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利用空心阴极放电产生了尺寸为60 cm×60 cm×2 cm的大面积等离子体,以放电气压、电流为变量,研究了不同频率的C波段微波入射大面积等离子体的透射、反射和吸收等特性.结果显示:反射、透射和吸收三种相互作用同时存在;随着放电电流的增强,入射波的反射减弱、透射增强;当气压升高时,等离子体对入射波的吸收增强;当等离子体的密度和电子碰撞频率与入射波的频率发生耦合时,高达40%的入射波能量会被等离子体吸收.本研究表明:低气压下的大面积等离子体可作为波束切换工具;调节等离子体放电参数,可改变微波在等离子体面的传播特性. 相似文献
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微波等离子体增强化学气相沉积(MW-PECVD)法产生的等离子体密度高,成膜质量好,是制备高效太阳能电池背面钝化膜的重要方法.基于自主研制的平板式PECVD设备,对其核心部分——线形同轴微波等离子体系统进行了仿真分析,获得了该系统等离子体源的空间分布规律,为设备设计的进一步优化提供技术指导. 相似文献
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肖玮曾晓勇朱铧丞黄卡玛 《真空电子技术》2018,(1):48-51
本文研究了微波功率和微波频率对等离子体参数,如电子密度、电子温度、气体温度以及火焰长度的影响。对等离子体的多物理场数值仿真是在基于有限元法的COMSOL Multiphysics中进行的。计算结果显示,等离子体电子密度、电子温度、气体温度都会随着输入微波功率的增大而增大;2450 MHz的微波等离子体相比于915 MHz的微波等离子体,具有更好的性能。同时,本文对不同输入功率下等离子体火焰长度进行了实验测量,结果显示输入功率对火焰长度仅有很微弱的影响。 相似文献
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以Corial 200M型干法刻蚀机的三种刻蚀模式为基础,分析了微波等离子体刻蚀技术的优缺点.并讨论了下电极结构对干法刻蚀形貌、一致性和重复性的影响。利用微波等离子体刻蚀技术与反应离子刻蚀技术相结合,实现了SiO2各向同性刻蚀,成功应用于质量控制和失效分析等环节。 相似文献
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张同超 《光纤与电缆及其应用技术》2010,(1):27-29,33
在微波工程应用中,可在微波谐振腔中加载内含易电离物质的无极灯泡,利用微波能量激发灯泡内物质电离并通过粒子的能级跃迁发光。而无极灯泡中电离形成的等离子体会造成微波的相位偏移、振幅衰减、频率偏移等多种效应,并改变谐振腔的谐振频率,为此分析了无极灯泡内的等离子体对微波参数的影响。 相似文献
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为了研究中空激光参量对金属板料变形的影响,采用数值仿真的方法,选用不同的中空激光参量对3003铝合金板料进行了冲击成形数值模拟,分析了板料变形的动态响应过程以及成形规律。结果表明,中空激光加载后,板料获得初速度,光斑区域的速度逐渐减少,区域外的速度逐渐增加,带动整个板材的运动;与实心激光冲击板料变形比较,板料底部变形区较为平坦,变形比较均匀,提高了板料的成形性和成形极限。该研究通过选择不同的中空激光参量获得板料的成形规律,为中空激光冲击成形技术提供了依据。 相似文献
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该文提出了一种适用于微波通讯系统的超宽带(UWB)高增益透镜喇叭天线。该天线由一个E面喇叭天线,一个球面介质透镜和双楔形金属脊构成,并由同轴线馈电及采用HFSS软件仿真。仿真结果表明,双楔形金属脊可有效增加喇叭天线的带宽,有效频率带宽达到2~12 GHz。当仅使用双金属脊来改善喇叭天线的性能时,喇叭天线的增益会下降。文中使用一种球面介质透镜来补偿双金属脊对喇叭天线增益的负面影响。仿真结果表明,该透镜可有效提高喇叭天线在工作频带内的增益。采用透镜和金属脊结构后,该喇叭天线拥有超宽带,高增益和较强的定向辐射性能,可以应用于各类通信系统中。 相似文献
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P-type hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) thin films are prepared on glass substrate by an inductively coupled plasma chemical vapor deposition system using multiple internal low inductance antenna units. The deposition rate as well as the microstructural and electrical properties of the nc-Si:H films are investigated systematically as functions of hydrogen dilution, discharge power and working distance. The effects of various process parameters are identified and rationalized. The applicability of this type of high density plasma to manufacture nc-Si:H films is critically assessed. 相似文献
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