ZnO—B2O3—SiO2系统的介电性能研究

对ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２三元系统进行了ＸＲＤ和介电性能研究，提出系统的主晶相为方石英，另外还存在Ｚｎ２ＳｉＯ４相。Ｚｎ２ＳｉＯ４的ε为７．７，ｔｇδ≤５×１０＾－４，αｃ（介电常数温度变化率）为＋９０×１０＾－５／℃。调整各组分，获得一系列αｃ〉０的超低介电常数的介质陶瓷，其中介电性能为：ε≤５，Ｒｉ≥１０＾１３Ω，αｃ＝０±３０×１０＾－５／℃的组分，其烧结温度为１１４０℃，可用来制造高频低     

四元系统PbO－BaO－SrO－Nb_2O_5介电性能研究

对四元系统ＰｂＯ－ＢａＯ－ＳｒＯ－Ｎｂ＿２Ｏ＿５的介电性能进行了研究。Ｘ射线粉末衍射图谱确证在ＰｂＯ，ＢａＯ，ＳｒＯ，Ｎｂ＿２Ｏ＿５一定配比下，该系统为四方钨青铜铁电陶瓷系统，其主晶相为Ｐｂ＿ｘＢａ＿ｙＳｒ＿ｚＮｂ＿（１０）Ｏ＿（３０）（１．７５≤ｘ≤２，１．２５≤ｙ≤２，１≤ｚ≤１．７５）。在此基础上，通过加入各种添加剂合理的掺杂改性，成功地研制出一种新型中温烧结高ε的Ｘ７Ｒ瓷料，此料适合作ＭＬＣ。这一研究在国内至今为止未见报道，在国外亦属少见。     

MgO－B_2O_3－SiO_2三元系1100℃等温截面的应用

采用粉末烧结方法制备ＭｇＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２三元系中不同组成的样品。用Ｘ－射线衍射、岩相和化学分析方法相结合研究了１１００℃４０≤ＭｇＯ％＜６０组成范围内的相关系，结果表明可用３ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３－２ＭｇＯ·ＳｉＯ２－２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３，２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３－２ＭｇＯ·ＳｉＯ２－ＭｇＯ·ＳｉＯ２，２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３－ＭｇＯ·ＳｉＯ２－ＳｉＯ２三个三角形表示各平衡相的相关系。应用重心规则计算平衡相量与组成的关系，其结果可用回归方程表示，并可作为控制富硼渣的理想组成的根据。     

硼铅锌系玻璃对细晶BaTiO3基陶瓷系统介电性能影响的研究

研究了硼铅锌系玻璃对细晶BaTiO     

MgO－B_2O_3－SiO-2渣中含硼组分晶化动态研究

采用透射电子显微镜原位加热（ｉｎｓｉｔｕＴＥＭ）观察技术研究了非晶态ＭｇＯＢ２Ｏ３ＳｉＯ２渣中含硼组分动态晶化过程。实验结果表明，非晶态ＭｇＯＢ２Ｏ３ＳｉＯ２渣晶化时，首先发生分相，然后２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３晶体析出，继而３ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３晶体析出。同时也发现电子束辐射对晶化过程有很大影响     

中温烧结BaO－PbO－Bi_2O_3－Nd_2O_3－TiO_2系统陶瓷的组

研究了ＢａＯ－ＰｂＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－Ｎｄ＿２Ｏ＿３－ＴｉＯ＿２五元系统各成分对系统介电性能的影响。调整各组分及玻璃的含量，获得中温（１１４０℃）烧结的热稳定独石电容器瓷料（ＮＰＯＭＬＣ），其介电系数ε＝９０±５，损耗ｔｇδ≤３×１０￣（－４），绝缘电阻率ρ＿ｖ≥１０￣（１２）Ω·ｃｍ，介电系数的温度系数α＿ε＝０±１５×１０￣（－６）／℃。     

B_2O_3－Y_2O_3添加剂对AlN陶瓷显微结构及性能的影响

研究了以Ｂ_２Ｏ_３－Ｙ_２Ｏ_３作为助烧结剂的ＡｌＮ陶瓷的烧结特性及显微结构。结果表明，晶界处存在ＹＡｌＯ_３，Ｙ_４Ａｌ_２Ｏ_９及Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_（１２）等各种铝酸钇结晶物，Ｂ_２Ｏ_３可固溶到铝酸钇中形成固溶体。随烧结温度变化，第二相的种类、数量和分布不同，从而影响ＡｌＮ的热导率。在１８５０℃下，可获得热导率为１８９Ｗ／ｍ·Ｋ的ＡｌＮ陶瓷。     

ZnO包覆Al_2O_3填充环氧树脂的导热与介电性能

采用溶胶-凝胶法制备出ZnO包覆Al_2O_3的复合粉体,并将其添加入环氧树脂中,研究其热导率和介电常数。结果表明,发现经550℃煅烧2h后,产物的包覆层从水合草酸锌被煅烧成为ZnO;ZnO峰形尖锐,结晶良好,ZnO较好地包覆在Al_2O_3周围。ZnO包覆Al_2O_3的复合粉体添加到环氧树脂后,其热导率得到明显改善,且介电常数仍维持在较低水平(小于5)。     

C_(sf)/Al_2O_3复合材料的力学性能和介电性能

采用无压烧结的方法制备了短切碳纤维/氧化铝(Csf/Al2O3)复合材料,研究了短切碳纤维含量变化对复合材料洛氏硬度、抗弯强度及微波介电性能的影响。结果表明:短切碳纤维在氧化铝基体中分散均匀,呈明显的各向异性。随着短切碳纤维含量的增加,复合材料的致密度和洛氏硬度HRA都明显降低,而试样的抗弯强度则先升高后降低。当纤维含量为0.25%时,试样抗弯强度达到最大值285 MPa,相比纯氧化铝基体提高了43.2%。在8.2~12.4 GHz频率范围的复介电常数测试结果表明,复介电常数的实部和虚部随碳纤维含量的增加先逐渐上升,当碳纤维含量从0.5%增加到0.65%时,试样的介电常数实部和虚部都显著降低,这主要是由于试样的致密度急剧下降造成的。     

BaCu(B_2O_5)助烧剂对2.5ZnO-2.5Nb_2O_5-5TiO_2微波介质陶瓷介电性能的影响

研究了烧结助剂BaCu(B2O5)(BCB)对2.5ZnO-2.5Nb2O5-5TiO2(ZNT)陶瓷的微观结构、烧结特性及介电性能的影响。结果表明:当烧结温度高于900℃时,添加BCB的陶瓷片的致密度高于纯ZNT的致密度。介电常数(εr)随着BCB添加量的增加先增大后略有减小。由于液相的存在,品质因数和谐振频率的积(Qf)随着BCB添加量的增大而减小。谐振频率温度系数(τf)与纯ZNT陶瓷相比更接近零。添加质量分数为3%BCB的ZNT陶瓷在900℃烧结3h后得到良好的介电性能:εr=48,Qf=15258GHz,τf=41×10-6/℃(5GHz)。     

B_2O_3／Al_2O_3催化剂结构和性能的研究

采用溶胶凝胶法和浸渍法,在500℃下焙烧2 h,制备不同组成的B2O3／Al2O3催化剂。通过X射线衍射、热失重、傅立叶红外光谱等测试方法对所制备的催化剂的结构进行表征。通过催化剂与二苯甲酰基甲烷(DBM)配位情况对催化剂的性能表征。研究表明:焙烧获得的主催化剂晶型为γ-Al2O3,添加第二组分B2O3,可以提高与DBM的配位能力,以改善Al2O3的催化活性。     

Bi_2O_3–ZnO–B_2O_3三元系统玻璃结构与性能

采用X射线吸收精细结构和红外吸收光谱分别对铋锌硼玻璃中铋离子邻近结构和硼氧网络结构进行研究,分析其结构变化对玻璃转变温度Tg和热膨胀系数α的影响。结果表明:1)铋离子以三配位([BiO3])和六配位([BiO6])两种配位状态存在;随Bi2O3含量增加,三配位铋离子的配位数上升,六配位铋离子配位数下降,同时铋离子总配位数上升。2)随Bi2O3含量增加,硼氧网络中硼氧四面体含量下降,硼氧三角体含量上升,硼氧四面体网络解聚形成硼氧三角体网络。3)上述结构因素是造成玻璃转变温度Tg下降和热膨胀系数α上升的主要原因。     

中温BaO-TiO_2-Nd_2O_3系陶瓷的结构和介电性质研究

应用SEM,EDAX和XRD等技术,研究了中温烧结的BaO-TiO_2-Nd_2O_3系陶瓷的结构和介电性质。实验结果表明,该系统的主晶相是三元化合物BaNd_2Ti_5O_(14)。在这一系统中分别掺入适量的PbO和2Bi_2O_3·3TiO_2获得了优良的中温热稳定独石电容器瓷料;引入不同量的CaTiO_3可得到一系列不同α_3的热补偿独石电容器瓷料。     

CaO-SrO-TiO2-Bi2O3系统介电性能研究

对ＣａＯ－ＳｒＯ－ＴｉＯ２－Ｂｉ２Ｏ３四元系统的介电性能进行了研究。ＳｒＴｉＯ３和ＣａＴｉＯ３的不同配比可合成具有不同介电常数和温度系数的陶瓷材料。Ｂｉ２Ｏ３的添加可改善材料的介电常数和温度系数,添加ＭｎＯ２和ＣｅＯ２可进一步改善资料的性能。通过预先合在ＳｒＴｉＯ３加剂,获得了一系列性能优良的高频高介ＭＬＣ陶瓷材料,其ＭＬＣ适用性良好。     

晶核剂对MgO－B_2O_3－SiO_2渣系析晶行为的影响

本文运用偏光显微镜、Ｘ射线衍射分析、差热分析和化学分析等手段，研究了用ＴｉＯ＿２和复合氧化物作晶核剂对ＭｇＯ－Ｂ＿２Ｏ＿３－ＳｉＯ＿２渣系析晶行为和硼提取率的影响。结果表明：硼提取率随硼渣结晶程度的提高而增大；ＴｉＯ＿２的加入降低了硼渣粘度，因此提高了总成核速率和晶体生长速率，加快析晶速度，使渣中含硼组分容易以结晶相析出，从而改善了硼提取率。复合氧化物改善硼提取率和提高硼渣结晶程度比ＴｉＯ＿２显著。     

TiO_2对PbO－ZnO－B_2O_3－SiO_2系统玻璃析晶性能的影响

ＴｉＯ_２对ＰｂＯ－ＺｎＯ－Ｂ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２系统玻璃析晶性能的影响王志强，陈一鹏（大连轻工业学院１１６０３４）（齐齐哈尔轻工业学院）ＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆＴｉＯ_２ｏｎｔｈｅＣｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎｏｆＰｂＯ－ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２Ｓｙ...     

BaO－Gd2O_3－TiO_2体系相关系、相结构与电性质的研究

借助于固相合成、Ｘ射线衍射分析和交流阻抗法测定了ＢａＯ－Ｇｄ＿２Ｏ＿３－ＴｉＯ＿２体系的相关系、相结构与电性质。发现在研究的部分体系内有两个三元化合物新相：ＢａＧｄ２Ｔｉ＿４Ｏ＿（１２）属正交晶系，其晶胞参数为：ａ＝１．２１３７２ｎｍ，ｂ＝２．２３２６５ｎｍ，ｃ＝０．３８１９５ｎｍ，Ｖ＝１．０３４９７０ｎｍ￣３，Ｚ＝４；Ｂａ＿（１１）Ｇｄ＿４Ｔｉ＿７Ｏ＿（３１）属六方晶系，其晶胞参数为：ａ＝０．５９５４７ｎｍ，ｃ＝２．９７１９７ｎｍ，Ｖ＝０．９１２６３ｎｍ￣３，Ｚ＝１。在研究的部分体系内含有１３个单相区，２５个二相区，１３个三相区。测定了相关物相的电导和介电常数，发现ＢａＧｄ＿２Ｏ＿４与Ｇｄ＿２Ｔｉ＿２Ｏ＿７有很高的介电常数（ε’＞２００），是很有希望的功能材料。     

(Ba0.5Pb0.5)O.La2O3.4TiO2-(Zr0.8Sn0.2)TiO4复合系统的微波介电性能

研究了（Ｂａ０．５Ｐｂ０．５）Ｏ·Ｌａ２Ｏ３·４ＴｉＯ２－（Ｚｒ０．８Ｓｎ０．２）ＴｉＯ４复合系统的微波介电性能、烧结性能和微观结构,发现复合系统由（ＢａＰｂ）６－ｘＬａ８＋２ｘ／３Ｔｉ１８Ｏ５４,Ｌａ４Ｔｉ９Ｏ２４和（Ｚｒ０．８Ｓｎ０．２）ＴｉＯ４３相组成,而（Ｂａ０．５Ｐｂ０．５）Ｏ·Ｌａ２Ｏ３·４ＴｉＯ２除了（ＢａＰｂ）６－ｘＬａ８＋２ｘ／３Ｔｉ１８Ｏ５４和Ｌａ４Ｔｉ９Ｏ２４外还有一未知相,（Ｚｒ０．８Ｓｎ０．２）ＴｉＯ４是单一晶相．复合后,系统的烧结温度比原两系统降低了．复合系统的微波介电常数、频率温度系数、Ｑ因子主要与其中的相组成有关．结果表明未知相很可能具有高介电常数、低频率温度系数、高Ｑ因子．对微波介电性能的测量值和由复合关系导出的计算值进行了比较．