒ Ｔｉ Ｏ３ 基高压陶瓷电容器材料性能的影响。实验的结果表明：最佳加入量的摩尔分数分别是 Ｂｉ２ Ｏ３ ·３ Ｔｉ Ｏ２ 为 ９％ , Ｐｂ Ｔｉ Ｏ３ 为 １８％ 。在 １ ２５０ ℃的温度下烧结获得了性能为：εｒ ＝ ３ ２９５; Ｅｂ ＝ １０．２ ｋ Ｖ／ｍ ｍ ;ｔｇδ＝ ６×１０－ ４ ;Δ Ｃ／ Ｃ（－ ２５～＋ ８５ ℃）≤ ±１２％ ;绝缘电阻 Ｒ＝ ７．５×１０１ ２ Ω的高压陶瓷电容器材料。     

Li2O-ZnO-SiO2-PbO系高膨胀封接微晶玻璃的研究

以Ｌｉ２Ｏ－ＺｎＯ－ＳｉＯ２－ＰｂＯ系为基础成分，以Ｐ２Ｏ５为成核剂，制备了膨胀系数在１２７．５＊１０＾－７－１９６．７＾－７℃＾－范围内的高膨胀微晶玻璃。对影响膨胀系数的因素进行了分析。     

K+,La3+联合取代A位Zn2+的BZN基陶瓷的相结构与介电性能研究

在具有立方焦绿石结构的Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７陶瓷的基础上,引入Ｋ＾＋,Ｌａ＾３＋离子联合取代Ａ位Ｚｎ＾２＋,对其结构与介电性能进行了研究。     

Fe2O3—SrO—TeO2系半导体玻璃电导的研究

有准急压冷法制成Ｆｅ２ｏ３－ＳｒＯ－ＴｅＯ２系半导体玻璃并对其直流电导率进行了测定。玻璃形成范围为（以摩尔计）０≤ｆｅ２Ｏ３≤２３％；０≤ＳｒＯ≤１８％；７５％≤ＴｅＯ２〈１００％。通过Ｓｅｅｂｅｃｋ系数的测定确认Ｆｅ２ｏ３－ＳｒＯ－ＴｅＯ２系玻璃为ｎ型半导体玻璃。２００℃的直流是导率为３．７２×１０＾－５－１．８２×１０＾－６Ｓ．ｃｍ＾－１。直流电导率随着Ｆｅ２Ｏ３含量的增加而增加。１６５℃时的     

磷锑钼三元杂多酸光度法测定药品中的抗坏血酸

研究了少量抗坏血酸与磷锑钼三元杂多酸体系的显色特性，建立了借磷锑钼三元杂多蓝测定抗坏血酸的分光光度法。最佳显色条件为［ＰＯ３－４］＝３０×１０－４ｍｏｌ·Ｌ－１，［ＳｂⅢ］＝４５×１０－５ｍｏｌ·Ｌ－１，［ＭｏＯ２－４］＝７５×１０－３ｍｏｌ·Ｌ－１，Ｐ∶Ｓｂ∶Ｍｏ＝１∶０１５∶２５，［Ｈ加入］／［Ｍｏ］＝５７。测定波长为λｍａｘ＝７１０ｎｍ，线性范围为１～５０μｇ·ｍＬ－１，回归方程为Ａ＝３６８０Ｃ－００１４，线性相关系数ｒ＝０９９９８，表现摩尔吸光系数ε７１０＝３６８×１０３Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１，检出限为０２μｇ·ｍＬ－１，标准回收率为９５％～１００％，变异系数ｃｖ≤０３４％（ｎ＝６）。与二元磷钼杂多酸方法相比，省去了水浴加热的繁琐操作，而且由于锑（Ⅲ）的引入，显色在室温下３５ｍｉｎ便可完成，并可稳定５ｈ。     

新荧光试剂5－（4＇－硝基－2＇－羧基苯基偶氮）－2－硫代－4－噻唑啉酮的合成及其应用研究

报道了５－（４＇－硝基－２＇－羧基苯基偶氮）－２－硫代－４－噻唑啉酮（４ＮＲＡＣＰ）的合成。经柱层析提纯，用元素分析、ＩＲ、１ＨＮＭＲ和ＭＳ确证了其结构，研究了荧光性质，发现该试剂在溴代十六烷吡啶存在下，在无水乙醇溶液中与Ｅｕ（Ⅲ）形成稳定的荧光螯合物，λｅｘ／λｅｍ＝２９０ｎｍ／３４０ｎｍ，其线性范围为１．０×１０－８～１．０×１０－６ｍｏｌ·Ｌ－１，检测限为１．５×１０－１０ｍｏｌ·Ｌ－１。测定了人工合成样品中的铕，结果满意。     

（Ba0.5Pb0.5）O.La2O3.4TiO2—（Zr0.8Sn0.2）TiO4复合系统的微波介 …

研究了（Ｂａ０．５Ｐｂ０．５）Ｏ．Ｌａ２Ｏ３．４ＴｉＯ２－（Ｚｒ０．８Ｓｎ０．２）ＴｉＯ４复合系统的微波介电性能,烧结性能和微观结构,发现复合系统由（ＢａＰｂ）６－ｘＬａ８＋２ｘＴｉ１８Ｏ４．Ｌａ４Ｔｉ９Ｏ２４和（Ｚｒ０．８Ｓｎ０．２）ＴｉＯ４３相组成,而（Ｂａ０．５Ｐｂ０．５）Ｏ．Ｌａ２Ｏ３．４ＴｉＯ２除了（ＢａＰｂ）６－ｘＬａ８＋２ｘ３Ｔｉ１８Ｏ５４和常数,频率温度系数,Ｑ因子主要与其中的相组     

稀土—偶氮胂Ⅲ配合吸附波法测定稀土元素

在ｐＨ值为３的ＮＨ３．Ｈ２Ｏ－ＮＨ４Ｃｌ介质中,镧,铈,镨与偶氮胂Ⅲ（ＡＳＡⅢ）形成配合物,并于－０．７１Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）处产生灵敏的配合物吸附波峰电流与镧,铈,镨浓度分别为３．６×１０＾－８～１．４×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ,１．８×１０＾－８～８．６×１０＾－７ｍｏｌ／Ｌ,３．５×１０＾－８～７．０×１０＾－７ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系,测得镧与偶氮胂Ⅲ的配合比为１：１。稳定常数为４．５×１０＾     

四元系统PbO—BaO—SrO—Nb2O5介电性能研究

对四元系统ＰｂＯ－ＢａＯ－ＳｒＯ－Ｎｂ２Ｏ５的介电性能进行了研究。Ｘ射线粉末衍星图谱确证在ＰｂＯ，ＢａＯ，ＳｒＯ，Ｎｂ２Ｏ５一定配比下，该系统为四方钨青铜铁电陶瓷系统，其主晶相为ＰｂｘＢａｙＳｒｘＮｂ１０Ｏ３０．在此基础上，通过加入各种添加剂合理的掺杂改性，成功地研制出一种新型中温烧结高ε的Ｘ７Ｒ瓷料，此料适合作ＭＬＣ。这一研究在国内至今为止未见报道，在国外亦属少见。     

2.5次微分溶出伏安法同时测定水中痕量钴和镍

在０．０１ｍｏｌ／ＬＮＨａ·Ｈ２Ｏ＋ＮＨ４Ｃｌ（ｐＨ＝８．９）和２．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ酸性铬兰Ｋ（ＡＣＢＫ）溶液中，钴和镍均产生非常灵敏的还原波，峰电位分别是－０．５２Ｖ和－０．６４Ｖ（８８·ＳＣＥ），峰电流与钻和镍的浓度分别在３．０×１０－８～５．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ和２．０×１０－～４２×１０－７ｍｏｌ／Ｌ范围内成直线关系，该法用于测定水中痕量钴和镍，结果令人满意。