两种具有电双稳态的全有机络合物

首次发现两种在室温下即具有电双稳态的全有机络合物，分别称为ＭＣＡ＋ＴＣＮＱ放ＢＢＤＣ＋ＴＣＮＱ。它们可在真空中制备成薄膜。在数伏电压的作用下，从高电阻至低电阻的跃迁时间小于１００ｎｓ，因此可作为一次写入的存储器材料，根据我国目前最小刻线宽度的水平，可望在１．６ｃｍ＾２的ＳｉＯ２平面上做出６４Ｍｂ的存储器。     

有机纳米整流器的STM研究

金属有机络合物Ag-TCNQ的薄膜在STM针尖电场的作用下，当电压达到某一阀值后可以从高阴态跃迁至低阻态。在一定的条件下，在低阻态的保持时间很短，且高低阻间的转换可以重复。由于它们都是有机材料，根据这种特性，提出了一种新型有机纳米整流器的设想，并成功制作了输可控的有机纳米整流器的原型。     

一种新型的有机电双稳薄膜及其极性记忆效应

报道了一种新的高稳定的有机分子(SCN)可以和铜构成具有电双稳态特性的金属有机络合物.由这种材料制成的薄膜,在室温6V电压作用下可以从高阻态转变成低阻态,其跃迁时间小于20ns,并具有极佳的热稳定性.因此可望用于制作电子器件,如一次写入存储器(WORM)等.进一步的研究还发现,在适当的工艺条件下,SCN能够与Cu和Al一起构成Cu-SCN-Al结,这种结具有极性记忆效应,即只能被单向驱动.     

一种新型的有机电双稳薄膜及其极性记忆效应

报道了一种新的高稳定的有机分子（SCN）可以和铜构成具有电双稳态特性的金属有机络合物。由这种材料制成的薄膜，在室温6V电压作用下可以从高阻态转变成低阻态，其跃迁时间小于20ns，并具有极佳的热稳定性。因此可望用于制作电子器件，如一次写入存储器（WORM）等。进一步的研究还发现，在适当的工艺条件下，SCN能够与Cu和Al一起构成Cu-SCN-Al结，这种结具有极性记忆效应，即只能被单向驱动。     

具有非易失存储功能的可逆有机电双稳器件

报道一种能够在室温下具有可逆电双稳特性，并实现非易失信息存储功能的有机薄膜器件。器件为简单的三层结构，Al/HPYM/Ag，HPYM为一种有机分子材料，通过真空热蒸发法制成薄膜作为信息存储介质。该器件可通过正向及反向电压脉冲的激发而实现高阻态（“0”态）、低阻态（“1”态）的转变，相当于信号的写入和擦除。当外电场撤除时，其状态信息可以长时间保持，并且被小电压脉冲读取，两种导电态的阻值比约为10^5。     

有机络合物对丙烯酰胺溶液聚合的影响

研究了未精制的丙烯酰胺（ＡＭ）水溶液在有机络合物存在下的溶液聚合，通过等离子光谱确定了原料中的杂质离子种类，紫外分光光度计分析了单体残留率，用红外光谱表征了产物的结构。结果表明，有机络合物可抑制变价金属离子的链转移作用，提高单体转化率和聚丙烯酰胺（ＰＡＭ）的分子量，且絮凝效果良好。     

Ag-TCNQ薄膜电双稳态特性的XPS研究

本文采用X光电子谱仪 (XPS)研究了Ag TCNQ薄膜的电双稳态特性。对TCNQ粉末、热处理前后的TCNQ薄膜及Ag TCNQ薄膜作了分析。结果发现 ,真空蒸镀及大气环境中热处理不会引起TCNQ化学状态的变化 ,而热处理会促使Ag与TCNQ发生反应 ,薄膜电双稳态特性的优劣则与反应程度有关。最后讨论了这一现象的可能机理     

Ag—TCNQ薄膜电双稳态特性的XPS研究

本采用X光电子谱仪(XPS)研究了Ag-TCNQ薄膜的电双稳态特性。对TCNQ粉末、热处理前后的TCNQ薄膜及Ag-TCNQ薄膜作了分析。结果发现，真空蒸镀及大气环境中热处理不会引起TCNQ化学状态的变化，而热处理会促使Ag与TCNQ发生反应，薄膜电双稳态特性的优劣则与反应程度有关。最后讨论了这一现象的可能机理。     

有机纳米整流器的STM研究

金属有机络合物Ag TCNQ的薄膜在STM针尖电场的作用下 ,当电压达到某一阈值后可以从高阻态跃迁至低阻态。在一定的条件下 ,在低阻态的保持时间很短 ,且高低阻态间的转换可以重复。由于它们都是有机材料 ,根据这种特性 ,提出了一种新型有机纳米整流器的设想 ,并成功地制作了输出可控的有机纳米整流器的原型。     

有机电致发光发射材料用金属络合物研究

金属有机络合物在分析化学中有着广泛的应用。而用做发光材料还是近些年才开始的。有机电致发光（ＥＬ）材料从分子结构上区分可分为（１）有机色素（２）螯今型金属络合物（３）有机高分子，其中ＥＬ发光性能最好的则是Ａｌ￣（３＋）－８－羟基喹啉的络合物，基于这种观点本文系统地评述了螯今型金属络合物如何满足有机ＥＬ器件要求及近年来用各种金属络合物研制出的有机ＥＬ器件的进展     

有机电双稳材料与器件的研究进展

由于有机分子材料和聚合物材料本身的各种优良性质,用其取代传统的无机半导体材料来修饰电信号具有非常广阔的研究前景.本文简要介绍了近年来有机电双稳材料与器件在电存储方面的研究进展,并讨论了有机电双稳器件(OEBD)目前存在的问题以及今后发展的方向.     

聚醚酯-无机盐复合物的研究

用直接酯化缩聚法合成了共聚醚酯,又用熔融和溶解丙种方法成膜制备了共聚醚酯－无机盐复合物,并测定了它们的体积电阻率。结果表明,含有聚乙二醇柔性链段,同时添加第三单体的共聚醚酯和无机盐的复合物,具有较低的玻璃化温度,从而体积电阻率较低。     

纳米晶粒Ag-TCNQ络合物薄膜的制备及电双稳特性

以物理气相沉积方法将TCNQ和Ag制备的金属有机络合物薄膜,在一定的工艺条件下可做到构成薄膜的晶粒直径为40nm左右,粗糙度也为纳米量级。同时在大气及室温条件下,在STM电场的作用下薄膜可从高阻态转换为低阻态,作用点的直径约为70nm。     

Soluble dendrimers europium(III) β-diketonate complex for organic memory devices

We report the synthesis of a soluble dendrimers europium(III) complex, tris(dibenzoylmethanato)(1,3,5-tris[2-(2′-pyridyl)benzimidazoly]methylbenzene)-europium(III), and its application in organic electrical bistable memory device. Excellent stability that ensured more than 10⁶ write-read-erase-reread cycles has been performed in ambient conditions without current-induced degradation. High-density, low-cost memory, good film-firming property, fascinating thermal and morphological stability allow the application of the dendrimers europium(III) complex as an active medium in non-volatile memory devices.     

新型液晶聚合物-聚电解质/表面活性剂复合物的合成及其凝聚态结构的研究

在水溶液中合成了等当量电荷比的大分子复合物——线型聚丙烯酸(PAA)/十六烷基三甲基氯化铵(CTMA)复合物。DSC,X射线衍射及偏光显微镜观察研究发现,在-60 ℃至复合物热分解的温度(约200 ℃)范围内该复合物有一明显的从晶相到液晶相的相转变过程(发生在约41 ℃),液晶态一直持续到复合物的热分解温度,是一很宽温度范围的热致液晶。偏光显微镜观察研究还表明,该复合物在氯仿溶液中,当浓度不低于20%(质量)时是一溶致液晶。     

K(TCNQ)薄膜的制备及其电双稳特性

在真空环境下,首次利用固态化学置换反应制备了K(TCNQ)薄膜,其分子结构与已报道过的K(TCNQ)单晶、多晶相同.但不同的是,在300K以上,K(TCNQ)薄膜具有可逆的双稳特性.因此预计在光电开关和电双稳存储器方面具有广泛的应用前景.     

掺钛石墨导电性及其微观结构的研究

研究了不同钛掺杂量的再结晶石墨的电阻率与微观结构。以探讨掺杂组元对材料导电性能的影响。实验结果表明,与相同工艺条件下制得的纯石墨相比,掺钛石墨具有高密、高石墨化程度以及极低的电阻率的特点,微观结构分析表明,钛对材料的石墨化过程中具有催化作用,掺杂石墨材料中钛掺杂量对材料的石墨化程度有很大影响：少量钛掺杂量即可使材料达到高的石墨化程度,过多钛掺杂量不利于其电阻率的降低,分析表明钛元素在材料中是以碳化钛形式存在,但在制备过程中,有少量钛逸失,雁而在材料表面形成孔隙,而这些对材料的性能有不利的影响。     

各向异性平面内双边半无限裂纹问题的基本解

应用复变函数的方法，对于含双边半无限裂纹的各向异性平面，给出了其在任意集中力作用下的复应力函数基本解与应力强度因子基本解；结果表明：当外载作用在裂纹表面上时，其应力强度因子与相应各向同性的情形相同